ICS 31.200 CCS L56
T/CIE 126-2021
目次
前言. 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4测试要求 4.1磁随机存储芯片信息 4.2磁随机存储测试装置 4.3随机存储芯片测试 4.3.1测试内容 4.3.2测试条件 5测试方法 5.1通则 5.2测试设备和装置 5.3磁随机存储芯片的抗磁性测试 5.3.1测试目的 5,3,2测试原理 5,3,3测试方法 5.3.4测试步骤 5.3.5测试记录 5.4磁随机存储芯片的读干扰率/写错误率 5.4.1测试目的 5.4.2测试原理 5.4.3测试方法10 5.4.4测试步骤11 5.4.5测试记录13 5.5磁随机存储芯片的非易失性测试13 5.5.1测试目的13 5.5.2测试原理13 5.5.3测试方法13 5.5.4测试步骤14 5.5.5测试记录15 5.6磁随机存储芯片的热稳定性测试15 5.6.1测试目的15 5.6.2测试原理.15 5.6.3测试方法16 5.6.4测试步骤16 5.6.5测试记录17
T/CIE126-2021
前言
本标准按照GB/T1.1一2020给出的规则起草。
请注意本标准的某些内容可能涉及专利。
本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中国电子学会提出。
本标准起草单位：北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、 中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致 真存储（北京)科技有限公司、深圳宜存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人：赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、 刘宏喜、郭玮、何帆、营端端、南江。
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磁随机存储芯片测试方法
1范围
本标准给出了磁随机存储（MagneticRandom-Access Memory；MRAM）芯片测试方法的术语、测 试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。
本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能（可靠性和电学参数等)验证。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件。
GB/T6648一1986半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范（可供认证用) GB/T35003一2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路
3术语和定义
3.1 磁随机存储器magneticrandom-access memory;MRAM 利用磁隧道结隧穿磁阻效应作为存储原理，利用中磁性层的磁矩作为信息存储的载体。
磁随机存 储芯片具有非易失特性、近乎无限次擦写和快速写人等优点的随机存储器。
3.2 磁隧道结magnetictunneljunction；MTJ
层形成的三明治结构。
3.3 参考层（固定层）reference layer（pinned layer） 磁隧道结中的一个铁磁层，它的磁化方向沿着易磁化轴方向保持不变。
3.4 自由层freelayer 磁隧道结中的另一个铁磁层，其磁化有两个稳定的取向，分别与参考层的磁化方向平行或反平行。
3.5 隧穿势垒层tunnelbarrier 磁隧道结中两层铁磁层中间的由金属氧化物等绝缘体材料形成的薄膜层。
3.6 隧穿磁电阻率tunnelmagnetoresistanceratio;TMR 磁隧道结处于反平行状态和平行状态时的电阻差值与平行状态时的阻值的比值。
隧穿磁电阻率决 定磁随机存储芯片的数据读取裕度。
因此隧穿磁电阻率是决定磁随机存储芯片性能的关键参数。
T/CIE 126-2021 3.7 写周期writecycle time 获取写使能命令的高电平为写状态的起始时间和写状态结束后低电平之间的时间间隔。
3.8 读周期readcycletime 获取读使能命令的高电平为读状态的起始时间和读状态结束后低电平之间的时间间隔。
3.9 存储单元（存储元件）memorycell（memoryelement） 一个数据位已进人、已存储或能存储并能从中取出的存储器的最小单元。
3.10 数据存储区storage zoneof data 磁随机存储芯片包含一个或几个存储单元的区域，即整个存储阵列。
3.11 地址address 识别特定数据存储区的一组二进...
