L 11 ICS 31.060.20
GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 6346.1101-2015/IEC60384-11-1:2008代替GB/T6347-1986
电子设备用固定电容器 第11-1部分：空白详细规范 金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜 介质直流固定电容器评定水平EZ Fixed capacitors for use in electronic equipment-Part 11-1:Blank detail specification-Fixed polyethylene-terephthalate film dielectric metal foil d.c. capacitors-AssessmentlevelEZ (IEC 60384-11-1:2008,IDT)
2015-07-03发布2016-03-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T 6346.1101-2015/IEC60384-11-1:2008
前言
《电子设备用固定电容器》已经或计划发布的国家标准如下： --第1部分：总规范(GB/T2693-2001/IEC60384-1：1999)； 第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T7332一2011/ IEC 60384-2:2005); 一第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZ(GB/T 7333-2012/IEC 60384-2-1:2005)； 一第3部分：分规范表面安装MnO2固体电解质钮固定电容器（GB/T6346.3-2015/ IEC 60384-3:2006); 一第3-1部分：空白详细规范表面安装MnO2固体电解质钮固定电容器评定水平EZ (GB/T 6346.301-2015/IEC 60384-3-1:2006); -第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电容器（GB/T5993-2003/IEC60384-4：1998)； --第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电容器评定水平E（GB/T5994-2003/ IEC 60384-4-1:2000)； -第6部分：分规范金属化聚碳酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T14004-1992/IEC60384-6： 1987);
(GB/T 14005-1992/IEC 60384-6-1:1987); --第7部分：分规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器（GB/T10185一2012)； 第7-1部分：空白详细规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器评定水平E (GB/T10186-2012)； 第8部分：分规范1类瓷介固定电容器（GB/T5966--2011/IEC60384-8：2005）； IEC 60384-8-1:2005); -第9部分：分规范2类瓷介固定电容器(GB/T5968-2011/IEC60384-9：2005)； -一第9-1部分：空白详细规范2类瓷介固定电容器评定水平EZ（GB/T5969一2012/ IEC 60384-9-1:2005);
(GB/T 6346.11-2015/IEC 60384-11:2008); 一第11-1部分：空白详细规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ(GB/T6346.1101-2015/IEC60384-11-1：2008)； -第13部分：分规范金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器（GB/T10188-2013/ IEC 60384-13:2006); 第13-1部分：空白详细规范金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ (GB/T 10189-2013/IEC 60384-13-1:2006); 第14部分：分规范抑制电源电磁干扰用固定电容器（GB/T6346.14-2015/IEC60384-14： 2005); -第14-1部分：空白详细规范抑制电源电磁干扰用固定电容器评定水平D（GB/T6346.1401一 2015/IEC 60384-14-1;2005);
I
GB/T 6346.1101-2015/IEC 60384-11-1:2008 一第15部分：分规范非固体或固体电解质钮电容器（GB/T7213-2003/IEC60384-15：1982， 第1号修改单：1987，第2号修改单：1992)； -第15-1部分：空白详细规范非固体电解质箔电极钮电容器评定水平E(GB/T12794- 1991/IEC 60384-15-1;1984)； 一第15-2部分：空白详细规范非固体电解质多孔阳极钮电容器评定水平E(GB/T12795一 1991/IEC 60384-15...

ICS31.060.20 L11 中华人民共和国国家标准 GB/T6346.11-2015/IEC60384-11:2008 代替GB/T6346一1986 电子设备用固定电容器 第11部分：分规范金属箔式聚乙烯对苯 二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 Fixed capacitors for use in electronic equipment- Part 11:Sectional specification-Fixed polyethylene-terephthalate film dielectric metal foil d.c.capacitors (IEC60384-11:2008 IDT) 2015-07-03发布 2016-03-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T6346.11-2015/IEC60384-11:2008 目 次 前言 I 1总则 1 1.1范围 1 1.2目的 1 1.3规范性引用文件 1.4详细规范中应规定内容1 1.5术语和定义 2 1.6标志 2 2优先额定值和特性 2.1优先特性 3 2.2优先额定值 3 3质量评定程序 4 3.1初始制造阶段 4 3.2结构相似元件 4 3.3放行批证明记录4 3.4鉴定批准 4 3.5质量一致性检验9 4试验和测量方法 11 4.1外观和尺寸检查 11 4.2电气试验 11 4.3引出端强度13 4.4耐焊接热 13 4.5 可焊性 13 4.6 温度快速变化 14 4.7振动 14 4.8碰撞 14 4.9冲击 14 4.10气候顺序 15 4.11 稳态湿热 16 4.12 耐久性 16 4.13元件耐溶剂（适用时） 16 4.14标志耐溶剂（适用时） 16 GB/T6346.11-2015/IEC60384-11:2008 前 言 《电子设备用固定电容器》已经或计划发布的国家标准如下： —第1部分：总规范(GB/T2693—2001/IEC60384-1:1999); —第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(GB/T7332一2011/ IEC60384-2:2005); —第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZ(GB/T7333-2012/IEC60384-2-1:2005); 一第3部分：分规范表面安装MnO2固体电解质钮固定电容器(GB/T6346.3一2015/ IEC60384-3:2006); —第3-1部分：空白详细规范表面安装MnO2固体电解质钽固定电容器评定水平EZ (GB/T6346.301-2015/IEC60384-3-1:2006); —第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电容器(GB/T5993一2003/IEC60384-4:1998); —第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电容器评定水平E(GB/T5994...

