ICS29.045 H82
中华人民共和国国家标准
GB/T29054-2019 代替GB/T29054-2012
太阳能电池用铸造多晶硅块
Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell
2019-06-04发布2020-05-01实施
国家市场监督管理总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T29054-2019
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T29054一2012《太阳能级铸造多晶硅块》。
本标准与GB/T29054一2012相比，除 编辑性修改外主要技术变化如下： 修改了适用范围，将“适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块”改为“适用于从铸造技术 制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。
产品用于切割成硅片后进一步
删除了规范性引I用文件中GB/T6616、SEMIPV1-0709，增加了GB/T1554、GB/T2828.1一 2012、GB/T31854，将GB/T1551、GB/T1553、GB/T1557、GB/T1558移到了参考文献（见 第2章，2012年版的第2章）。
删除了硅块的定义，增加了有效高度、类单晶和最大晶粒面积比例的定义（见第3章，2012年 版的第3章）。
删除了分类（见2012年版的第4章）。
端面尺寸由125mm×125mm、156mm×156mm改为156.75mm×156.75mm，其他尺寸， 建议增减量为1mm的整数倍（见4.1.1，见2012年版的第4章）。
修改了端面尺寸及允许偏差（见4.1.1，2012年版的第4章、5.1.6）。
修改了载流子寿命的要求，由≥1μs改为不小于2us（见4.2.3，2012年版的5.2）。
修改了间隙氧含量的要求，由≤8×10atoms/cm改为不大于6×10atoms/cm（见4.3， 2012年版的5.2）。
增加了类单晶硅块的最大晶粒面积比例和缺陷密度要求及试验方法、检验规则等（见4.7、4.8、 5.13、5.14、第6章）。
删除了硼浓度的要求（见2012年版的5.2）。
修改了检验项目、取样及检验结果的判定（见6.3、6.4、6.5，2012年版的7.3、7.4、7.5）。
增加了附录A，列出了常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块（见附录A）。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
LDK太阳能高科技有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院、扬州荣德新能源科 技有限公司、英利能源（中国）有限公司。
本标准主要起草人：万跃鹏、唐骏、游达、林清香、苏磊、杨素心、余刚、高长昆、常传波、李建敏、何亮、 陈发勤、孙培亚、张雷。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T29054-2012。
I
GB/T29054-2019
太阳能电池用铸造多晶硅块
1范围
本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包 装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。
注：多晶硅块切割成硅片后用于制作太阳能电池。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单)适用于本文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T14264半导体材料术语 GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 有效高度effectiveheight 硅块符合各项技术要求的可切割高度。
3.2 类单晶quasi-monocrystalline silicon 通过单晶籽晶，以定向凝固法生长形成的铸造多晶，该晶体具有明显与籽晶同方向的大晶粒，也可 称为铸造单晶、准单晶等。
3.3 最大晶粒面积比例thepercentageofthelargestsinglegrain 类单晶硅块横截面上具有指定晶向的最大晶粒区域的面积与类单晶硅块横截面总面积的比值。
4要求
4....
