正确理解IGBT模块规格书参数 本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参 数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书， 为器件选型提供依据.本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3为 例. 一、电流参数 1.额定电流(IC nom) Kollektor-Dauergleichstrom Tc=80'C.T=150C 450 A DC-collector current Tc-25C.T-150*C lc 605 A 大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部 是3个150A芯片并联，所以标称值为450A 额定电流可以用以下公式估算： Tjmax--TC=VCEsatIC nomRthJC VCEsat是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom287)/310 Tjmax=150℃，TC=80C RthJC=0.055K/W 计算得：IC nom=500A 2.脉冲电流(Icrm和Irbsoa) Perniodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1ms ICRM 900 A Icrm是可重复的开通脉冲电流(1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况) Irbsoa是IGBT可以关断的最大电流 模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值 Irbsoa Icrm 1050 90 750 600 450 300 150 Ic.Modul --- Ic.Chip 0 0 20040060080010001200140016001800 VCE V] 3.短路电流ISC 短路条件：t<10us VgeRgnom(规格书中的值)，Tj<125℃ Kurzschlussverhalten Vae s 15 V.Vec =1000 V SC data L.cE 'diidt tes 10 us.Tv=125C Isc 1800 短路坚固性 OIGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC OIGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC 二、电压参数 1.集电极-发射极阻断电压Vces Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tv=25'C VcEs 1700 V 测量Vces时，G/E两极必须短路 VcEs为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一 数值，否则将造成去器件击穿损坏 Vces和短路电流ISC一起构成了IGBT模块的安全工作区：RBSOA图 1U5U 芯片能达到电压 900 750 模块能达到电压 600 450 300 150 Ic.Modul Ic.Chip 0 020040060080010001200140016001800 VCE [V] 由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin在动态情况下，模块耐压和芯片耐压有所 区别 2.饱和压降VCEsat ...
正确理解 IGB/T 模块规格书参数.pdf