ICS33.160.01 M72 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T6278-2012 代替GB/T6278—1986 声系统设备概述 模拟节目信号 Sound system equipment-General-Simulated programme signal ::: 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T6278-2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准与IEC60268-1:1985《声系统设备第1部分：概述》中第7章模拟节目信号的内容等同. 本标准代替GB/T6278一1986《模拟节目信号》. 本标准与GB/T6278一1986相比主要变化如下： —本标准删除了GB/T6278一1986中“引言”，增加了“前言”. 一本标准增加“范围”和“规范性引用文件”. 一根据IEC60268-1:1985中第7章的内容删除了GB/T6278一1986中图2日)，即用白噪声源获 得模拟节目信号的滤波器电路图. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国音频、视频及多媒体系统与设备标准化技术委员会(SAC/TC242)归口. 本标准起草单位：南京大学声学研究所. 本标准主要起草人：沈勇. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T6278—1986. GB/T6278—2012 声系统设备概述模拟节目信号 1范围 本标准规定了模拟节目信号的信号特征. 本标准适用于各类声系统及其设备和电声器件特性的测量和标定. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仪注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件 GB/T3241-201电声学倍频程和分数倍频程滤波器 3信号特征 本模拟节目信号是未经限幅的稳态计权高斯噪声.这种信号的平均功率谱密度特性与含多种语言 和音乐节目信号的各类节目源的平均功率谱密度的平均特性很相似.当用GB/T3241一2010所规定 的1/3oct滤波器测量时，计权功率谱应符合表1和图1规定. 这种信号南以用粉红噪声通过图2所示的滤波器电路获得6 如果适合，当用窄带信号测量时，应用表1和图1所规定的各频段的相对功率级进行.（有关如何 使用这个信号尤其对放大器和扬声器的测量和表征它们的特征正在研究中) 注：应该注意，在整个频段测得的信号功率级比用1/3oct测得的零分贝功率级高约12.5dB 表1模拟节目信号的功率谱 容差极限 容差极限 频率 相对功案级 频率 相对功率级 dB dB Hz dB Hz dB 20 -13.5 3.0 3.0 125 -0.5 0.6 0.6 25 -10.2 2.0 2.0 160 -0.2 0.5 0.5 31.5 -7.4 1.0 1.0 200 -0.1 0.5 0.5 40 -5.2 1.0 1.0 250 0 0.5 0.5 50 -3.5 1.0 1.0 315 0 0.5 0.5 63 -2.3 1.0 1.0 400 0 0.5 0.5 80 -1.4 1.0 1.0 500 0 0.5 0.5 100 -0.9 0.8 0.8 630 0 0.5 0.5 1 ...

L 06 ICS 33.100
中华人民共和国国家标准 GB/T6113.203-2016/CISPR16-2-3:2010代替GB/T6113.203-2008
无线电骚扰和抗扰度测量设备和 测量方法规范 第2-3部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法 辐射骚扰测量 Specificationforradiodisturbance and immunitymeasuring apparatus andmethods Part2-3:Methods ofmeasurement of disturbances andimmunity Radiateddisturbancemeasurements (CISPR 16-2-3:2010,IDT)
2016-04-25发布2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T 6113.203-2016/CISPR 16-2-3:2010
目次
前言. 1范围. 2规范性引用文件 3术语和定义 4骚扰的类型 5测量辅助设备的连接 6测量的一般要求和条件 7辐射骚扰测量方法16 8发射的自动测量.44 附录A（资料性附录）存在环境发射时的骚扰测量49 附录B（资料性附录）频谱分析仪和扫频收机的使用要求09
63 附录D（资料性附录）APD测量法用于符合性试验的解释67 附录E（规范性附录）频谱分析仪用于符合性试验的适用性测定69 参考文献70
GB/T 6113.203-2016/CISPR 16-2-3:2010
前言
《无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范》为电磁兼容基础标准，由以下4大部分组成。

