GB/T 42895-2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法.pdf

ICS 31.200 CCS L59 中华人民共和国国家标准 GB/T42895-2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMIS微结构弯曲强度试验方法 Micro-electromechanical systems(MEMS)technology-Bending strength test methodformicrostructuresofsiliconbasedMEMS 2023-08-06发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
GB/T 42895-2023 目 決次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4试验要求 4.1原位片上弯曲强度试验机的设计要求 4.2 原位片上弯曲强度试验机的制备要求 4.3试验环境要求 5试验方法 5.1概述 5.2微结构弯曲强度试验过程 5.3微结构弯曲强度试验结果计算 附录A（规范性）测试装置和测试结构设计尺寸
GB/T42895-2023 前言 起草。

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本文件由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。

本文件起草单位：北京大学、中机生产力促进中心有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京燕东 微电子科技有限公司、无锡韦感半导体有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、南京飞恩微电子有限 公司、广州奥松电子股份有限公司、上海临港新片区跨境数据科技有限公司。

本文件主要起草人：张大成、杨芳、李根梓、顾枫、刘鹏、高程武、于志恒、王旭峰、李凤阳、华璇卿、 陈艺、刘若冰、张彦秀、万蔡辛、武斌、曹万、张宾、张启心。

GB/T 42895-2023 微机电系统（MEMS)技术 硅基MEMIS微结构弯曲强度试验方法 1范围 本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位试验的要求和试验方法。

本文件适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试。

2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。

其中，注日期的引用文 本文件。

GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 GB/T34558金属基复合材料术语 3术语和定义 GB/T26111和GB/T34558界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1 等强度梁beamofconstant strength 各横截面上的最大正应力都相等的梁。

3.2 硅加工工艺silicon process 硅微加工技术。

注：虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。

[来源：GB/T26111-2010,3.5.2] 3.3 弯曲强度bending strength 试样在弯曲断裂前所承受的最大正应力。

[来源：GB/T34558-2017,3.6.1.5] 3.4 原位片上弯曲强度试验机in situ on-chipbending strength tester 由测试结构和测试装置组成，并将二者集成在同一晶圆上采用同一硅加工工艺流程加工形成的用 于评估工艺相关微结构弯曲强度的试验机。

3.4.1 测试结构testing structure 为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微结构。

注：例如，悬臂梁或者固定梁。

GB/T 42895-2023 [来源：GB/T26111-2010，3.7.19，有修改] 3.4.2 测试装置testing device 将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的结构。

4试验要求 4.1原位片上弯曲强度试验机的设计要求 原位片上弯曲强度试验机结构如图1所示，其中测试结构三视图如图2所示，测试结构设计示意如 图3所示。

10 标引序号说明： 1--键合锚点； 7--防撞块； 2等强度梁； 8 驱动加载点； 3-加载段； 9 放大杠杆； 4--片上针尖； 10-形变量标尺； 5弹性梁； 11-位移量标尺。

6 -可动框架； 测试结构（序号1、2、3）。

测试装置（序号4~11）。

图1微结构弯曲强度试验原位片上试验机示意图 2...