中华人民共和国国家标准
GB/T29658-2013
电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
High-purity sputtering aluminium and aluminiumalloy target used in electronic film
中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布
前言
本标准由全国有色金属标准化技术委员（SAC/TC243）归口. 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草.本标准负责起草单位：有研亿金新材料股份有限公司.本标准参加起草单位：宁波江丰电子材料有限公司、新疆众和股份有限公司.本标准主要起草人：万小勇、罗俊锋、廖费、尚再艳、杨华、朱晓光、孙秀霖、何金江、熊晓东、王兴权、王学泽、钱红兵、喻洁、刘杰、洪涛、努力古、宋玉萍.
电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
1范围
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单（或合同）等内容.
本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材（以下简称铝靶）.
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本标准.
GB/T1804一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T6394金属平均晶粒度测定方法GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则GB/T15823无损检测氮泄漏检测方法GB/T20975.25铝及铝合金化学分析方法第25部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法 GJB1580A变形金属超声检验方法JB/T4734铝制焊接容器YS/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法YS/T871高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定解光放电质谱法
3要求
3.1产品分类
3.1.1按照应用领域分为：半导体布线用高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高 纯溅射靶材和太阳能电池用高纯溅射靶材.3.1.2按照结构形式分为单体和焊接两种.3.1.3按外形分为圆形、矩形和三角形等.
3.2合金成分与纯度
3.2.1根据合金材料不同，可分为纯铝靶、铝硅合金靶、铝铜合金靶、铝硅铜合金靶四种靶材.3.2.2高纯铝合金靶中合金元素含量应不超过规定成分的土10%.3.2.3铝靶合金成分及杂质元素要求应符合表1规定.
表1铝靶合金成分和对应的杂质元素
成分 AI AIS AICu AISiCuA1或A1合金含量不小于% 66′66 99 999 99 99 5 99 995 99 999 S 666*66 666°66 99 999.5]9 S 666 °66 666 °66简称 4N 5N 5N5 4N5 5N 5N5 5N 5N5 5N 5N5
表1（续）
成分 AI AISI AICu AISiCuAg 1 0 3 0. 3 1 0.3 1 0 3As Au 1 0 5 0.5 0.5 0.5 1 0.5 0.5 1 0 5B 0 5 1 0 5 0.5 0.5 0 5 1 0 5 0 5 1 0 5 0 5Ba 1 0 5 0 5 1 0. 5 1 0 5Bi 1 1 1 1 1Be 0 5 0.5 0 5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5Ca 0.2 0 2 1 0.2 1 0 2Cd 1.0 1.0 1.0 1 0Ce 1 - 1 1 1 14 0 1 4 4 4 0.1 4 4 0.1 4 4 0 1 4Cr 5 2 0 4 2 0.4 2 0.4 2 0 4Cs 1 0.5 0.5 1 0.5 1 0 5Cu 50 3 1 5 3Fe 50 3 1 5 3 3 1 3 1金属杂质 K 0.5 0.1 0.5 0.1 0.5 0.1 0.5 0.1含量不大 于10 La 0 5 0 5 0 5 0 5Me Li 30 0.5 2 0 1 1 3 0.5 2 0.1 0.5 2 0.1 1 0 5 2 0 1 1Mn 10 0.5 1 0.5 1 0.5 1 0 5Mo 1 0.2 0.2 1 0.2 1 0 2Na 0 5 0 1 0 5 0.1 0.5 0.1 0.5 0 1Ni 20 1 1 1 1 1 11 1 1 1 1 1Pb 0 3 0.5 1 0.3 1 0.3 1 0 3s 1 5 2 0.5 1 5 0.5 2 1 0 51 0.2 0.2 1 0.2 1 0 2ri 3 2 1 2 2 2 1 2 1V 0 4 0.4 1 0. 4 1 0 4Zn 5 1 0.5 1 0.5 1 0 5 1 0 5Zx 1 0 5 0.5 1 0.5 1 0 5U 0 02 0 001 0 02 0 001 0 02 0 001 0. 02 0 001Tb 0 02 0 001 0 02 0 001 0 02 0 001 0 02 0 001
表1（续）
成分 A1 AIS AICu AISiCu杂质总含量不大于10-100 10 50 10 5 10 5 10 5C H 30 1 0 5 20 30 30 0.5 20 30 0.5 20 30 0 5 20气体元素 含量不大 N 10 10 5 10 1 10 5 10 5 10 1 5于10 30 30 20 30 30 20 30 20 30 20s 10 1 10 10 10 1 10 1注1：需方对元素有特殊要求的，由供需双方协商.并在订货单（或合同）中注明.注2：铝靶的纯度为100%减去要求杂质总和的余量（不含CO、N、H.S）.
3.3晶粒尺寸
铝靶的晶粒尺寸应符合表2规定，并且晶粒分布均匀.
表2铝靶晶粒尺寸要求
品检尺寸要求合金成分 纯度 % 简称 平均值 最大值m99 999 99 99 4 ≤500 ≤1 000IV 99 999 5 5NS 5N ≤300 50099 995 4N5AISi 99 999 5NS 666*66 5N5AICu 666 °66 5N ≤150 ≤ 5NSAISICu 666 °66 5N666*66 5N5注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定、并在订货单（或合同）中注明.
3.4内部质量
铝靶内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷，由供方生产工艺保证.需方有特殊要求时按GJB 1580A 执行.
3.5焊接质量
铝靶的常规焊接方法为钎焊、扩散焊和电子束焊.钎焊、扩散焊质量应符合表3的规定，电子束焊质量应符合表4的规定.需方如有特殊要求时，应由供需双方协商确定，并在订货单（或合同）中具体注明.
