ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和 波纹度测试方法 Test method for warp and waviness of silicon wafers for solar cells 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和 波纹度测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）翘曲度和波纹度的测试方法. 本标准适用于硅片翘曲度和波纹度的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T3505一2009产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T16747一2009产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面波纹度词汇 GB/T18777产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法相位修正滤波器的计量特性 GB/Z26958(部分)产品几何技术规范(GPS)滤波 3术语和定义 GB/T3505一2009、GB/T14264GB/T16747一2009、GB/T18777和GB/Z26958界定的术语和 定义适用于本文件.为了便于使用，以下重复列出了GB/T3505一2009和GB/T16747一2009中的某 些术语和定义. 3.1 轮廓滤波器profile filter 把轮廓分成长波和短波成分的滤波器.在测量粗糙度、波纹度和原始轮廓的仪器中使用三种滤波 器，见图1.它们都具有GB/T18777规定的相同的传输特性，但截止波长不同. [GB/T3505一2009，定义3.1.1] 3.2 x 轮廓滤波器 profile filter 确定存在于表面上的粗糙度与比它更短的波的成分之间相交界限的滤波器，见图1. [GB/T3505一2009，定义3.1.1.1] 3.3 a.轮廓滤波器.profile filter 确定粗糙度与波纹度成分之间相交界限的滤波器，见图1. [GB/T3505一2009，定义3.1.1.2] 3.4 轮廓滤波器:profile filter 确定存在于表面上的波纹度与比它更长的波的成分之间相交界限的滤波器，见图1. GB/T30859—2014 [GB/T3505—2009 定义3.1.1.3] 100 粗糙度轮廓 波纹度轮 50 波长 图1粗糙度轮廓和波纹度轮廓的传输特性 3.5 实际表面real surface 物体与周围介质分离的表面.实际表面是由粗糙度、波纹度和形状叠加而成的. [GB/T16747-2009 定义3.1] 3.6 表面轮廓（实际轮廓）surface profile(real profile) 由一个指定平面与实际表面相交所得的轮廓.它由粗糙度轮廓、波纹度轮廓和形状轮廓构成. [GB/T16747一2009，定义3.2] 3.7 原始轮廓primary profile 通过入，轮廓滤波器后的总轮廓. [GB/T3505—2009 定义3.1.5] 3.8 表面波纹度轮廓（波纹度轮廓）profile of surface waviness(waviness profile) 对原始轮廓连续应用入：和入.两个轮廊滤波器以后...

ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 Polished mono-crystalline sapphire substrate product 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 1范围 本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证 明书与订货单（或合同）内容. 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片（以下简称蓝宝石衬底片）. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1031产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T30857蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 蓝宝石sapphire 可以用来外延生长的、有确定晶向的人工生长单晶氧化铝材料. 3.2 衬底substrate 用于生长硅、氮化镓或其他材料的抛光蓝宝石晶片. 3.3 局部厚度变化local thickness variation 当蓝宝石晶片的背面为理想平面时，在晶片表面的局部区域内，相对于特定参考平面的最大偏差， 通常报告晶片上局部定域的最大值. 3.4 蓝宝石晶棒sapphire ingot 依特定轴向生长的晶体，通过机械加工后满足切片的蓝宝石棒材. 1 GB/T30858-2014 3.5 亮点bright point 一种孤立的特性，晶片表面上尺寸足够的局部光散射体，其在高强度光照射下呈现为光点，这些光 点可目视观察到.有时称光点缺陷. 注：例如品片表面上的颗粒沾污，相对于品片表面的光散射强度，可导致该处光散射强度增加. 4要求 4.1化学组成 蓝宝石单晶的化学组成为高纯的a-Al2O3 总杂质含量应小于10-(100Ppm). 4.2结晶完整性 要求蓝宝石衬底片在有效直径范围内都是单品，位错密度应小于10个/cm2 双晶摇摆曲线的半 峰宽值(FWHM)应小于30 arcsec. 4.3生长方法 制备蓝宝石单晶衬底片所使用的生长方法按双方合同的规定. 4.4表面取向和参考面取向 蓝宝石单晶属六方晶系，六方晶系晶胞的结构如图1所示.表面取向和参考面取向应符合表1的 规定，蓝宝石晶体R面的主参考面取向见图2. 轴 (面 A面 R面 (面(0001) A面(1120) R面(1012) 图1六方晶系晶胞结构图 表1 项目 要求 C面(0001) 表面取向 偏M轴0.2士0.15° R面(1102)士0.15 A面(1120)士0.15° M面(1010)士0.15° 偏A轴0士0.15° 2 ...

