ICS29.045 H80 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T32279-2015 硅片订货单格式输入规范 Specification for order entry format of silicon wafers 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32279—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限 公司、南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、江苏协鑫硅材 料科技发展有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所. 本标准主要起草人：朱兴萍、楼春兰、戴文仙、毛卫中、赵纪平、王飞尧、马林宝、孙燕、李慎重、 林清香、杨素心、邹剑秋. I GB/T32279-2015 硅片订货单格式输入规范 1范围 本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用. 本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电 池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14139硅外延片 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T26071太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T29055 太阳电池用多晶硅片 ...
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