中华人民共和国国家标准
GB/T26072-2010
太阳能电池用锗单晶
Germanium single crystal for solar cell
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口.本标准由南京中科技股份有限公司、云南中科鑫圆晶体材料有限公司、北京国晶辉红外光学科技 本标准由云南临沧鑫圆销业股份有限公司负责起草.有限公司、厦门乾照光电有限公司参加起草.
本标准主要起草人：惠峰、普世坤、包文东、郑洪、张莉萍、孙小华、苏小平、王向武.
太阳能电池用锗单晶
1范围
本标准规定了太阳能电池用错单晶棒的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容.
本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用错单晶滚圆棒.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件.
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T5252锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GB/T26074锗单晶电阻率直流四探针测量方法
3术语
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4要求
4.1分类
错单晶棒按导电类型分为n型和p型两种类型.
4.2牌号
4.3外形尺寸
错单晶棒的外形尺寸应符合表1的规定，如客户对外形尺寸有特殊要求，供需双方另行商定.
表1
单位为毫米
直径 #76. 2 100直径及偏差 76 2±0 2 100±0 2长度 50
4.4电学性能
错单晶棒的电学性能应符合表2规定.
表2
导电类型 掺杂元素 电阻率范围/（Qcm） 载流子依度/cmP 镶、钢 ≤0 05 ≥1×101锌、神 ≤0.05 ≥1×101
4.5品向及偏离度
错单晶棒的晶向取向为：向偏a±0.5°；向偏β±0.5°.
4.6外观质量
星形结构、六角网络、孔洞和裂纹.
4.7位错密度和分布要求
4.7.1位错密度
规定. 不同规格的储单晶按位错密度分为两个级别，用A级、B级表示，单晶棒的位错密度应符合表3的
表3
级别 A级 B级位错密度/（个/cm²） <500 500 ~3 000 4.7.2分布要求 0.5mm²的位错团.如在晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘外出现上述位错排或位错团，则不允许 在单晶棒尾部检测样片直径2mm的边缘内不允许出现超过1mm长的位错排或面积超过位错排或位错团是向晶棒轴心方向延伸的. 5试验方法 5.1导电类型检测 按照GB/T1550或者GB/T4326规定的测量方法进行测量. 5.2外形尺寸检测 用精度为0.02mm的游标卡尺进行测量. 5.3外观质量 用目视法进行观察和测量. 5.4电阻率检测 按照GB/T4326或者GB/T26074规定的测量方法进行测量. 5.5载流子浓度检测 按照GB/T4326规定的测量方法进行测量. 5.6单晶晶向及晶向偏离度检测 按照GB/T1555规定的测量方法进行测量. 5.7位错密度检测 按照GB/T5252规定的测量方法进行测量. 6检验规则 6.1检验和验收 6.1.1产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准（或订货合同）的规定，6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不符 并填写产品质量证明书.时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决. 6.2组批 每根错单晶棒作为一个组批. 6.3检验项目及取样 首先对每个组批进行导电类型、外形尺寸及外观质量的检验，然后在合格的每根单晶棒的头尾部各切一片（晶片）进行电阻率、载流子浓度、品向及品向偏离度的检验，从尾部切一片进行位错密度和分布的检验，检验项目、取样及判定依据见表4. 表4 序号 检验项目 取样规定 要求条款号 试验方法规定1 导电类型 1根 4. 1 5.12 外形尺寸 （单晶棒） 4. 3 5.23 外观 4 6 5.34 电阻率 2片 4.4 5.45 品向及品向偏离度 载流子依度 （由1根单品头和尾部 所切的单品片） 4 4 4.5 5 5 5.667 位错类型和分布 （由1根单晶棒尾部所切的 1片 4.7 5.7单品片）
