中华人民共和国国家标准
GB/T11068-2006代替GB/T 11068-1989
Gallium arsenide epitaxial layer-Determination ofcarrierconcentration voltage-capacitance method
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布
前言
原标准基础上，参考DIN50439（电容-电压法和汞探针测定半导体单晶材料掺杂剂的浓度剖面分布》编 本标准是对GB/T11068-1989（砷化外延层载流子浓度电容-电压测量方法）的修订.本标准在制的.
本标准与原标准相比主要变动如下：
原标准规定，在制作高阻衬底样品的欧娜电极时，要在氮气保护及400C下合金化5min，面经350C~400C及氮气保护下，合金化5min~10min； 验表明，在350C～450C的温度下合金化，都可得到好的欧娜接触电极，故将此项要求改为在
一取消了原标准对环境的要求，因为在通常的实验室条件下，所用仪器和测试方法本身对环境温度和湿度并不十分敏感，特别是成套仪器.但由于载流子浓度与温度有关，故应在测量报告中标明测量时的环境温度；
GB/T 11068-1989.
砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
1范围
本标准规定了砷化外延层载流子浓度电容-电压测量方法，适用于砷化外延层基体材料中载流子浓度的测量.测量范围：1×10²cm~5×10²cm.
2术语和定义
下列术语和定文适用于本标准.
2.1
击穿电压breakdown voltage
当反向偏压增加到某一值时，肖特基结就失去阻挡作用，反向电流迅速增大时的电压值.
接触面积contact area
汞探针与试样表面的有效接触面积.
2.3
半导体内垂直于接触面的空间电荷区的电容.
2.4
势垒宽度barrierwidth
起势垒作用的空间电荷区的线性宽度.
2. 5
载流子浓度纵向分布longitudinal distribution ofcarrier concentration
自半导体表面向体内垂直方向上载流子浓度与深度的对应关系.
3原理
汞探针与砷化表面接触形成肖特基势垒，当反向偏压增大时，势垒区向砷化内部扩展.用高频小讯号测量某一反向偏压下的势垒电容C（F）及由反向偏压增量△V（V）引起的势垒电容增量△C（F），根据公式（1）和公式（2）可计算出势垒扩展深度（X）和其相应的载流子浓度N（X）.
..(2)
式中：
X--势垒扩展宽度，单位um；V反向偏压增量，单位V； C-势垒电容，单位F；△C势垒电容增量，单位F；N（X）载流子浓度，单位cm²；
