ICS31.200 L56 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4377-2018 代替GB/T4377一1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法 Semiconductor integrated circuits- Measuring method of voltage regulators 2018-03-15发布 2018-08-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 4377-2018 目 次 前言 I 1范围 y 2术语和定义 3总则 3 3.1测试环境要求 3 3.2测试注意事项 3 3.3测试仪器和设备 3 4参数测试 3 4.1电压调整率(Sv)3 4.2电流调整率(S) 5 4.3电源纹波抑制比(S) 6 4.4输出电压温度系数(Sr) 7 4.5输出电压长期稳定性(S ) 8 4.6输出噪声电压(Vo) 4.7耗散电流(Ip)和耗散电流变化（△In) 10 4.8短路电流(Ios) 11 4.9输出阻抗(Zo) 12 4.10基准电压(VREF) .13 4.11启动时间(ts) 14 4.12最小输入输出电压差(VDROP) 15 4.13输入电压变化瞬态响应时间(t1)和输入电压变化瞬态过冲电压[VoMv]16 4.14负载电流变化瞬态响应时间(t2)和负载电流变化瞬态过冲电压[VoM1o]17 4.15输出电流限制(Iimi) 18 4.16热关断温度(TSHDN)和滞回温度（△TSHDN)19 4.17输出电压(Vo)和输出电压偏差（△Vo) 20 4.18热调整率(S) 21 GB/T4377-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T4377一1996《半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理》，与GB/T4377一 1996相比，主要技术变化如下： ——修改了电源纹波抑制比SiP、输出噪声电压Vo、耗散电流ID和耗散电流变化△ID、热调整率 Sh4项参数测试方法； —删除了原标准中“不适用于双端（输入）口器件”一句； 一删除了原标准中“启动电压范围VoR”一项，改由“启动时间ts”来代替； 一增加了启动时间ts、输出电流限制ILimit、热关断温度TSHDN和滞回温度△T SHDN及输出电压Vo 和输出电压偏差△V.4项参数的测试方法. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本标准起草单位：圣邦微电子（北京）股份有限公司、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研 究所、成都振芯科技股份有限公司、北京宇翔电子有限公司. 本标准主要起草人：王鸿儒、袁莹莹、邹臣、朱华、张宝华、张冰、陈志培、罗彬. ...
GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法.pdf