ICS77.040 H21 B 中华人民共和国国家标准 GB/T30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 Standard test method for thickness and thickness variation on sapphire substrates 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 1范围 本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片（简称衬底 片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法. 本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 5点厚度变化5 points thickness variation TV5 衬底片上特定5个点的厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称为衬底片的5点厚度变化. 4方法概述 4.1分立点式测量 在衬底片中心点和距边2mm圆周上的4个对称位置点（见图1）测量衬底片厚度.中心点厚度作为 衬底片的标称厚度.5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值即为衬底片的5点厚度变化. 4 2 5 3 说明： 1、4、5—距圆边2mm; 2—中心点； 3一一距平边2mm. 图1分立点位置 1 GB/T30857-2014 4.2扫描式测量 衬底片由基准环上的3个支点支撑，中心点厚度作为衬底片的标称厚度，利用接触式或非接触式的 探头或激光器按规定图形（见图2）扫描衬底片表面，进行厚度测量.距边2mm内开始取点，至少每 1mm~3mm取一点测量厚度，测量值中的最大厚度与最小厚度的差值即为衬底片的总厚度变化. A D c B B D A 图2厚度测量扫描路径 5设备 5.1接触式测厚仪 接触式测厚仪由带有指示仪表的量具及可支持衬底的夹其或平台组成.仪表最小指示单位不大于 1um 测量探头的底面积不应超过2mm2 待确认厚度校正标准片，厚度值的范围从0.25mm~ 1.2mm 厚度间隔为0.2mm士0.025mm. 5.2非接触式测厚仪 非接触式测厚仪由一个可移动的基准平台，具有指示器的固定探头装置，定位器等所组成. 基座底面应光滑，粗糙度应小于0.25μm 平整度应小于0.25μm. 6样品 衬底片应具有清洁、干燥的表面，如果待测片不具备参考面，应在衬底片背面边缘处作出测量定位标记. 7测量 7.1测量环境 除另有规定外，应在下列条件下进行测量： a)温度：20℃~25℃； b)湿度：不大于70%； c)配置有防振平台. 7.2仪器校正 7.2.1从一组厚度校正标准片中选取厚度与待测衬底片厚度相差在0.125mm范围内的厚度校正标准 2 ...

ICS29.045 H83 gB 中华人民共和国国家标准 GB/T30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 GaAs substrates for LED epitaxial chips 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 1范围 本标准规定了LED外延芯片用碑化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标 志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容. 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8760碑化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 SEM1M9.7-0200直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4要求 4.1分类 砷化镓衬底按导电类型分为n型和p型两种类型. 4.2牌号 砷化衬底牌号表示按GB/T14844的规定. GB/T30856—2014 4.3规格 砷化镓衬底按直径分为中50.8mm、更76.2mm、更100mm、中150mm4种规格，或由供需双方商定. 4.4电学性能 砷化镓衬底的电学性能应符合表1的规定. 表1 要求 序号 项目 n P 1 电阻率/(ncm) 0.01~1×10-J 0.1~3×10-1 2 迁移率/[cm2/(Vs)] ≥1000 ≥40 3 载流子浓度/cm- 1X107-~4X10 5×1017~5×109 4.5表面晶向及晶向偏离 砷化镓衬底的表面晶向为，晶向偏离不大于0.5（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需 双方在合同中确定). 4.6位错密度 碑化衬底的位错密度应符合表2的规定. 表2 要求 项目 中50.8mm 76.2mm 100mm 0150mm 位错密度/（个/cm2) ≤2×103 ≤4X103 ≤5X103 ≤1×10 注：当客户对品体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定. 4.7表面质量 在砷化镓衬底表面边缘2mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝.在整个表面无沾污、溶剂残留物、 蜡残留物或按合同规定. 4.8参考面的取向、形状和尺寸 4.8.1中50.8mm(2”)、中76.2mm(3”)、中100mm(中4”)砷化镓衬底参考面的取向、形状和长度应符 合表3的规定. 2 ...

ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 GaP substrates for LED epitaxial chips 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 1范围 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包 装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容. 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T191包装储运图示标志 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GJB3076一1997磷化镓单晶片规范 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4要求 4.1分类 磷化镓衬底按导电类型分为n型和p型两种类型. 4.2牌号 磷化镍衬底牌号表示按GB/T14844的规定. 1 GB/T30855-2014 4.3规格 磷化镓衬底按直径分为50.8mm、中63.5mm两种规格，或由供需双方商定. 4.4电学性能 磷化镓衬底的电学性能应符合表1的规定. 表1 要求 序号 项目 P 1 电阻率/(ncm) 0.50~0.04 0.10~0.01 2 迁移率/[cm2/(Vs)] 22100 ≥25 3 载流子浓度/cm-3 1X107~2×108 5X101”~2X10 4.5表面晶向及晶向偏离 磷化镓衬底的表面晶向为，晶向偏离不大于0.5（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需 双方在合同中确定). 4.6位错密度 磷化镓衬底的位错密度要求应符合表2的规定. 表2 要求 项目 50.8 mm 63.5mm 位错密度/（个/cm2) ≤5X105 ≤5X10 注：当客户对品体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定. 4.7表面质量 在磷化镓衬底表面边缘2mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝.在整个表面无沾污、溶剂残留物、 蜡残留物或按合同规定. 4.8参考面取向和长度 客户对中50.8mm(2”)、中63.5mm(2.5)磷化镓衬底参考面的取向和长度有特殊要求时，应在 合同中规定. 4.9外形几何尺寸 磷化镓衬底的外形几何尺寸应符合表3的规定. 2 ...

ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30854-2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺. GB/T30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 1范围 本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、 包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容. 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T191包装储运图示标志 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 SJ/T11399半导体二极管芯片测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4要求 4.1分类 外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化镓外延片（外延 厚度超过100μm通常称为氮化镓单晶). 4.2牌号 外延片牌号表示按照GB/T14844的规定. 4.3规格 外延片直径主要分为50.8mm、中76.2mm、100mm、150mm4种规格，或由供需双方商定. 1 ...

ICS35.040 L71 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30851-2014 信息技术 传统蒙古文排序 Information technology-Traditional Mongolian sorting 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30851—2014 信息技术传统蒙古文排序 1范围 本标准规定了传统蒙古文的排列顺序. 本标准适用于传统蒙古文的信息处理. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件， GB13000信息技术通用多八位编码字符集(UCS) 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 自由变体选择符free variation selector 自由变形选择符 一种组合用字符，紧随于特定的名义字符之后，用来区分在同一条件下的同一个名义字符的不同 变体. 3.2 排序sorting 将字母、单词（或词组）的任意序列重新按一定规则排列的次序. 4排序原则 本标准依据GB13000的编码次序排列传统蒙古文字母，但进行了下列调整： a)个1827排在1821之后； b)控制符202F排在1820之前； c)元音间隔符180E排在m1826之后； d)非词尾的“：1836x1822”组合排在×1822之后； )带控制符的“<1836180B1822”组合和词尾的“<18361822组合排在：1836之后； )词内前后条件相同时，“带180B、180C、180D等自由变体选择符的该字符”排在不带自由变体 选择符的该字符之后，但“：1833180B”排在1833之前.如：“-1828180B 1820 1837 1820”排在“/1828 1820 1837 1820”之后，“1820180B”排在√1820之后； g)标点符号和200C、200D两个控制符不参加排序. 5字母顺序 传统蒙古文字母的排列顺序见表1. 1 GB/T30851-2014 表1传统蒙古文字母的排列顺序 序号 字形 位置 GB13000代码 1 0020 2 202F 之当 独立 1820≤1820180B 词首 1820 3 ≤ 词中 1820≤1820180B 词末 1820≤1820180B 独立 1821 4 词首 1821≤1821180B 词末 182151821180B 5 寸 1827 独立 1822 6 词中 1822≤1822180B 1822≤18361822 独立 1823 7 司 词中 1823≤1823180B 词末 1823≤1823180B 花 独立 1824 8 日兰司 词中 1824≤1824180B 独立 1825 词中 1825≤1825180B 当 词中 1825≤1825180C ”≤ 词末 1825≤1825180B 寸当市 独立 1826≤1826180B 词中 1826≤1826180B 10 词中 1826≤1826180C 当9 词末 1826≤1826180B 2 ...

ICS35.240.01 L67 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30850.5-2014 电子政务标准化指南 第5部分：支撑技术 Standardized guidelines for e-government-Part 5:Underlying technology 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30850.5-2014 目 次 前言 引言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4缩略语 1 5电子政务技术支撑层参考模型 2 5.1参考模型 .2 5.2基础支撑层 .2 5.3应用支撑层 .3 6电子政务支撑技术体系 3 6.1技术支撑层 3 6.2基础技术结构 3 6.2.1传统中间件结构 .3 6.2.2基于构件的结构 .4 6.2.3S0A 4 7关键支撑技术及技术要求 7.1基础支撑技术 5 7.1.1概述 5 7.1.2信息表示 5 7.1.3消息服务 5 7.1.4事务服务 6 7.1.5数据访问 ..6 7.1.6目录服务 6 7.1.7安全服务 6 7.1.8管理服务 6 7.1.9展示技术 44 .6 7.2应用支撑技术 6 7.2.1概述 ..6 7.2.2组织机构与身份管理 .7 7.2.3 访问控制 7 7.2.4单点登录 7.2.5电子表单 7 7.2.6工作流 .7 7.2.7 共享和交换 7 2.8应用/服务集成 9 I GB/T30850.5—2014 前言 GB/T30850在《电子政务标准化指南》.总标题下，分为六个部分： ——第1部分：总则； —第2部分：工程管理； ——第3部分：网络建设； ——第4部分：信息共享； —第5部分：支撑技术； ——第6部分：信息安全. 本部分为GB/T30850的第5部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出并归口. 本部分的起草单位：深圳市标准技术研究院、中国电子技术标准化研究院、深圳市永兴元科技有限 公司、华为技术有限公司、深圳市福田区信息中心、北京东方通科技股份有限公司、北京有生博大软件技 术有限公司、哈尔滨亿时代数码科技开发有限公司. 本部分主要起草人：詹炜、孙勇、赵斌、陈伟清、付东普、袁晓欢、高新辉、石卫宁、陈铭祥、栗岚、 陈威钢. ...

