中华人民共和国国家标准
GB/T 11296-2026代替GB/T11296-1989
Designation for infrared detecting materials
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
本文件代替GB/T11296-1989《红外探测材料型号命名方法》，与GB/T11296-1989相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了产品型号组成结构，由之前的"材料主要成分掺杂物质-同一组分中不同的配比或不同特征值）第四特征值”以及热释电材料的“材料尺寸-材料名称/第一特征值-第二特征值-第三b）更改了材料名称中锐化钢、确锡汞材料的缩写符号，锑化钢由IS更改为InSb，碲锅汞由 特征值“（见4.1.1、4.2.1，1989年版的第1章）；HCT更改为MCT，锯酸锂钡由BSN更改为SBN（见4.1.3、4.2.3，1989年版的1.1）；c）更改了命名方法，分为化合物半导体材料和热释电材料两类，分别规定了各自的命名方法（见第4章，1989年版的第1章）：d）增加了化合物半导体材料中的碲锌辐、锐化、钢嫁砷、二类超晶格、量子阱材料，同时增加了 “其他材料表示形式按照该方法类推进行”的描述（见4.1，1989年版的1.1）；e）增加了热释电材料中的金属氧化物陶瓷、高分子聚合物材料，同时增加了“其他热释电材料表示形式按照该方法类推进行”的描述（见4.2，1989年版的1.1）；g）增加了对每种材料的材料尺寸、材料名称、各特征值的代表含义以及表示符号的说明（见 f）删除了对各型号结构部分的说明（见1989年版的第1章）：第4章）
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口.
圆半导体有限公司、有研国品辉新材料有限公司. 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十一研究所、中国电子技术标准化研究院、厦门华芯品
本文件主要起草人：赵超、刘铭、曹可慰、折伟林、史泽远、刘江高、仇瑛、赵俊莎、吴怡然、张宝帅、陈基生、马远飞.
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
1989年首次发布为GB/T11296-1989；
本次为第一次修订.
红外探测材料型号命名方法
1范围
本文件描述了红外探测器用化合物半导体材料和热释电材料型号命名的方法.
本文件适用于红外探测用化合物半导体材料包括梯化钢（单品）、稀化嫁、碚锌辐等单晶材料，锐化钢（薄膜）、蹄镉汞、钢砷、二类超晶格、量子阱等薄膜材料以及热释电材料包括硫酸三甘肽、钮酸锂、锯酸钡等单晶材料，锆钛酸铅、钛酸铅等金属氧化物陶瓷材料，聚氟乙烯，聚偏氟乙烯等高分子聚合物材料的命名.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
GB/T14264-2024半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264一2024界定的术语和定义适用于本文件.
4型号命名方法
4.1红外探测器用化合物半导体材料型号命名方法
4.1.1型号结构
型号结构如图1所示，分别由材料尺寸、材料名称、第一特征值～第四特征值这几个部分组成.
图1红外探测器用化合物半导体材料型号结构
4.1.2材料尺寸
型号中的第一项材料尺寸表示材料的尺寸，对于圆形材料，应使用材料直径来表示，例如直径2in