第1部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备规范： 第1-1部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备测量设备； 第1-2部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备辅助设备传导骚扰； 一第1-3部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备辅助设备骚扰功率； -第1-4部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备辐射骚扰测量用天线和试验场地； 第1-5部分：无线电骚扰和抗扰度测量设备30MHz~1000MHz天线校准用试验场地； 第1-6部分：天线校准方法。

第2部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法： -第2-1部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法传导骚扰测量； -第2-2部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法骚扰功率测量； 第2-3部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法辐射骚扰测量； 第2-4部分：无线电骚扰和抗扰度测量方法抗扰度测量； -第2-5部分：大型设备骚扰发射现场测量。

第3部分：无线电骚扰和抗扰度测量技术报告： 一第3部分：无线电骚扰和抗扰度测量技术报告。

第4部分：不确定度、统计学和限值建模： 第4-1部分：不确定度、统计学和限值建模标准化EMC试验的不确定度； 第4-2部分：不确定度、统计学和限值建模测量设备和设施的不确定度； 第4-3部分：不确定度、统计学和限值建模批量产品的EMC符合性确定的统计考虑； 第4-4部分：不确定度、统计学和限值建模抱怨的统计和限值的计算模型； 一第4-5部分：不确定度、统计学和限值建模替换试验方法的使用条件。

本部分为GB/T6113的第2-3部分。

本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。

本部分代替GB/T6113.203一2008《无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范第2-3部分： 无线电骚扰和抗扰度测量方法辐射骚扰测量》，与GB/T6113.203一2008相比主要技术变化如下： 一增加了20个术语和定义；删除了原文的3个术语和定义（见第3章）； 增加了均方根平均值检波器（见4.3）； 第5章删除了5.1、5.2、5.3的内容； 一将断续骚扰的内容修改为“对于辐射断续骚扰的测量目前没有要求”（见6.5.2)； 一增加了骚扰持续时间的测量内容（见6.5.3）； 修改了6.6.2的内容，增加了表1“4段CISPR频段的最短测量时间T_”； 增加了使用基于FFT仪器时在测量时间方面的考虑（见6.6.6)； -增加了表3"CISPR辐射发射试验场地和试验方法的适用频率范围和参考文件”（见7.1)；
增加了LAS的测量不确定度（见7.2.5）；
“OATS和SAC的测量不确定度”、通用辐射/抗扰度设置和方法的测量不确定度的内容； I
GB/T 6113.203-2016/CISPR 16-2-3:2010 修改了EUT位置的内容（见7.4.2）； -增加了FAR的测量不确定度（见7.4.4)； 修改了7.5的内容；增加适用性、EUT边界的定义和天线到EUT之间的距离、均匀场试验空 间、在共用的辐射/抗扰度试验布置下的EUT布置规范的内容；
最终测量程序等； -增加了7.6.6.3运用APD功能测量的内容； 增加了7.8.7替...