ICS35.240.01 L67 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30850.3-2014 电子政务标准化指南 第3部分：网络建设 Standardized guidelines for e-government-Part 3:Network construction 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30850.3-2014 目 次 前言 I 1范围 1 2规范性引用文件 1 3缩略语 .1 4网络建设要求 2 4.1网络建设的总体要求 2 4.2网络结构要求 .2 4.3网络设备要求 6 4.4P地址与域名管理 .10 4.5机房建设要求 .10 5网络接人认证与授权 10 5.1接入设备与共享平台的准入10 5.2外部接入网络 10 5.3无线网络访问 11 6网络管理与维护 11 6.1网络管理功能 .11 6.2网络监控系统管理功能 12 6.3网络管理接口 12 7网络测试要求 12 7.1测试范围 12 7.2测试标准 12 7.3测试条件 12 7.4测试方法 13 7.5测试项目 .13 7.6测试程序 .13 7.7测试报告 .14 参考文献 15 GB/T30850.3-2014 前言 GB/T30850在《电子政务标准化指南》总标题下，分为六个部分： —第1部分：总则； ——第2部分：工程管理； 一第3部分：网络建设； 一第4部分：信息共享； —第5部分：支撑技术； —第6部分：信息安全. 本部分为GB/T30850的第3部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(S.AC/TC28)提出并归口. 本部分的起草单位：深圳市标准技术研究院、中国电子技术标准化研究院、华为技术有限公司、深圳 市福田区信息中心. 本部分主要起草人：詹炜、黎志文、陈展展、黄曼雪、陈伟清、段惠斌、陈根盛、周哲、孙勇. I ...

ICS35.240.01 L67 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30850.2-2014 电子政务标准化指南 第2部分：工程管理 Standardized guidelines for e-government-Part 2:Project management 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30850.2-2014 前言 GB/T30850在《电子政务标准化指南》总标题下，分为六个部分： ——第1部分：总则； --第2部分：工程管理； ——第3部分：网络建设； —第4部分：信息共享； ——第5部分：支撑技术； 一第6部分：信息安全. 本部分为GB/T30850的第2部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出并归口. 本部分的起草单位：中国电子技术标准化研究院、天津大学软件学院、曙光信息产业股份有限公司、 东软集团、天津海泰数码科技有限公司、浪潮电子信息产业股份有限公司、中安科技集团有限公司、天津 凯发电子科技有限公司、天津火易数码技术有限公司、天津天安怡和科技有限公司. 本部分主要起草人：曹静、李大东、张子剑、果植昌、陈建民、孙贞文、徐东、郭军、王家祥、王新会、 张家万、薛京生、邵宗有、张亚平、王征、孙美君、孙国中、孙泽鲁、杜敬、伍贤杰、于立军、刘嵩、刘玮、赵勤、 姜华、杨新子、冯楠. I GB/T30850.2-2014 电子政务标准化指南 第2部分：工程管理 1范围 GB/T30850的本部分规定了规范电子政务工程与系统建设相关方的责任和要求，工程项目管理 流程、风险管理、监督管理、文档管理等. 本部分适用于电子政务系统的规划、建设和管理，同时可作为其他管理信息系统规划、建设和管理 的参考. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T19668信息化工程监理规范 GB/T28035软件系统验收规范 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 电子政务系统工程项目e-government project 电子政务网络、业务信息系统、基础信息库、信息安全保障体系相关基础设施，电子政务标准化体系 等系统的建设项目. 3.2 电子政务系统工程项目管理e-government project management 为确保电子政务系统工程项目的正确性、保密性、完整性、可用性等目标，由项目建设方主导，在项 目生命周期内围绕项目实现所进行的系统管理过程. 3.3 电子政务系统工程项目生存周期entire life cycle of e-government project 电子政务系统工程项目从产生到终止的时间.一般包括需求调研、项目立项、招投标、项目实施、项 目验收、运行等阶段. 3.4 电子政务系统工程项目文档c-government project document 在电子政务系统工程项目全生命周期中，各相关方产生的具有参考和利用价值并作为档案保存的 纸、磁介质文件. 3.5 项目建设单位project construction unit 承办电子政务系统工程项目的中央和地方各级政务部门.项目建设单位负责提出电子政务项目的 申请，组织或参与电子政务项目的设计、建设和运行维护等. ...

