ICS17.220 CCS L85 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11820—2022 半导体分立器件直流参数测试设备 技术要求和测量方法 Technology requirements and test methods for discrete semiconductor DC parameters test instruments 2022-10-20发布 2023-01-01实施 a 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ X SJ/T11820-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国电子测量仪器标准化技术委员会提出并归口. 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、深圳市施罗德工业集团有限公司. FORMAIION TECHNO 本文件主要起草人：刘冲、李洁、张珊、胡鹏 、宋有聚. SJ STANDARDSI I SJ/T11820—2022 半导体分立器件直流参数测试设备 技术要求和测量方法 1范围 本标准规定了半导体分立器件直流参数测试设备（以下简称“分立器件测试设备”）的术语和定义、 技术要求、测量方法. 本标准适用于直流电压输出和直流电压 量范圃不超过0.01V~5000V 直流电流输出和直流电 流测量范围不超过1nA~10A 脉冲流 围不超过10A~1200A的分立器件测 试设备. 2规范性引用文件 USTRY 本文件没有规性引用文 3术语和定义 工 下列术语定义适用于文件 3.1 RMATION TECHA 直流参数DO parameters 在规定条件下表征半导体分立器件直流或脉冲电气特性的参数 注：二极管流参数：击穿出、反向直流电流、正向流电压、稳定电压， 双极品体管直流参数：集电极基极电生发射极基极学电压集电极发射极击电压、集电极基极截止 电流、级发射极截止电发魅极基极止电流共发射极正向电流传输比的静值、集电极发射极饱和 电压、基机发极饱和电压. 场效应晶体直流参数：棚一源阀值电压、漏极电流、静态一源通态电阻、 态电压、漏一源击穿电 压、一源路时的漏极电流、漏一源短路时栅极截止电流. 绝缘栅极品管直流参数：集电极一发射极击穿电压、发射极一集电极击电压鞭电极一发射极饱和电压、 栅极阅电压、零栅压时集电极电流、栅极一发射极漏电流、正向跨导. 4技术要求 4.1外观要求 STANDARDS 分立器件测试设备外表不应有划伤 分立器件测试设备外露件不能有影响工作性能的机械损害或脱落. 分立器件测试设备面板不应有影响读数的缺陷，机壳或铭牌上应标有产品名称、型号规则、出厂编 号、生产厂家或商标标志. 分立器件测试设备开关、按键应灵活可靠，接插件接触应保持良好. 分立器件测试设备高压和大电流端应有明显标志. 分立器件测试设备供电电源标志应正确无误. 4.2功能要求 4.2.1输出功能 分立器件测试设备输出功能应包括直流电压输出、直流电流输出、脉冲电流输出等的一种或多种. 4.2.2测量功能 1 ...
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