ICS33.100 L06 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T6113.104-2016/CISPR16-1-4:2012 代替GB/T6113.1042008 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量 方法规范第1-4部分：无线电 骚扰和抗扰度测量设备辐射骚扰 测量用天线和试验场地 Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods-Part 1-4:Radio disturbance and immunity measuring apparatus- Antennas and test sites for radiated disturbance measurements (CISPR16-1-4:2012 IDT) 2016-04-25发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T6113.104-2016/CISPR16-1-4:2012 目 次 前言 V 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语、定义和缩略语 1 3.1术语和定义 2 3.2缩略语 5 4无线电辐射骚扰测量用天线 5 4.1概述 5 4.2辐射发射测量的物理参数 5 4.3频率范围9kHz~150kHz .6 4.3.1概述 6 4.3.2磁场天线 ......6 4.3.3环天线的屏蔽 6 4.4频率范围150kHz~30MHz 6 4.4.1电场天线 6 4.4.2磁场天线 6 4.4.3天线的对称/交叉极化性能 6 4.5频率范围30MHz~1000MHz .7 4.5.1概述 .7 4.5.2存在不符合电场限值的可疑情况时不确定度小的天线的使用7 4.5.3天线特性 .7 4.5.4天线的对称 9 4.5.5天线的交叉极化性能 10 4.6频率范围1GHz~18GHz 10 4.7特殊的天线配置-环天线系统 10 5用于无线电骚扰场强测量的试验场地，30MHz~1000MHz 11 5.1概述 11 5.2开阔试验场地 .11 5.2.1概述 11 5.2.2气候保护罩 .11 5.2.3无障碍区 11 5.2.4试验场地周围的射频环境13 5.2.5接地平板 .13 5.3其他类型的试验场地的适用性 .13 5.3.1其他带有接地平板的试验场地13 5.3.2无接地平板的试验场地(FAR) .13 5.4试验场地确认 .14 I GB/T6113.104-2016/CISPR16-1-4:2012 5.4.1概述 14 5.4.2试验场地确认方法概述 14 5.4.3 OATS和SAC的场地确认NSA法的原理和理论值14 5.4.4用于OATS和SAC场地确认的参考场地法 21 5.4.5使用NSA方法确认OATS 25 5.4.6具有气候保护罩的OATS或SAC的确认 28 5.4.7FAR的场地确认...

ICS33.100 L06 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T6113.101-2016/CISPR16-1-1:2010 代替GB/T6113.101一2008 无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量 方法规范第1-1部分：无线电骚扰和 抗扰度测量设备测量设备 Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods-Part 1-1:Radio disturbance and immunity measuring apparatus-Measuring apparatus (CISPR16-1-1:2010 IDT) 2016-04-25发布 2016-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T6113.101-2016/CISPR16-1-1:2010 目 次 前言 V 1范围 1 2规范性引用文件1 3术语和定义 2 4准峰值测量接收机，频率范围9kHz~1000MHz *4 4.1概述 4 4.2输入阻抗 5 4.3正弦波电压准确度 .5 4.4脉冲响应 5 4.4.1幅度关系（绝对校准） 5 4.4.2随重复频率的变化（相对校准） 5 4.5选择性 8 4.5.1总选择性（通带） 8 4.5.2中频抑制比 9 4.5.3镜像频率抑制比 9 4.5.4其他乱真响应 4.6互调效应的限制 11 4.7测量接收机机内噪声和机内乱真信号的限制12 4.7.1随机噪声 .12 4.7.2连续波 .12 4.8屏蔽效能 12 4.8.1概述 12 4.8.2测量接收机射频发射的限制 13 4.9连接到断续骚扰分析仪的设备 13 5峰值测量接收机，频率范围9kHz~18GHz .13 5.1概述 13 5.2输入阻抗 13 5.3基本特性 .14 5.3.1带宽 14 5.3.2充放电时间常数比 .14 5.3.3过载系数 14 5.4正弦波电压的准确度 14 5.5脉冲响应 14 5.6选择性 15 5.7互调效应、接收机噪声和屏蔽 16 6平均值测量接收机，频率范围9kHz~18GHz 16 6.1概述 .16 I GB/T6113.101-2016/CISPR16-1-1:2010 6.2输入阻抗 16 6.3基本特性 17 6.3.1带宽 17 6.3.2过载系数 17 6.4正弦波电压准确度 17 6.5脉冲响应 17 6.5.1概述 17 6.5.2幅度关系 17 6.5.3 随重复频率的变化 .18 6.5.4对间歇的、不稳定的和漂移的窄带骚扰的响应 19 6.6选择性 20 6.7互调效应、测量接收机噪声和屏蔽 21 7均方根值—平均值测量接收机，频率...

