ICS31.080 L53 备案号：52037-2015
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T2658.10-2015 代替SJ/T2658.10-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode Part10:Modulationbandwidth
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.10-2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率ERY AND 第7部分：辐射通 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分调制带宽 第11部分：响应时 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽；TECH 第13部分：辐射功率温度系数 第14部分：结温； 第15部分：热阻； 第16部分光电转换效系 本部分为SJ/T2658的第10部分。
本部分按照GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替了S1/T2658.10一1986《半导体红外发光二极管测试方法调制带宽的测试方法》，除 编辑性修改外主要技术变化如下： 修改了调制带宽的定义（见3.1）； 修改了调制带宽的测量原理图（见图1）； 细化了调制带宽的测量步骤（见5.2）
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究所。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.10-1986。
SJ/T2658.10-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）调制带宽的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引1用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
GB/T2900.65-2004电工术语：照明 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
3术语和定义
GB/T2900.65一2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 调制带宽modulationbandwidth 在规定的直流正向工作电流下对被测器件进行正弦电流调制，设探测器输出信号的最大幅度点对应 的频率为f，保持调制电流信号幅度不变，从f开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到 Po的50%（-3dB）时所对应的频率为f，则f与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。
注：只要调制信号频率在探测器的线性响应范围内，探测器输出的交流电信号功率值就可等效为被测器件的辐射功 率值。
4一般要求
测量调制带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图 调制带宽的测量原理图见图1。
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SJ/T2658.10-2015
G
探测头
指示用电表
示波器
探测系统
暗箱
说明： DUT被测器件： G恒流源：
正弦信号发生器： 电流表：ECHNOI L高频扼流圈 C隔直电容： Rc负载匹配电阻 探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积，且探测系统的频率响应应比被测器件至少 高5倍。
Rc应使被测器件回路与信号源输出阻抗相匹配。
图1调制带宽的测量原理图 5.2测量步骤 调制带宽的测量按下列步骤进行： a)按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与 被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接 收区域内； b)调节恒流源G，使直流正向工作电流为规定值； C对被测器件进行正弦电流调制（调制电流信号幅度应小于直流正向工作电流的幅度），把输出 的正弦调制光固定对准探测器的光敏区，设探测器输出信号的最大幅度点为Po，记录此时对 应的频率f； (P保持调制信号幅度不变，从f开始增加信号源频率，当探测器的输出信号幅度下降到P的50% （-3dB）时，记录其对应的频率f； e）f与f之差的两倍即为被测器件的调制带宽。
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SJ/T2658.10-2015
5.3规定条件
有关标准采用...
