SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法.pdf

中华人民共和国第四机械工业部

部标准

硅半导体开关二极管测试方法

（暂行）

SJ966-75

中华人民共和国第四机械工业部

部标准

SJ966-75

硅开关二极管反向击穿电压的测试方法

本标准适用于硅开关二极管反向击穿电压的测试，

1.测试反向击穿电压总的要求应符合SJ962-75.

2.反向击穿电压(Vs)的测试

定义：

被测管通过的反向电流Ir为规定值时，在两极间所产生的电压降.反向出穿电压的测试电原理图应符合下图.

图中：Dx为被测开关二极管.

测试步骤：

调节稳压源输出电压，使电流表为lr值，这时电压表的读数即为反向击穿电压VB.