ICS31.030 L90 备案号：50573-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11516—2015 薄膜晶体管(TFT)用掩模版规范 Specification for thin film transistor(TFT)mask 2015-04-30发布 2015-10-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11516—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准主要起草单位：深圳清溢光电股份有限公司、工业和信息化部电子业标准化研究院. 本标准主要起草人：万承华、张沛、熊启龙、王香、张莹、朱文娟. I SJ/T11516—2015 薄膜晶体管(TFT)用掩模版规范 1范围 本标准规定了薄膜晶体管(TFT)用掩模版产品的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输 和储存. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB50073—2001净化厂房设计规范 GB191包装储运图示标志 GB/T16880一1997光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则 GB/T2828.1一2003计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 SJ/T10584一1994微电子学光掩蔽技术术语 SJ/T10857-1996铬版及其测试方法 SJ/T10858一1996玻璃及铬版表面平整度的测试方法. SJ/T10859一1996铬版铬膜和胶膜厚度的测试方法 SJ/T10860一1996铬版铬膜表面反射率的测试方法 SJ/T10861一1996铬版光密度的测试方法 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 薄膜晶体管(TFT)thin film transistor(TFT) 在基板上采用半导体薄膜工艺制成的晶体管. 3.2 薄膜晶体管用掩模版thin film transistor(TFT)mask 承载有薄膜晶体管设计版图的，可通过曝光工序进行图形转移复制TFT各层电极版所使用的母版. 3.3 CD精度critical dimension accuracy 图形中特征线条制作宽度与设计值的偏差，用来表征整版特征线宽均匀性. 1 ...
SJ/T 11516-2015 薄膜晶体管（TFT）用掩模版规范.pdf