L 11 ICS 31. 060. 20
中华人民共和国国家标准
GB/T 5969-2012/IEC 60384-9-1 :2005 代替GB/T5969-1996
电子设备用固定电容器 第9-1部分：空白详细规范 2类瓷介固定电容器 评定水平EZ
Fixed capacitors for use in electronic equipment Part 9-1 :Blank detail specification- Fixed capacitor of ceramic dielectric ,Class 2-- Assessment level EZ
(IEC 60384-9-1:2005,IDT)
2012-11-05 发布2013-02-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
GB/T 5969--2012/IEC 60384-9-1:2005
前言
《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分： 第1部分：总规范（GB/T2693-2001/IEC60384-1:1999）； 第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T7332一2011/ IEC 60384-2:2005); 第 2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平
第3部分：分规范表面安装MnO2固体电解质钽固定电容器（IEC60384-3：2007）；
(IEC 60384-3-1:2007);
1998,第1号修改单：2000）； 一第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电解电容器评定水平EZ（GB/T5994一2003/ IEC 60384-4 :2000) ; 第4-2部分：空白详细规范固体（MnO2）电解质铝电解电容器评定水平EZ（IEC60384-4- 2:2007); 第6部分：分规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器（IEC60384-6：2005）； 第6-1部分：空白详细规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器评定水平E (IEC 60384-6-1:2005) ; 第7部分：分规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器（GB/T10185-2012）； 第7-1部分:空白详细规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器评定水平E (GB/T 10186-2012); 第8部分：分规范1类瓷介固定电容器（GB/T5966-2011/IEC60384-8：2005）； 第8-1部分：空白详细规范1类瓷介固定电容器评定水平EZ（GB/T5967-2011/ IEC 60384-8-1:2005) ; 第9部分：分规范2类瓷介固定电容器（GB/T5968一2011/1EC60384-9:2005）； 第9-1部分：空白详细规范2类瓷介固定电容器评定水平EZ（GB/T5969一2011/ IEC 60384-9-1:2005) ; --第11部分：分规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 (IEC 60384-11:2008) ; 第11-1部分：空白详细规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平 EZ(IEC 60384-11-1:2008); 第12部分：分规范金属箔式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T10679一1995/ IEC 60384-12:1988); 第12-1部分：空白详细规范金属箔式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器评定水平E (GB/T 10680-1995/IEC 60384-12-1:1988) ; 第13部分：分规范金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器（IEC60384-13：2006）； 第13-1部分：空白详细规范金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ (IEC 60384-13-1:2006) ;
1
GB/T 5969-2012/IEC 60384-9-1:2005
--一第14部分:分规范抑制电源电磁干扰用固定电容器（GB/T14472一1998/IEC60384-14： 1993，第1号修改单：1995）； 第14-1部分:空白详细规范抑制电源电磁干扰用固定电容器评定水平D(GB/T 14473一 1998/1EC 60384-14-1:1993); 第15部分：分规范非固体或固体电解质钼固定电容器（GB/T7213-2003/IEC60384-15： 1982，第1号修改单：1987，第2号修改单：1992）； 第15-1部分:空白详细规范固体电解质钽箔固定电容器评定水平E(GB/T12794一1991/ IEC 60384-15-1:1984) ;
1991/1EC 60384-15-2:1984) ; -第15-3部分：空白详细规范固体电解质和多...

ICS31.060.20 L11 B G 中华人民共和国国家标准 GB/T5968-2011/IEC60384-9:2005 代替GB/T5968-1996 电子设备用固定电容器 第9部分：分规范 2类瓷介固定电容器 Fixed capacitors for use in electronic equipment- Part 9:Sectional specification:Fixed capacitors of ceramic dielectric Class 2 (IEC60384-9:2005 IDT) 2011-12-30发布 2012-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T5968-2011/IEC60384-9:2005 目 次 前言 Ⅲ 1总则 .1 1.1范围 1 1.2目的 1 1.3规范性引用文件 1 1.4详细规范中应给出的内容 1 1.5术语和定义 2 1.6标志 3 2优先额定值和特性 3 2.1优先特性 3 2.2优先额定值 3 3质量评定程序 5 3.1初始制造阶段 5 3.2结构类似元件 5 3.3放行批证明记录5 3.4鉴定批准 .5 3.5质量一致性检验 10 4试验和测量程序 11 4.1专门预处理 .12 4.2外观检查和尺寸检验 12 4.3电气试验 .12 4.4电容量温度特性 .14 4.5引出端强度 .14 4.6耐焊接热 .14 4.7可焊性 15 4.8温度快速变化 15 4.9振动 16 4.10碰撞 16 4.11冲击 16 4.12气候顺序 17 4.13稳态湿热 19 4.14耐久性 19 4.15元件耐溶剂性（适用时） 20 4.16标志耐溶剂性（适用时） 20 附录A(资料性附录)2类瓷介固定电容器电容量的老化 21 I GB/T5968—2011/IEC60384-9:2005 前言 《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分： -第1部分：总规范(GB/T2693—2001/IEC60384-1:1999); 一第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(GB/T7332一2011/ IEC60384-2:2005); —第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZ(IEC60384-2-1:2005); 一一第3部分：分规范表面安装MO2固体电解质钽固定电容器(IEC60384-3:2007); —第3-1部分：空白详细规范表面安装M02固体电解质钮固定电容器评定水平EZ (IEC60384-3-1:2007); 一-第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电解电容器(GB/T5993一2003/IEC60384-4: 1998 第1号修改单：2000)； 一第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电解电容器评定水平EZ(GB/T5994一2003/ IEC60384-4:2000); 一第4-2部分：空白详细规范固体电解质铝电解电容器...

