ICS31.260 CCS L53 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11818.1—2022 半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法 Semiconductor ultraviolet emitting diodes-Part 1:Measuring methods 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDAROO SJ/T11818.1—2022 目次 前言 I 引言 .....II 1范围. ..1 2规范性引用文件.. .1 3术语和定义 1 4测试条件， 2 4.1一般要求. 2 4.2测试场所. 2 4.3环境条件.. 2 4.4管壳温度.. 2 4.5工作姿态. .... 2 4.6预热稳定. 2 4.7操作要求.. 3 5测试仪器.. 3 5.1供电电源. . 3 5.2电学测试仪器. 3 5.3积分球-光谱仪系统 3 5.4测角仪-紫外探头-光谱仪系统 4 6测试步骤. 5 6.1一般要求 .. ... 5 6.2辐射照度 5 6.3辐射强度、辐射强度分布和半强度角 6 6.4辐射通量和辐射效率. 6 6.5峰值波长、中心波长和光谱半宽 .7 7报告结果. ....8 7.1一般要求. 8 7.2一般信息.. .8 7.3被测器件信息. 8 7.4测试流程信息.. .9 7.5数据信息. ..9 8安全防护. ..9 参考文献. 10 SJ/T11818.1-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 本文件是SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》的第1部分. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院(CESI)归口. 本文件起草单位：广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团 股份有限公司、三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、广东省半导体产业技术研究院、 TCL半导体光源研究院、广东省中山屯计重监督检测所、中国科学院半导体研究所、北京集创北 方科技股份有限公司、福鸿博光电科接有限公司、东卫北大学：大连工业大学光子学研究所、广州 市鸿利秉一光电科技有限公、厦门市产品质量监督检验院、 北家国联众半导体科技有限公司、杭州 通尚光电有限公司、佛市国星光电股份有限公司、杭州浙大三色器有限公司、 本文件主要起草人 雄、周钢、刘秀娟、吕天刚、时军鹏胡华、 樊磊、陈志涛、刘宁炀、 彭振坚、洪震 孙雪娇、刘硕、张云翠、吴乾、葛莉荭、张志园虞建栋 袁毅凯、麦家儿、颜 爱军、许子愉 SJ STANDARDS ...
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