GB/T 26071-2026 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片.pdf

半导体,标准化,电阻率,硅单晶,硅片,推荐性国家标准
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中华人民共和国国家标准

GB/T26071-2026代替 GB/T 25076-2018 GB/T 26071-2018

太阳能电池用硅单晶及硅单晶片

Monocrystalline silicon and wafers for solar cells

国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
SAC

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.

单晶3,本文件以GB/T26071-2018为主,整合了GB/T25076-2018的内容,除结构调整和编辑性改 本文件代替GB/T26071-2018《太阳能电池用硅单晶片》和GB/T25076-2018太阳能电池用硅动外,主要技术变化如下:

a)更改了适用范围(见第1章,2018年版的第1章):b)删除了准方形硅片产品尺寸100.75mm、125.75mm、156 I、156Il、156 IⅢl、161.75mm210.75mm和方形硅片产品尺寸100.75mm、125.75mm、156.75mm、210.75mm”(见 2018年版的4.2.2);c)增加了准方形硅片产品尺寸“166.00mm、182.00mm”、方形硅片产品尺寸“182.00mm、210.00mm”和矩形硅片产品尺寸(见4.2.2);d)删除了电学性能中晶向的要求(见2018年版的5.3),增加了掺杂剂的要求(见5.1);e)增加了间隙氧含量要求(见5.3.1): f)增加了代位碳含量要求(见5.3.2):g)增加了晶体完整性要求(见5.4);h)删除了硅片晶体完整性,氧含量和碳含量的要求(见2018年版的5.1);i)更改了儿何参数要求(见5.5,2018年版的5.2.1):j)更改了垂直度要求(见5.6,2018年版的5.6); k)更改了准方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.1 2018年版的5.2.2);1)更改了方形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.2 2018年版的5.2.3);m)增加了矩形硅单晶端面及硅片外形尺寸的要求(见5.7.3);n)增加了间隙氧含量的试验方法(见6.6); 0)增加了代位碳含量的试验方法(见6.7):p)增加了晶体完整性的试验方法(见6.8):q)更改了取样要求(见第7章,2018年版的7.4);r)更改了检验结果的判定要求(见7.5,2018年版的7.5);8)更改了标志要求(见8.1,2018年版的8.1).

请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口.

股份有限公司、品澳太阳能科技股份有限公司、双良硅材料(包头)有限公司、有色金属技术经济研究院 本文件起草单位:TCL中环新能源科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、青岛高测科技有限责任公司、高景太阳能股份有限公司、四川永祥股份有限公司、宁夏环欧新能源技术有限公司.

本文件主要起草人:张雪因、李建弘、刘梓暄、邢旭、秦潇、王新社、于林鑫、张存江、贺东江、乔乐、赵存风、黄仕建、李素青、韩庆解.

《太阳能电池用硅单晶>的内容(GB/T25076-2018的历次版本发布情况为:GB/T25076-2010). 本文件于2010年首次发布,2018年第一次修订,本次为第二次修订,并入了GB/T25076一2018
onc

太阳能电池用硅单晶及硅单晶片

1范围

本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片")的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法.

本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片.

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件:不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件.

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳含量的红外吸收测试方法计划 GB/T6616半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T30859太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法GB/T30860太阳能电池用硅片表面租糙度及切荆线痕测试方法GB/T42907硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试非接触涡流感应法 SJ/T11630太阳能电池用硅片儿何尺寸测试方法YS/T28硅片包装和标志

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件.

3.1

准方形硅单晶片pseudo square mononcrystalline silicon wafer

相邻两条边长相等,倒角为滚圆加工弧形形状,且倒角在边长方向上的投影尺寸不小于5.0mm的硅片.

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