2022年中国功率半导体 (IGBT) 行业研究： 新能源汽车充电桩双轮驱动，拉动IGBT需求扶摇直上
企业标签：斯达半导、士兰微、时代电气、华润微、新洁能、扬杰科技、宏微科技、华微电子、东微半导、派瑞股份
行研赋能产业创新发展
2022Semiconductor Industry Research2022年半導体産業查
主笔人：宋鹏
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研究目的
本报告为半导体系列篇，将对IGBT的类别、器件选代、中国厂商现状、中外厂商对比，应用领域详解以及对中国IGBT新增市场规模做出预测
此研究将会回答的关键问题：
研究区域范围：中国研究周期：2022年研究对象：中国IGBT厂商
①IGBT行业特性②中国IGBT技术对比③中国IGBT部分领域规模预测
研究 范畴
IGBT作为一种新型电力电子器件，是工业控制及自动化领域核心元器件，可根据工业装置中信号指令来调节电路中电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控目的，因此被称为电力电子行业里的“CPU".
核心 价值
IGBT（Insulated GateBipolar）绝缘栅双极型晶体管，由金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）组成，IGBT综合了以上两种器件优点，驱动功率小而饱和压降低.
市场 规模
全球IGBT市场规模有望突破80亿美元.根据Yole数据，全球IGBT市场有望于2026年达84亿美元，其中工业应用与家电占比最大，合计51.19%，电动汽车与充电桩增速最快，2020-2026年CAGR超20%.
英飞凌稳居IGBT榜首，中国厂商市占率合计低于10%.英飞凌多年稳居IGBT各细分类别榜首地位，2020年其IGBT各领域全球市场率超过30%中国龙头斯达半导体、士兰微等进入全球前十，市占率合计不及10%.
竞争 格局
IGBT工艺与设计难度形成较高行业壁垒.自80年代初至今，IGBT芯片技术处于技术更新选代阶段，但实现技术的突破对工艺有较高要求，如薄片减薄后极易破碎，背面退火激活难等，皆导致IGBT选代速度慢.历经七代，IGBT功率密度与开关频率逐代提高，导通压降下降，开关损耗降低，芯片尺寸更小.
趋势 洞察
目录
名词解释
定义：IGBT=MOSFET BJT 08属性：全控型电压驱动式功率半导体器件 09技术演进：更高、更快、更强、体积更小 10分类：IGBT模块价值量最大，市占率超50% 12对比：IGBT攻守兼备，性价比之王实至名归 13政策：政府全产业链政策支持面对美国恶意竞争 14
上游：基础资源提供商，国产替代率有待提升中游：国外占据主要市场份额，斯达、士兰微进入全球前十下游：新能源汽车将成为未来中国IGBT发展最大推力
规模：全球IGBT市场规模有望突破B0亿美元 20全球市占率：英飞凌稳居IGBT榜首，中国厂商合计低于10% 21中国竞争格局：强者更强，时代电气营收拔得头筹 22中国厂商明细：产品多元化，斯达半导IGBT技术达第七代 23
供需状态：本土厂商供给率不足20%，交期超39周，价格稳定 30中国产量：等效8寸IGBT芯片年产突破340万片 31需求（1/4）：新能源汽车IGBT新增规模有望突破200亿元 32需求（2/4）：中国充电桩IGBT新增市场规模有望达240亿元 33需求（3/4）：光伏IGBT新增市场规模有望突破66亿元 34需求（4/4）：轨道交通IGBT累计新增规模有望超130亿 35
目录
相关标的36时代电气：轨交领域领导者，IGBT有望成为第二增长曲线 37士兰微：IDM模式系产能保证，平台型功率龙头维形初现 38斯达半导：聚焦IGBT，新能源汽车光伏系主要增长领域 39方法论 44法律声明 45
■名词解释
芯片：微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分.$ 半导体分立器件：半导体品体二极管、半导体三极管及半导体特殊器件.$ 封装测试：把初步生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，引出管脚后将其固定 包装成为一个整体，然后检验元件的结构和电气功能，以保证半导体元件符合系统的需求的过程.IGBT：InsulatedGate BipolarTransistor的缩写，绝缘栅双极型晶体管，由双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，是半导体器 件的一种.$ BJT：BipolarJunctionTransistor，双极结型晶体管，是一种电流控制的半导体分立器件.MOSFET：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，指金属氧化物场效应品体管，是一种高频的半导体器件.IPM：IntelligentPowerModule，智能功率模块，一种将功率开关器件和驱动电路等集成在一起的半导体模块，智能功率模块，一种将功率开关器. VDMOS：VerticalDouble-diffused MOSFET，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，MOSFET的一种.SCR：Silicon Controlled Rectifier，可控硅整流器.GTO：GateTurn-OffThyristor，可关断品闸管，品闸管的一种.GTR：GiantTransistor，巨型品体管，一种双极型大功率高反压晶体管.导通压降：三极管和二极管导通时，两端的电压差.$ 攀住效应：一种电流失效现象.离子注入：离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中.$ 载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒.二极管：一种具有单向传导电流的电子器件.$1 快恢复二极管（FRD）：一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管.三极管：品体三极管，半导体基本元器件之一.电磁兼容性：设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力.
