CCSH17 ICS 77.040
GB 中华人民共和国国家标准 GB/T1558-2023 代替GB/T1558-2009
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
Testmethodforsubstitutionalcarbon contentinsiliconbyinfrared absorption
2023-12-28发布2024-07-01实施 国家市场监督管理总局发布 国家标准化管理委员会
GB/T1558-2023
前言
起草。
本文件代替GB/T1558一2009《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。
与GB/T1558一2009 相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a）更改了范围（见第1章,2009年版的第1章)； b)更改了术语和定义（见第3章，2009年版的第3章）； c)更改了方法原理（见第4章，2009年版的第4章）； (P更改了干扰因素内容（见5.2、5.3、5.4、5.6，2009年版的5.2、5.3、5.4、5.6），新增了干扰因素内 容（见5.8、5.9、5.10、5.11、5.12、5.13）； e）增加了试验条件（见第6章）； f）更改了仪器设备要求（见7.2，2009年版的6.2），删除了“窗口材料”和“温度计”的要求（见2009年 版的6.4、6.5)； g)更改了样品（见第8章，2009年版的第7章）； h)更改了试验步骤（见第9章，2009年版的第8章）； i)更改了精密度（见第11章，2009年版的第10章）； j）更改了试验报告（见第12章，2009年版的第11章）； k）增加了附录A（见附录A）。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、青海芯测科技有限公司、天津中环领先 材料技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有 限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、中国计量科学研究院、有色金属技术经济研究院有限责任公司、开 化县检验检测研究院、四川永祥新能源有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新疆新特新能材料检 测中心有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江 众晶电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司、湖南三安半导体有限责任公司。
本文件主要起草人：李静、何烜坤、刘立娜、李素青、索开南、马春喜、薛心禄、张雪囡、张海英、孙哲、 王彦君、沈益军、赵跃、王军锋、李兰兰、邹剑秋、徐顺波、李寿琴、张宝顺、刘国霞、徐岩、李明达、陆勇、 皮坤林、杜伟华。
本文件于1979年首次发布，1997年第一次修订，2009年第二次修订，本次为第三次修订。
SZIC
I
GB/T1558-2023
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
1范围
本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3Ωcm的p型硅单晶片及电阻率大于1Ωcm的n型硅单晶片中代 位碳原子含量的测试（室温下测试范围：5×10cm-?至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80K时测 试范围:不小于5×1014cm-3）。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文
本文件。
GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T8322分子吸收光谱法术语 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T 35306硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法
3术语和定义
GB/T14264和GB/T8322界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 背景光谱backgroundspectrum 在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测试获得的谱线。
注：通常包括氮气、空气等信息。
3.2 基线baseline 从测试图谱中碳峰的两侧最小吸光度处作出的切线。
3.3 基线吸收baselineabsorbance 与计算吸收峰高度的碳峰相对应波数处的基线值。
3.4 参比光谱referencespectrum 参比样品的光谱。
注：在用双光束光谱仪测试时，将参比样品置于样品光路，参比光路空着时获得；在用傅立叶变换红外光谱仪及单 光束光谱仪时，用参比样品的光谱扣除背景光谱后获得。
3.5 样品光谱sample spectrum 测试样品的光谱。
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