ICS31.060.20 L11 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5967—2011/IEC60384-8-1:2005 代替GB/T5967一1996 电子设备用固定电容器 第8-1部分：空白详细规范 1类瓷介固定电容器评定水平EZ Fixed capacitors for use in electronic equipment- Part 8-1:Blank detail specification:Fixed capacitor of ceramic dielectric Class 1-Assessment level Ez (IEC60384-8-1:2005 IDT) 201212-30发布 2012-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T5967—2011/IEC60384-8-1:2005 前言 《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分： -—第1部分：总规范(GB/T2693-2001/IEC60384-1:1999); -—第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(GB/T7332一2011/ IEC60384-2:2005); 一第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZ(IEC60384-2-1:2005); -—第3部分：分规范表面安装Mn02固体电解质钽固定电容器(IEC60384-3:2007); —第3-1部分：空白详细规范表面安装MnO2固体电解质钽固定电容器评定水平EZ :(IEC60384-3-1:2007); -—第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电解电容器(GB/T5993一2003/IEC60384-4: 1998 第1号修改单：2000)； -—第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电解电容器评定水平EZ(GB/T5994一2003/ 1IEC60384-4:2000); -一第4-2部分：空白详细规范固体电解质铝电解电容器评定水平EZ(IEC60384-4-2:2007); --第6部分：分规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器(IEC60384-6:2005); -一第6-1部分：空白详细规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器评定水平E (IEC60384-6-1:2005); -一第7部分：分规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器(GB/T10185); 一一第7-1部分：空白详细规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器评定水平E(可供认 证用)(GB/T10186); !—第8部分：分规范1类瓷介固定电容器(GB/T5966一2011/IEC60384-8:2005); -1一第8-1部分：空白详细规范1类瓷介固定电容器评定水平EZ(GB/T5967一2011/ .IEC60384-8-1:2005); 一一第9部分：分规范2类瓷介固定电容器(GB/T5968一2011/IEC60384-9:2005); 一一第9-1部分：空白详细规范2类瓷介固定电容器评定水平EZ(IEC60384-9-1:2005); -一第11部分：分规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 (IEC60384-11:2008); 一一第11-1部分：空白详细规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 评定水平EZ(IEC60384-11-1:2008); 一一第12部分：分规范金属箱式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器(IEC60384...

ICS31.060.20 L11 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5966—2011/IEC60384-8:2005 代替GB/T5966—1996 电子设备用固定电容器 第8部分：分规范 1类瓷介固定电容器 Fixed capacitors for use in electronic equipment- Part 8:Sectional specification:Fixed capacitors of ceramic dielectric Class 1 (IEC60384-8:2005 IDT) 2011-12-30发布 2012-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T5966-2011/IEC60384-8:2005 目 次 前言 Ⅲ 1总则 1 1.1范围 1 1.2目的 .1 1.3规范性引用文件 1.4详细规范中应规定的内容 1 1.5术语及定义 2 1.6标志 3 2优先额定值和特性 3 2.1优先特性 3 2.2优先额定值 4 3质量评定程序 8 3.1初始制造阶段 8 3.2结构类似元件 3.3放行批证明记录 .8 3.4鉴定批准 8 3.5质量一致性检验 12 4试验和测量程序 14 4.1外观检查和尺寸检验14 4.2电气试验 .14 4.3温度系数a和电容量的温度循环漂移16 4.4引出端强度 .17 4.5耐焊接热 .17 4.6可焊性 .17 4.7温度快速变化（如详细规范要求） 18 4.8振动 18 4.9碰撞18 4.10.冲击 19 4.11气候顺序 19 4.12稳态湿热 21 4.13耐久性 22 4.14元件耐溶剂性 .23 4.15标志耐溶剂性 23 附录A(规范性附录)温度系数和等级的电容量变化极限与温度的关系图 24 I GB/T5966-2011/IEC60384-8:2005 前言 《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分： 一-第1部分：总规范(GB/T2693—2001/IEC60384-1:1999); 一一第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器(GB/T7332一2011/ IEC60384-2:2005); 一一第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZ(IEC60384-2-1:2005); 一一第3部分：分规范表面安装MO2固体电解质钽固定电容器(IEC60384-3:2007); 一一第3-1部分：空白详细规范表面安装Mn02固体电解质钽固定电容器评定水平EZ (IEC60384-3-1:2007); -一第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电解电容器(GB/T5993一2003/IEC60384-4: 1998 第1号修改单：2000)； 一一第4-1部分：空白详细规范非固体电解质铝电解电容器评定水平EZ(GB/T5994一2003/ IEC60384-4:2000); 一—第4-2部分：空白详细规范固体电解...

