中华人民共和国国家标准
GB/T 18802.341--2007/IEC 61643-341:2001
低压电涌保护器元件 第341部分：电涌抑制晶闸管（TSS）规范
Components for low-voltage surge protective devicesPart 341:Specification for thyristor surge suppressors (TSS)
(IEC61643-341:2001 IDT)
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
目 次
前言.1范围.2规范性引用文件3术语、符号和定义. 3.1参数的术语、符号和定义3.2TSS、端（子）和特性名词的术语和定义 24基本功能和器件的说明 114.1TSS的类型 114.2器件基本结构. 4.3器件等效电路 134.4开关象限特性. 14 154.5TSS的性能判据 155标准测试方法 4.6其他TSS结构类型 165.1测试条件. 195.2工作条件 19 205.3失效和故障模式 205.4额定值试验程序 21附录A（规范性附录） 5.5特性测量程序 异常工作条件 26 44A.1环境条件 44A.2机械条件 44A.3混合因素 附录B（资料性附录） 基准脉冲波形的美国认证标准 44B.1中央办公室设备验证 45 45B.2用户设备验收 45B.3试验波形 45
前言
《低压电涵保护器（SPD）》系列标准的结构及名称预计如下：
低压配电系统用电涌保护器（SPD）第1部分：性能要求和试验方法（GB18802.1：2002/IEC 61643-1;1998);（） 一低压电涌保护器第21部分：电信和信号网络用低压电涌保护器（SPD）性能要求和试验方法(GB/T 18802. 21:2004/IEC 61643-21:2000);一低压电酒保护器第22部分：电信和信号网络用低压电涌保护器（SPD）选择和使用导则：低压电涌保护器元件第311部分：气体放电管（GDT）规范；低压电涌保护器元件第331部分：压敏电阻（MOV）规范； 低压电涌保护器元件第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范：低压电涌保护器元件第341部分：电涌抑制品闸管（TSS）规范.
本部分为电涌抑制晶闸管（TSS）规范，等同采用IEC61643-341：2001（低压电涌保护器元件电涵抑制晶需管（TSS）范）（英文版）.在技术内容上等同上述IEC标准，编写规则符合GB/T1.1的要求.
本部分做了以下编辑性修改：
b）删除国际标准的前言.
本部分的附录A是规范性附录，附录B是资料性附录.
本部分由中国电器工业协会提出.
第341部分：电涌抑制晶闸管（TSS）规范 低压电涌保护器元件
1范围
本部分适用于以错制和保护的方式限制过电压和分流电涌电流面设计的电涌抑制晶闸管（TSS），特别适用于电信网络的电涌保护器件.
本部分包含的内容：
一术语、文字符号和定义：一基本功能、形状和元器件结构； 工作条件和失效模式：--额定值验证和特性模式测量.
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分引用而成为本部分的条款，凡是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分.
GB/T4023-1997半导体分立器件和集成电路第2部分：整流二极管（egvIEC60747-2：1983)
60721-3-9 1993) GB/T4798.9电工电子产品应用环境条件产品内部的微气候（GB/T4798.9-1997，idtIEC
GB/T14733.3电信术语可靠性、可维护性和业务质量（GB/T14733.3-1993，eqvIEC60050：1990)
GB/T15291-1994半导体器件第6部分：品闸管（eqvIEC60747-6:1983）
注：TSS同GB/T15921-1994描述的晶用管的性能和应用有本质的不同，这些不同需要修改一些特性的措述和 引人一些新术语，这些变化和增加的内容在第3章中给出.
GB/T16896.1-1997高电压冲击试验用数字记录仪第一部分：对数字记录仪的要求（eqvIEC61083-1;1991)
GB/T17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（idtIEC60747-1；1983）
GB/T17626.5-1999电磁兼容试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验（idtIEC61000-4-5：1995)
IEC60050（702）电信术语振荡、信号和相关器件
IEC60099-4交流无间际金属氧化物避雷器
IEC60721-3-3环境条件的分级第3部分环境参数及其严酷等级组的分类分级第3节：电工电子产品应用环境条件有气候防护场所固定使用
IEC60749：1996半导体器件机械和气候试验方法ITU-TK.20：1996电信交换设备对过电压和过电流的抵抗ITU-TK.28：1993保护电信设备用半导体避雷器组件特性 ITU-TK.21：1996用户端对过电压和过电流的抵抗
3术语、符号和定义
下列术语、文字符号和定义适用于本部分.
GB/T 18802.341-2007/IEC 61643-341;2001
3.1参数的术语、符号和定义
这里所采用的术语、文字符号和定义均取自现行品闸管标准（GB/T15291-1994）和整流二极管标准(GB/T 4023-1997).
3.1.1主端额定值Main terminalratings列出的额定值包括阻断、导通和开关象限的合适要求.
3. 1. 1. 1V 断态重复峰值电压repetitive peakoff-state voltage断态时可施加的包含直流和重复性电压分量的额定最高（峰值）瞬时电压.
3.1. 1.2通态重复峰值电流repetitive peakon-state current1可连续施加规定电流波形和频率的额定最大（峰值）通态交流工频电流.
3. 1. 1. 3通态不重复峰值电流non-repetitive peakon-state currentI在规定的时间或交流周波数时，可施加规定波形和频率的额定最大（峰值）通态交流工频电涵电流.
不重复峰值冲击电流non-repetitive peakimpulse current
注：该额定值有儿种符号表示，这些符号的意义如下： Iar技术上正确.为In的不重复（S）最大值或峰值（M）.Ins对于短时冲击，该符号技术上不正确.因为器件处于通态（T）时，不可能出现不重复（S）电流最大值（M）.Im不鼓励使用该符号来表示不重复值，该符号表示In的额定重复最大（M）值.I不鼓励使用该符号表示额定值，术语峰值冲击电流是一种电路参数，并被定义为一系列基本相同的峰值 净击电
V 在反向阻断方向可施加的，包含直流的和重复性的电压分量的额定最高（峰值）瞬时电压.
在规定的时间或交流周波数时，可施加的规定波形和率的额定最大（峰值）交流工题正向电涌电流.
3. 1. 1. 7
