ICS31.260 L53 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode -Part14:Junction temperature 2016-01-15发布 2016-06-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ 2016 RDS
SJ/T2658.14-2016 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阳 第7部分：辐射通量 第8部分辅射强度； 第9部分：辐射强度 照度角； 第10部分：调制带 第11部分：响应时 第12部分：峰值发波长租光 时带宽； 第13部分：辐射功率温度系数； 第14部分：结温； 第15部分：热阻； 第16部分：光电转换效率。
本部分为SI/T2658的第14部分。
本部分依据GB/T11一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》 的规定编写。
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本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院
SJ/T2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）结温的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
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SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 3一般要求 测量结温总的要求应符合SJ/T2658.1。
4测量方法 4.1测量原理 结温的测量原理见图1。
本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结电压增量和结温增量的关系， 从而确定结温。
Mv DUT G /H 说明： DUT-被测器件； G -电流源； G2电流源； Mv--电压测量装置。
图1结温测量原理图
SJ/T2658.14-2016 4.2 测量步骤 结温的测量按下列步骤进行： a） 按图1连接测量系统，并将开关置于位置1，给被测器件施加测量电流I，测量并记录此时的 结电压Vi； 注：L值采用被测器件PN结伏安特性曲线转折点的电流。
b） 将开关快速置于位置2，用加热电流I快速替代I，要求电流I在持续时间内稳定，观察此 时的正向电压V； 注：I值应大于I 待V稳定后，将开关快速置于位置1，即用测量电流L快速替代I，测量结电压Vf。
按SJ/T11394-2009中的方法5002测量K系数； 按公式（1）～公式 3 Fi (1) STR △T=Kx△V (2) T=T;+△T. (3) 式中： T 器件的结温， Ti一测量开始前器佳结藻 注：T一般为被测器件加电前的环境温度。
测量过程中的电流电压波形贝图2。
MINISTI VH VFi VF AV t=H 3 图2 测量结温的电流电压波形图 2
SJ/T 2658.14-2016 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 SJ/T2658.14-2016 米 中国电子技术标准化研究院编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612传真：（010） 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址： * 开本：880×12301/16印张： 1 字数：12千字 12 2016年6月第一版2016年6月第一次印刷 印数：200册定价：20元 不得 ：（010）...