ICS31-030 L90 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.7-2015 代替GB/T5594.7一1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第7部分：透液性测定方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic ponents and device- Part 7:Test method for liquid permeability 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T5594.7-2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分： 一气密性测试方法(GB/T5594.1); —杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); —第3部分：平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); 一第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法(GB/T5594.4); 一—体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); 一第6部分：化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); —第7部分：透液性测定方法(GB/T5594.7); 一—第8部分：显微结构测定方法(GB/T5594.8); —电击穿强度测试方法(GB/T5594.9). 本部分为GB/T5594的第7部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T5594.7一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法透液性测定方法》. 本部分与GB/T5594.7一1985相比，主要有下列变化： 一标准名称改为：“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第7部分：透液性测定方法”； 一“1范围”中增加了“氮化物陶瓷”及“是否生烧”； 一“4取样方法”中增加了“成品试样”； 一“5试验液的配制”中，修改了“不低于90%的工业酒精”为“95%浓度工业酒精”； 一“7.2其他情况”中，在“若吸附颜色部位为封接部位”，增加了“按SJ/T11246一2001的相关 规定执行”作为判断依据. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由中国电子技术标准化研究院归口. 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、唐山海港华泰功能陶瓷材料有限公司. 本部分主要起草人：刘征、黄亦工、王守平. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： -—GB/T5594.7-1985. I GB/T5594.7-2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第7部分：透液性测定方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、镁橄榄石、氮化物陶瓷等电子陶瓷透液性的检验 方法. 本部分适用于品红溶液检验法（俗称吸红法）来检验电子陶瓷表面及内部的不正常孔隙、微裂纹及 是否生烧. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T9530一1988电子陶瓷名词术语 HG/T3393一2010碱性品红(C.I.碱性紫14) SJ/T11246一2001真空开关管用陶瓷管壳 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义...

ICS31-030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.6—2015 代替GB/T5594.6—1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第6部分：化学稳定性测试方法 Test methods for properties of structure ceramics used in electronic ponent and device- Part 6:Test method for chemical durability 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T5594.6-2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分： —气密性测试方法(GB/T5594.1); —杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); —第3部分：平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); —第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法(GB/T5594.4); —体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); —第6部分：化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); —第7部分：透液性测定方法(GB/T5594.7); 一—第8部分：显微结构测定方法(GB/T5594.8); -电击穿强度测试方法(GB/T5594.9). 本部分为GB/T5594的第6部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T5594.6一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法化学稳定性测试方 法》. 本部分与GB/T5594.6一1985相比，主要有下列变化： —标准名称改为：“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第6部分：化学稳定性测试方法”； 在“6.1.1”中，将测试样品数量由原来的2个修改为3个，增加了“选择无气孔、无裂纹及无其他 缺陷的试样”； 一在“6.1.2”中，修改了“皂片溶液”为“去污粉”； 一在“6.2.3”中，修改了“甘油溶液作为水浴锅加热溶液”为“蒸馏水作为水浴锅加热溶液”； —在“7.1”和“7.2”中，将试样重量修改为质量，符号由G修改为m 计算公式相应修改. ——增加了“8测试结果及报告”. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由中国电子技术标准化研究院归口. 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、北京七星飞行电子有限公司. 本部分主要起草人：何晓梅、曾桂生、何诗静. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T5594.6—1985. I GB/T5594.6-2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第6部分：化学稳定性测试方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了电子元器件结构陶瓷中的氧化铝、氧化皱等陶瓷材料化学稳定性的测 试方法. 本部分适用于电子元器件结构陶瓷中的氧化铝、氧化铍等陶瓷材料化学稳定性的测试. 本部分不适用于测定镁橄榄石、莫来石、滑石等陶瓷材料的化学稳定性. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T9530一1988电子陶瓷名词术语 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 化学稳定性chemical stability 表...

