ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T4059—2018 代替GB/T4059—2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T4059-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T4059一2007《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》，与GB/T4059一2007相比，除编 辑性修改外，主要技术变化如下： —基磷含量的测定范围由“0.002×10-9~100×10-9”修改为“0.01×1013cm-3~500×10l3cm-3” (见第1章，2007年版的第1章)； —调整了规范性引用文件，删除了GB/T1553、GB/T1554、GB/T1555、GB/T13389 增加了 GB/T1550、GB/T4060、GB/T4842、GB/T8979、GB/T11446.1-2013、GB/T24574、 GB/T24581、GB/T25915.1一2010（见第2章，2007年版的第2章）； —修改了样芯的定义，删除了“空心钻头”（见3.3 2007年版的3.3）； —修改了方法A和方法B的方法原理表述（见4.1、4.2 2007年版的4.1、4.2）； —干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为“不低于GB/T25915.1一2010规定的6级洁净环 境”[见5.3 2007年版的第5章c)]; —干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等3项对测试结果有影响的因素（见5.4、 5.6、5.7); —删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒、测试环境的要求[见2007年版的第5章f)、第5章 g)]; 一修改了试剂和材料中去离子水、氩气的要求（见6.3、6.4 2007年版的6.3、6.5）； 一试剂和材料增加了氮气的要求（见6.5）； 一修改了试剂和材料中籽晶的要求，由“n型电阻率不低于5002cm的籽晶”修改为“籽晶应为 无位错的N型高阻硅单晶，且施主杂质含量（原子数）小于2.5×1012cm-3 碳含量（原子 数)小于5×1015cm-3 晶向偏离度小于5”（见6.6 2007年版的6.1）； 一对仪器设备中的“取芯设备”增加了要求[见7.1 2007年版的第7章a)]; 一“真空内热式区熔炉”改为“内热式区熔炉”[见7.5 2007年版的第7章d)]; 仪器设备中增加了超声清洗设备、氮气与氩气纯化装置、导电类型测试仪、两探针电阻率测试 仪、低温红外光谱仪或光致发光光谱仪（见7.3、7.6、7.7、7.8、7.9）； —删除了定性滤纸、真空吸尘器、洁净室专用的手套等实验室常用材料[见2007年版的第7章 e)、第7章f)、第7章g)]; 修改了取样要求（见8.2、8.4 2007年版的8.2、8.4）； 一删除了“选择电阻率大于5002cm 碳含量小于0.2×10-6，无位错，晶向偏离度小于5°的 n型<111〉高阻硅单晶切割制备成的籽晶”（见2007年版的10.1.1）； 一将“籽晶必须在干燥后36h内使用”修改为“籽晶应予以密封进行洁净保护”（见10.1 2007年 版的10.1.2)； —增加了“清洗后的样芯宜用高纯氮气吹干”（见10....
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