ICS35.240.01 L67 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30850.1-2014 电子政务标准化指南 第1部分：总则 Standardized guidelines for e-government-Part 1:General principles 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30850.1-2014 目次 前言 I 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4电子政务体系结构 2 4.1技术参考模型 4.2标准体系框架 3 5电子政务总体要求 4 5.1规划设计 4 5.2建设实施 4 5.3运行维护 *4 5.4数据管理 .5 5.5绩效评估 5 5.6涉密系统建设 5 参考文献 GB/T30850.1-2014 前言 GB/T30850在《电子政务标准化指南》总标题下，分为六个部分： —第1部分：总则； —第2部分：工程管理； —第3部分：网络建设； —第4部分：信息共享； ——第5部分：支撑技术； —一第6部分：信息安全. 本部分为GB/T30850的第1部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出并归口. 本部分起草单位：中国电子技术标准化研究院、北京市信息化项目评审中心、国家信息中心、新疆克 拉玛依信息化管理局、山西省晋城市信息化办公室、北京航空航天大学、天津大学、深圳市标准化研究 院、广州秉政电子政务研究中心、克拉玛依红有软件有限责任公司. 本部分主要起草人：高林、何芳、郭宗泽、毛忆慈、吴建华、马殿富、徐枫、张宁、徐进、王杰斌、申云、 杨瑛、赵明丽、曹静、詹伟、栗岚、苗宗利、史容、张剑、张常亮、卢海英. I ...

ICS35.040 L71 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30849-2014 信息技术通用多八位编码字符集 锡伯文、满文字型正白体 Information technology-Universal multi-octet coded character set- Sibe Manchu font-—Zhengbai Ti 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30849-2014 引言 本标准根据GB13000《信息技术通用多八位编码字符集(UCS)》、GB/T26226《信息技术蒙古 文变形显现字符集和控制符使用规则》、《现代锡伯文学语言正字法》、《锡伯文字母和字母表》、《满文字 母和字母表》等规定的锡伯文和满文名义字符、变形显现字符、强制性合体字以及数字和专用符号，以我 国锡伯族地区社会规范用字、报刊、图书、教材、辞书、锡汉双语教学等使用的锡伯文正白体（参见附录 A)和满文档案、历史文献中使用的满文正白体（参见附录A)为基础，设计和规定了信息处理用锡伯文 和满文正白体字型. 有关字型数据的授权转让使用事宜，字型标准数据的维护、更新及修订工作，统一由归口单位负责. 地址：北京市东城区安定门东大街1号（北京市1101信箱） 邮编：100007 电话：84029173 传真：64007681 E-mail:citss@cesi.ac.cn GB/T30849—2014 信息技术通用多八位编码字符集 锡伯文、满文字型正白体 1范围 本标准规定了GB/T26226中的231个锡伯文和满文名义字符、变形显现字符、强制性合体字、数 字、标点符号及专用符号的正白体字型. 本标准适用于锡伯文和满文信息处理系统，也可用于其他相关设备. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB13000信息技术通用多八位编码字符集(UCS) GB/T26226信息技术蒙古文变形显现字符集和控制字符使用规则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 字形glyph 一种可辨认的抽象的图形符号，它不依赖于任何特定的设计. 3.2 字型font 具有同一基本设计的字形图像的集合，如：正白体. 3.3 字符character 表示语音的单个符号. 3.4 字序character order 图形字符在集合中按一定规则排列的次序. 3.5 名义字符nominal character 名义形式nominal form 蒙古文字母的主要形式.它适用于蒙古语的书面形式以及附加符号的表示、传输、交换、处理、存 储、输人及显现. 3.6 变形显现字符presentation character 变体显现形式presentation form 一个字母的各个显现形式为该字母的名义形式或其他图形字符区的字符序列在特定上下文中的使 1 ...

