ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30869—2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化 测试方法 Test method for thickness and total thickness variation of silicon wafers for solar cell 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30869—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、有研半导体材料股份有限公司、乐山新 天源太阳能科技有限公司、青洋电子材料有限公司. 本标准主要起草人：何紫军、冯地直、程宇、黎阳、陈琳、荆旭华、刘卓. I GB/T30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化 测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法. 本标准适用于符合GB/T26071、GB/T29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立 式测量方法适用于接触式及非接触式测量，扫描式测量方法只适用于非接触式测量.在测量仪器准许 的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T26071太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055太阳电池用多晶硅片 3方法提要 3.1分立点式测量 在硅片对角线交点和对角线上距两边15mm的4个对称位置点测量硅片厚度（见图1）.硅片中 心点厚度作为硅片的标称厚度.5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作硅片的总厚度 变化. 3 15 mm 2 15 mm 图1分立点式测量的测量点位置 3.2扫描式测量 硅片置于平台上，在硅片中心点进行厚度测量，测量值为硅片的标称厚度，然后从a点开始按1~7 1 ...
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