NB
中华人民共和国能源行业标准
NB/T11496-2024
柔性直流换流阀子模块损耗测试方法
Testmethods for power losses of sub-module in voltage sourcedconverter(VsC)valves
国家能源局 发布
目次
前言1范图2规范性引用文件.3术语和定义4总则4.2测试输入条件 4.1测试目的4.3测试环境条件 34.4测试工况条件4.5测试方法应用场合和特点5双脉冲法损耗测试5.1测试环境 5.2测试要求5.3测试方法5.4测试程序5.5测试结果校核6电测法损耗测试6.1测试环境6.2测试要求 6.3测试方法6.4测试程序6.5测试结果校核 87量热法损耗测试 87.1测试环境 87.2测试要求 7.3测试方法7.4测试程序 -9 67.5测试结果校核8平衡量热法损耗测试 108.1测试环境 108.2测试要求8.3测试方法 8.4测试程序8.5测试结果校核 139子模块损耗测量结果评估 13
NB/T 11496-2024
附录A（资料性）柔性直流换流阀子模块附录B（规范性）子模块损耗测量输入条件和不同测量方法的适用场景 16附录C（资料性）双脉冲试验原理 18附录D（资料性）电测法试验平台示例 20附录E（资料性）损耗测量结果表格 21
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由中国电器工业协会提出.
本文件由全国高压直流输电设备标准化技术委员会（SAC/TC333）归口.
本文件起草单位：南方电网科学研究院有限责任公司、西安西电电力系统有限公司、西安高压电器研究院股份有限公司、广州南网科研技术有限责任公司、国网经济技术研究院有限公司、荣信汇科电气股份有限公司、南京南瑞继保电气有限公司、国网浙江省电力有限公司电力科学研究院、许继电气股份有限公司、国家电网有限公司特高压建设分公司、国网智能电网研究院有限公司、北京四方继保自动化 股份有限公司、特变电工西安柔性输配电有限公司、国网浙江省电力有限公司舟山供电公司、清华大学、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司、广东电网有限责任公司电力科学研究院、贵州电网有限责任公司电力科学研究院、华北电力大学、国网江西省电力有限公司南昌市供电分公司、广东电网有限责任公司珠海供电局.
杨晓辉、周月宾、姜田贵、胡治龙、 本文件主要起草人：熊岩、袁智勇、陈荷、姬煜、许钒、杨勇、余琼、周会高、傅阀、许树楷、 韩坤、尤少华、张建平、 黄超、张效宇、王昕、魏伟、李探、邓卫华、谢文杰、周竞宇、刘黎、张俊峰、自睿航、张腾、丁赛、谭令其、许建中、班国邦、熊铜林、装星宇、程旭.
本文件为首次发布.
柔性直流换流阀子模块损耗测试方法
1范围
本文件规定了柔性直流换流阀子模块损耗测试方法的总则，双脉冲法、电测法、量热法、平衡量热法损耗测量和损耗测量结果评估等.
本文件适用于基于绝缘棚双极晶体管（IGBT）的模块化多电平换流器的柔性直流换流阀子模块，基于其他全控型半导体器件的电压源换流阀子模块也可参考本文件.
2规范性引用文件
仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 下列文件中的内容通过文中的规范性引用面构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，文件.
GB/T3048.4一2007电线电缆电性能试验方法第4部分：导体直流电阻试验GB/T29332一2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极品体管（IGBT）GB/T34118一2017高压直流系统用电压源换流器术语 GB/T34139-2017柔性直流输电换流器技术规范GB/T35702.1-2017高压直流系统用电压源换流器阀损耗第1部分：一般要求GB/T35702.2高压直流系统用电压源换流器阀损耗第2部分：模块化多电平换流器GB/T37010-2018柔性直流输电换流阀技术规范
3术语和定义
GB/T34118-2017、GB/T34139-2017、GB/T37010-2018界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
3.1每个电压源换流器阀由若干模块化多电平换流器标准组件串联组成的多电平换流器. 模块化多电平换流器modularmulti-levelconverter；MMC[来源：GB/T34118-2017，6.4]
3.2子模块sub-module 柔性直流换流阀的标准组件，其中每个开关单元仅由一个IGBT-二极管对组成.注1：柔性直流换流阀子模块主拓扑及主要构成元件介绍详无附录A.注2：本文件中的子模块由IGBT、二极管、直流电容、控制板和其他附件等组成.[来源：GB/T34118-2017，7.13，有修改]
3.3 IGBT-二极管对IGBT-diode pairIGBT和与其反并联的续流二极管的组合.[来源：GB/T34118-2017，7.4]
3.4 绝缘栅双极晶体管insulatedgatebipolar transistor；IGBT
具有三个端子的可关断半导体器件：一个栅极端子（G）和两个负荷端子，即发射极（E）和集电极（C）.
