首页 > 推荐性国家标准

GB/T 32563-2016 无损检测 超声检测 相控阵超声检测方法.pdf

常规,标准化,检测,测试,特种设备,推荐性国家标准
文档页数:22
文档大小:7.07MB
文档格式:pdf
文档分类:推荐性国家标准
上传会员:
上传日期:
最后更新:

中华人民共和国国家标准

GB/T32563-2016

无损检测 超声检测 相控阵超声检测方法

Non-destructive testing-Ultrasonic testing-Test method for phased-array ultrasonic testing

中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布

目 次

前言引言2规范性引用文件 1范围3术语和定义检测技术等级检测人员6: 检测设备7试块8基本要求9检测准备10检测系统的设置和校准11检测 1312检测数据的分析和解释13检测报告 附录A(规范性附录) 14附录B(规范性附录) 相控阵检测系统定位精度测试 相控阵探头晶片灵敏度差异与有效性测试附录C(资料性附录)常见其他形式焊接接头推荐的扫查位置 16 17

前言

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草.

本标准由全国无损检测标准化技术委员会(SAC/TC56)提出并归口.

本标准起草单位:江苏省特种设备安全监督检验研究院、艾默生过程管理(天津)阀门有限公司、上海材料研究所、中国特种设备检测研究院、广州多浦乐电子科技有限公司、奥林巴斯(中国)有限公司、北京福马智恒检测技术有限公司、浙江省特种设备检验研究院、北京欧宁航宇检测技术有限公司、矩阵科工检测技术(北京)有限公司、北京邹展麓城科技有限公司、江苏省特种设备安全监督检验研究院张家港广东省特种设备检测研究院中山检测院、江苏中特创业设备检测有限公司、汕头市超声仪器研究限 分院、西南交通大学、中国航空工业集团公司北京航空材料研究院、北京理工大学、南京航空航天大学、公司、山东瑞祥模具有限公司、上海船舶工程质量检测有限公司、烟台富润实业有限公司.

本标准主要起草人:强天鹏、孙忠波、金宇飞、郑晖、纪轩荣、王晓宁、郑振顺、郭伟灿、郑凯、徐智、江运喜、李剑峰、许建芹、俞燕萍、涂春磊、王飞、高晓蓉、史亦韦、徐春广、王海涛、富阳、龚成刚、陈和坤、 魏忠瑞、邵建华、杨先明.

引言

本标准提及的相控阵超声是指工业检测使用的相控阵超声技术,虽然相控阵超声属于脉冲反射法检测范畴,但是在声场特性、检测应用、信号处理与成像、性能和功能等许多方面,相控阵与常规脉冲反 射法有很大不同.

按照一定的延时法则发射和接收超声波,从面实现声束的扫描、偏转与聚焦等功能,利用扫描特性,相控阵技术可以在探头不移动的情况下实现对被检测区域的扫查:利用偏转特性,相控阵技术不仅可以在探头不移动的情况下实现对被检测区域的扫查,面且可以激发多角度声束对检测区域进行较大面积覆 盖,从而提高检测效率及缺陷检出率:利用聚焦特性,相控阵技术可以提高声场信号强度、回波信号幅度和信噪比,从面提高缺陷检出率,以及缺陷深度、长度的测量精度.

相控阵超声检测系统是高性能的数字化仪器,能够实现检测全过程信号的记录.通过对信号进行处理,系统能生成和显示不同方向投影的高质量的图像.

正因为相控阵超声与常规超声方法同是基于脉冲反射法检测,因此在本标准的试块、检测级别,以及缺陷的定量等内容部分参考了常规超声标准.但相控阵技术又是与常规超声差异很大的先进技术,所以在仪器系统校准、探头参数选择、扫描和扫查方法、工艺参数选择、增益补偿和灵敏度设定等方面标准给出了与常规超声不同的新规定.

相控阵超声检测方法 无损检测超声检测

1范围

本标准规定了利用手工扫查或自动(半自动)扫查的一维线阵相控阵超声技术应用基本原则,进行检测时工艺参数的选用规则,以及确定缺陷位置及尺寸的方法.

本标准适用于厚度为6mm~200mm的细晶钢焊接接头.对于其他金属细晶材料焊接接头,在考虑声速的变化后,也可参照本标准,对于厚度超出以上范围的焊接接头,在通过演示证明仅器系统具有性的影响后,也可参照本标准. 足够的检测能力后,也可参照本标准.对于奥氏体不锈钢等租晶焊接接头,在考虑信噪比和声速各向异

对于其他结构件、压延件、锻件,在选择合适的试块、校准方法和扫查方法后,也可参照本标准.

使用二维相控阵超声探头进行检测,在考虑声场特性变化及其给系统校准和检测带来的影响后,也可参照本标准.

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件.

GB/T9445无损检测人员资格鉴定与认证GB/T12604.1无损检测术语超声检测GB/T23905无损检测超声检测用试块JB/T11731无损检测超声相控阵探头通用技术条件

3术语和定义

GB/T9445和GB/T12604.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件.

晶片间距pitch

3.1

两个相邻晶片的同侧边或者中心之间的距离(见图1).

3.3激发孔径active aperture单次激发晶片组的总长度,即:激发孔径L=n×c-d 式中:L激发孔径;

资源链接请先登录(扫码可直接登录、免注册)
①本文档内容版权归属内容提供方。如果您对本资料有版权申诉,请及时联系我方进行处理(联系方式详见页脚)。
②由于网络或浏览器兼容性等问题导致下载失败,请加客服微信处理(详见下载弹窗提示),感谢理解。
③本资料由其他用户上传,本站不保证质量、数量等令人满意,若存在资料虚假不完整,请及时联系客服投诉处理。
④本站仅收取资料上传人设置的下载费中的一部分分成,用以平摊存储及运营成本。本站仅为用户提供资料分享平台,且会员之间资料免费共享(平台无费用分成),不提供其他经营性业务。
投稿会员:zidan
我的头像

您必须才能评论!

手机扫码、免注册、直接登录

 注意:QQ登录支持手机端浏览器一键登录及扫码登录
微信仅支持手机扫码一键登录

账号密码登录(仅适用于原老用户)