ICS35.040 L71 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30848-2014 信息技术通用多八位编码字符集 锡伯文、满文字型正黑体 Information technology-Universal multi-octet coded character set- Sibe Manchu font-Zhenghei Ti 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30848-2014 引言 本标准根据GB13000《信息技术通用多八位编码字符集(UCS)》、GB/T26226《信息技术蒙古 文变形显现字符集和控制符使用规则》和《现代锡伯文学语言正字法》、《锡伯文字母和字母表》、《满文字 母和字母表》等规定的锡伯文、满文名义字符、变形显现字符、强制性合体字，以及数字和专用符号，以我 国锡伯族地区社会规范用字、报刊、图书、教材、辞书、锡汉双语教学、广播影视媒体中使用的锡伯文正文 黑体（参见附录A)和满文档案、历史文献中使用的满文正文黑体（参见附录A)为基础，设计和规定了应 用于电子图书出版印刷、数字化处理和公众传媒的信息处理用的锡伯文、满文基本字型. 有关字型数据的授权转让使用事宜，字型标准数据的维护、更新及修订工作，统一由归口单位负责. 地址：北京市东城区安定门东大街1号（北京市1101信箱） 邮编：100007 电话：84029173 传真：64007681 E-mail:citss@cesi.ac.cn 目 GB/T30848-2014 信息技术通用多八位编码字符集 锡伯文、满文字型正黑体 1范围 本标准规定了GB/T26226中的231个锡伯文和满文名义字符、变形显现字符、强制性合体字、数 字、标点符号及专用符号的正黑体字型. 本标准适用于锡伯文和满文信息处理系统，也可用于其他相关设备. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件， GB13000信息技术通用多八位编码字符集(UCS) GB/T26226信息技术蒙古文变形显现字符集和控制字符使用规则 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 字形glyph 一种可辨认的抽象的图形符号，它不依赖于任何特定的设计. 3.2 字型font 具有同一基本设计的字形图像的集合，如：正黑体. 3.3 字符character 表示语音的单个符号. 3.4 字序character order 图形字符在集合中按一定规则排列的次序. 3.5 名义字符nominal character 名义形式nominal form 蒙古文字母的主要形式.它适用于蒙古语的书面形式以及附加符号的表示、传输、交换、处理、存 储、输人及显现. 3.6 变形显现字符presentation character 变体显现形式presentation form 一个字母的各个显现形式为该字母的名义形式或其他图形字符区的字符序列在特定上下文中的使 1 ...

ICS35.080 L77 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30847.2-2014 系统与软件工程可信计算平台 可信性度量第2部分：信任链 System and software engineering- Trusted puting platform trustworthiness measurement-Part 2:Trust chain 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30847.2-2014 目 次 前言 I 引言 Ⅱ 1范围 .....1 2规范性引用文件 ..1 3术语和定义 ..1 4信任链度量模型 4.1综述 1 4.2信任根 4.3信任流 2 4.4信任媒和信任元 3 4.5可信基集 3 5信任链的可信性度量 .3 5.1信任根 3 5.2信任流 4 5.3信任媒 5 5.4信任元 5 5.5信任链证据比对 5 6信任链度量检查单 6 附录A(资料性附录)信任根体系结构 10 附录B(资料性附录)主机信任链 12 附录C(资料性附录)信任链扩展 .15 参考文献 18 图1信任链度量模型 2 图A.1信任根体系结构 10 图B.1主机信任链 12 图C.1虚拟环境的信任链 15 表1信任链度量检查单 7 表A.1信任根度量检查表 11 表B.1主机信任流度量检查单 13 表C.1信任链扩展功能度量检查单 16 GB/T30847.2-2014 前言 GB/T30847《系统与软件工程可信计算平台可信性度量》分为四个部分： ——第1部分：概述与词汇； —第2部分：信任链； —第3部分：用户； ——第4部分：服务行为. 本部分为GB/T30847的第2部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出并归口. 本部分起草单位：北京邮电大学、国家自然科学基金委员会、中国合格评定国家认可中心、北京市产 品质量监督检验院、中国电子技术标准化研究院、南京大学、中国互联网络信息中心、北京中科院软件中 心有限公司、中国科学院自动化研究所、浙江大学. 本部分主要起草人：袁玉宇、刘克、刘潇健、林杰、张旸肠、刘川意、孔宁、庞浩、王利明、丁卫敏、张天乐、 奉旭辉、张熙、张倪、王林章、李彦军、孙路伟、韩强、杨金翠、张霄霄、许政兰、吴朝晖. I ...

ICS35.080 L77 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30847.1—2014 系统与软件工程 可信计算平台可信性度量 第1部分：概述与词汇 System and software engineering- Trusted puting platform trustworthiness measurement- Part 1:Overview and vocabulary 2014-06-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T30847.1-2014 目次 前言 引言 】范围 2术语和定义 1 3可信计算平台可信性度量 4 3.1概述 4 3.2相关概念 3.3过程方法 石 3.4可信计算早台可信性度量的重要性7 3.5建立、监视、维护和改进可信计算平台可信性度量7 3.6可信计算平台可信性度量标准的意义8 4GB/T30847的结构 8 4.1综述 8 4.2概述与词汇 4.3信任链 9 4.4用户 9 4.5服务行为 9 附录A(资料性附录)与GB/T30847相关的标准化术语10 参考文献 12 图1通用参考模型 GB/T30847.1-2014 前言 GB/T30847《系统与软件工程可信计算平台可信性度量》分为四个部分： 第1部分：概述与词汇； 第2部分：信任链； ——第3部分：用户； 第4部分：服务行为， 本部分为GB/T30847的第1部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草， 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出并归口， 本部分起草单位：北京邮电大学、国家自然科学基金委员会、中国合格评定国家认可中心、北京市产 品质量监督检验院、中国电子技术标准化研究院、南京大学、中国互联网络信息中心、北京中科院软件中 心有限公司、中国科学院自动化研究所、浙江大学. 本部分主要起草人：袁玉宇、刘克、刘潇健、林杰、张旸、刘川意、孔宁、庞浩、王利明、丁卫敏、张天乐、 奉旭辉、张熙、张倪、王林章、李彦军、孙路伟、韩强、杨金翠、张霄霄、许政兰、吴朝晖. ...

