ICS77.040 CCS H 21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T1551-2021 代替GB/T1551一2009 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon- In-line four-point probe and direct current two-point probe method 2021-05-21发布 2021-12-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T1551—2021 前 言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T1551一2009《硅单晶电阻率测定方法》，与GB/T1551一2009相比，除结构调整 和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)更改了直排四探针法的适用范围（见第1章，2009年版的第1章）； b)“范围”中增加了“硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”（见第1章）； c)增加了规范性引用文件GB/T14264(见第2章)； d)增加了“术语和定义”（见第3章）； €)更改了测试环境温度的要求（见第4章，2009年版的第2章、第13章）； )更改了“干扰因素”中光照对测试结果的影响（见5.1 2009年版的3.1、14.1）； g)增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素（见5.3）； h)更改了“干扰因素”中温度对测试结果的影响（见5.4 2009年版的3.4、14.4）； i)增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素（见5.5、5.6）； j)增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素[见 5.7a)、5.7c)]; k)增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯 一对测试结果影响的干扰因素（见5.8）； 1)删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容（见2009年版的14.6）； m)更改了直排四探针法的测试原理（见6.1 2009年版的第4章）； )增加了直排四探针法中“试剂和材料”（见6.2）； o)更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求[见6.3.1a) 2009年版的5.1.1]； P)更改了直排四探针法中标准电阻的要求[见6.3.2c)、2009年版的5.2.4]； 9)更改了直排四探针法中散热器的要求（见6.3.4 2009年版的5.4）； )更改了直排四探针法中制样装置的要求（见6.3.5 2009年版的5.5）； s)更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求（见6.3.6 2009年版的5.6）； t)删除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验...
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法.pdf
