中华人民共和国国家标准
GB/T47901-2026
激光器外延芯片用砷化家衬底
Gallium arsenide substrates for laser epitaxial chips
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口.
限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、山东华光光电子股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、厦门银科启瑞半导体科技有限公司、广东晶智光电科技有限公司、桂林光隆科技集团股份有限公司.
本文件主要起草人：王金灵、周铁军、刘留、单智发、吴春龙、惠峰、孙聂枫、马金峰、吴德华、刘强、王玉、狄聚青、陈春明、郑兆河.
激光器外延芯片用砷化家衬底
1范围
本文件规定了激光器外延芯片用砷化嫁衬底的分类和牌号，技术要求，试验方法检验规则，标志和
随行文件，包装、运输和贮存，以及订货单内容.
检验与质量评价.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
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计划
GB/T4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T6619硅片弯曲度测试方法GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T6621硅片表面平整度测试方法GB/T8760神化单晶位错密度的测试方法GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14140半导体晶片直径测试方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材料牌号表示方法GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件.
4分类和牌号
4.1分类
4.1.1衬底片按导电类别分为：n型衬底片、p型衬底片和半绝缘型衬底片三类.