ICS35.240.60 A10 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30698—2014 电子商务供应商评价准则优质制造商 Evaiuation criteria for I-nerce supplier-High quality manufacturer 2014-12-31发布 2015-08-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30698-2014 目 次 前言 引言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语、定义和缩略语 1 4评价总体框架和评价模块 2 5评审方法和结果表示 .5 6评审规则与结论 ....5 7评审报告 14 8扩展原则与方法 .15 附录A(资料性附录)优质制造商审核文件清单16 参考文献 20 I GB/T30698-2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国电子业务标准化技术委员会(SAC/TC83)提出并归口. 本标准起草单位：广州龙媒计算机科技有限公司、中国标准化研究院、国家应用软件产品质量监督 检验中心、广东格兰仕集团有限公司、广州奥迪通用照明有限公司、广明源照明电器有限公司、上海新联 纺进出口有限公司、浙江金凯德工贸有限公司、广东志高空调有限公司、莱茵技术监督服务（广东）有限 公司、优力胜邦质量检测（上海）有限公司、东莞馨逸电子商务有限公司. 本标准主要起草人：刘颖、秦倩虹、王志民、苏杰忠、曹新九、李碧妍、孙兆洋、吴添喜、咸奎桐、 胡伟权、隋媛、潘建岳、程越、董连续、王威、曹爱军、龚素馨. Ⅲ ...

H83 ICS29.045
GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30656-2014
碳化硅单晶抛光片 Polished monocrystalline silicon carbidewafers
2014-12-31发布2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
1范围
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、 质量证明书及订货单(或合同)内容。

本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。

产品 主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单)适用于本文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T13387硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
(Testing of materials for semiconductor technology-Contactless determination of the electrical resis- tivity of semi-insulating semi-conductor slices using a capacitive probe)
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1 六方空洞hexagonalvoid 独立于晶片单晶区的具有六角形特征的空洞。

3.2 微管micropipe 4H或6H碳化硅单晶抛光片中沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道。

3.3 多型polytype 由同种化学成分所构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结构单位层之间的堆垛顺序 1
GB/T 30656-2014 或重复方式不同时，而形成的结构上不同的变体。

3.4 表面取向surface orientation 为满足不同要求，晶片表面与{0001)面平行或成特定的角度，用这一角度来表示晶片的表面取向， 即样品表面法线与样品c轴的夹角。

3.5 正交取向偏离orthogonalmisorientation 切片时有意偏离{0001}晶面，晶片表面法向矢量在{0001)面的投影与{0001)面上最近的(1120>方 向的夹角，定义为正交取向偏离(见图1)。

c轴晶片表面法向
偏角最近的[0001}面上
方向 正交取向偏离
晶面法向在(0001)面的投影 (0001)面
图1晶片正交取向偏离示意图
4要求 4.1总则 碳化硅单晶抛光片的技术参数是指在固定优质区内的要求，且边缘去除区应符合表1的规定。

表1边缘去除区单位为毫米 直径边缘去除区 50.81 76.22 100
4.2分类 4.2.1碳化硅单晶抛光片按晶型分为4H和6H。

4.2.2碳化硅单晶抛光片按导电能力分为导电型和半绝缘型。

4.3牌号 碳化硅单晶抛光片的牌号应符合附录A的规定。

2
GB/T 30656-2014
4.4规格 4.4.1碳化硅单晶抛光片按直径分为Φ50.8mm、$76.2mm和100mm。

4.4.2碳化硅单晶抛光片按产品质量，分为工业级（简称P级）、研究级（简称R级)和试片级（简称D 级)。

4.5几何参数 碳化硅单晶抛光片的几何参数应符合表2的规定。

表2几何参数 序号要求
项目p50.8 mm$76.2 mm$100.0 mm 1直径及允许偏差/mm50.8±0.276.2±0.2100.0±0.5 2主定位边长度及允许偏差/mm16.0±1.722.0±2,032.5±2.0 3次定位边长度及允许偏差/mm8.0±1.711.0±1.518.0±2.0 4主定位边取向平行于{1010}±5*平行于{1010}±5°平行于{1010}±5° （示意图见图2）
硅面：沿主定位边方向硅面：沿主定位边...

ICS77.040.99 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 Test methods for internal quantum efficiency of nitride LED epitaxia!I.yers 2014-12-31发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30655-2014 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽. I GB/T30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 1范围 本标准规定了Ⅲ-V族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法. 本标准适用于基于Ⅲ-V族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T6379测量方法与结果的准确度（正确度与精密度） 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 辐射复合radiative rebination 电子从高能态到低能态的跃迁过程中，电子和空穴复合时会释放一定的能量，如果能量以光子的形 式释放，这种复合称为辐射复合. 3.2 非辐射复合nonradiative rebination 电子从高能态到低能态的跃迁过程中，电子和空穴复合时会释放一定的能量，以除光子辐射之外的 其他方式释放能量的复合称为非辐射复合. 3.3 光提取效率extraction efficiency 发光二极管单位时间内发出的光子数与有源区内辐射复合产生的光子数之间的比值. 3.4 外量子效率external quantum efficiency 单位时间内注入的载流子数对外发出的光子数与注入载流子数之间的比值. 3.5 内量子效率internal quantum efficiency 在一定的注入条件下，单位时间内辐射复合产生的光子数与单位时间内注入的复合载流子总数之 间的比值. 3.6 注入效率injection efficiency 在一定注人条件下单位时间内注入有源区中产生复合的载流子数与注入载流子总数之间的比值. 3.7 激子exciton 由库仑相互作用束缚在一起的电子空穴对. 1 ...

ICS77.040.20 H21 GB 中华人民共和国国家标准雅 GB/T30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 Test method for lattice constant ofⅢ-nitride epitaxial layers 2014-12-31发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30654-2014 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽. I GB/T30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 1范围 本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法. 本标准适用于在氧化物衬底(AI2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的 氮化物(Ga In AI)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量.其他异质外延片晶格常数的测量也可 参考本标准. 2符号 下列符号适用于本文件. FWHM:半高宽，衍射峰高一半处衍射峰的全宽. w:入射光和样品表面之间的角度. 20:探测器与入射光之间的角度， 轴：倾斜样品的轴，由样品表面和衍射平面相交而成. X角：样品表面和衍射平面相交的角度. a20扫描或20-w扫描：联动扫描，探测器以两倍于样品的速度扫描， B:X射线产生衍射时入射光线与反射面之间的角度. 3方法原理 3.1总则 Ⅲ族氮化物半导体外延片相对结晶完整性较好，利用高分辨射线衍射方法测量样品的晶格常数 不但很方便，而且具有精度高、无损伤和无污染的特点.外延片晶格常数的测量方法有两大类：相对测 量方法和绝对测量方法. 3.2相对测量方法 根据外延峰相对于衬底峰的位置来确定外延膜的晶格常数.在此测量方法中，认为衬底不发生形 变，处于完全弛豫状态，然后利用双晶衍射或者三轴晶衍射进行20扫描，从而得到外延膜衍射峰与衬 底峰的峰间距△w.若外延峰在衬底峰的左侧，外延膜处于压应变状态，△w为负；若外延峰在衬底峰的 右侧，外延膜处于张应变状态，△为正.根据布拉格方程2 dsin0B=n入，得到对应的晶面间的距离，即 式(1)： sin0 d =sin(0 △w) d (1) 式中： d.一一外延膜晶面的面间距； d 一衬底晶面的面间距； 0 —衬底晶面的布拉格角. 1 ...

ICS77.040.20 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 Test method for crystal quality ofⅢ-nitride epitaxial layers 2014-12-31发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30653-2014 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽. I GB/T30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 1范围 本标准规定了利用高分辨射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法. 本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的 氮化物(Ga、In、AI)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试.其他异质外延片结晶质量的测试也可 参考本标准. 2术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 2.1 对称衍射symmetric diffraction 入射束和反射束相对于样品晶面法线处于对称位置，入射角与反射角相等时发生的衍射. 2.2 非对称衍射asymmetric diffraction 若衍射晶面与样品表面有个夹角，人射束和反射束相对于样品晶面法线处于非对称位置，人射角 与反射角不相等时发生的衍射. 2.3 斜对称衍射skew diffraction 人射束和反射束相对于样品表面法线处于对称位置，而衍射晶面相对于样品表面有个倾斜角，此 时发生的衍射为斜对称衍射. 2.4 螺型位错screw dislocation 一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周， 原子面上升一个晶面间距.在中央轴线处即为一螺型位错. 2.5 刃型位错edge dislocation 晶体在切应力的作用下，一部分相对于另一部分沿一定的晶面（滑移面）和晶向（滑移方向）产生位 移，从而形成多余半原子面，也就形成了刃型位错. 2.6 摇摆曲线rocking curve 把探测器固定在样品(hkl)晶面的20s位置，探测器前不加狭缝，试样在衍射位置附近以△0角度摇 摆，衍射强度会随着角度而发生变化，记录得到的衍射强度与的关系曲线. 3符号 下列符号适用于本文件. FWHM半高宽，衍射峰高一半处衍射峰的全宽. 1 ...