ICS31-030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.4—2015 代替GB/T5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第4部分：介电常数和介质损耗角 正切值测试方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic ponent and device-Part 4:Test method for permittivity and dielectric loss angle tangent value 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T5594.4-2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分： —气密性测试方法(GB/T5594.1); —杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); —第3部分：平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); 一第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法(GB/T5594.4); 一—体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); —第6部分：化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); —第7部分：透液性测定方法(GB/T5594.7); —第8部分：显微结构测定方法(GB/T5594.8); —电击穿强度测试方法(GB/T5594.9). 本部分为GB/T5594的第4部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T5594.4一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法介电常数和介质损耗 角正切值的测试方法》. 本部分与GB/T5594.4一1985相比，主要有下列变化： —一标准名称改为：“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分：介电常数和介质损耗角 正切值测试方法”； ——增加了4.1介电常数测试和计算； 一删除了原标准测试夹具类型示意图中：a.尖形电极；b.尖对平板形电极. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由中国电子技术标准化研究院归口. 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、北京七星飞 行电子有限公司. 本部分主要起草人：曾桂生、李晓英、薛晓梅. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T5594.4-1985. I GB/T5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第4部分：介电常数和介质损耗角 正切值测试方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子 陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测试方法. 本部分适用于装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料在频 率为1MHz 温度从室温至500℃条件下的介电常数和介质损耗角正切值的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T5593一2015电子元器件结构陶瓷材料 GB/T9530一1988电子陶瓷名词术语 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 介电常数permittivity 反应电介质介电...

ICS31-030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5593—2015 代替GB/T5593—1996 电子元器件结构陶瓷材料 Structure ceramic materials used in electronic ponent and device 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 o 中国国家标准化管理委员会 治高快 GB/T5593-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T5593一1996《电子元器件结构陶瓷材料》. 本标准与GB/T5593一1996相比，主要有下列变化： ——表1中作如下修改： 对A-95、A-99增加了硬度性能要求；增加了测试A-95、A-99硬度方法的规范性附录A; B-97替代B-95;B-97、B-99两者B=0组分含量均为最低值；“单位与符号”改为“单位”；线膨胀 系数单位/℃改为K1;晶粒大小μ改为rm;A-95的晶粒大小从15μm~30um改为8um~ 20μm;B-9720℃~500℃线膨胀系数7~8改为7.0~8.5；B-97 B-99中平均晶粒大小改为 12μm~30μm;B-97中导热系数20℃改为200W/(mK) 100℃改为160W/(mK); B-99中导热系数20℃改为230W/(mK) 100℃改为180W/(MK); 5.8抗热震性的测定持续时间从30min改为10min; ——表2中作如下修改： 部分测试样品尺寸，将氧化铝瓷和氧化铍瓷分别对待；气密性样品厚度从0.25mm士0.02mm改为 0.30mm士0.02mm. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由中国电子技术标准化研究院归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、湖南新化鑫星电子陶瓷有限公司、江苏常 熟银洋陶瓷器件有限公司、河南济源兄弟材料有限公司、浙江绍兴富尔全瓷业有限公司、浙江温岭特种 陶瓷厂. 本标准主要起草人：高陇桥、曹培福、高永泉、黄国立、王立夫、徐正平、李晓英. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB5593—1985、GB/T5593—1996 I GB/T5593-2015 电子元器件结构陶瓷材料 1范围 本标准规定了电子元器件结构陶瓷的种类、级别、技术指标要求、试验方法和检验规则. 本标准适用于电子元器件用结构陶瓷材料. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件， GB/T1031一1995表面粗糙度参数及其数值 GB/T1966多孔陶瓷显气孔率、容重试验方法 GB/T2413压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2421.1电工电子产品环境试验概述和指南 GB/T5594.1电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法气密性测试方法 GB/T55942电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法杨氏弹性模量泊松比测试方法 GB/T5594.3电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第3部分：平均线膨胀系数测试方法 GB/T55944电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分：介电常数和介质损耗角正切 值的测试方法 GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法 GB/T5594.6电子元器件结构陶瓷材料性能测试方...

ICS31.100 L39 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5295—2012 代替GB/T5295一1985 光阴极光谱响应特性系列 The spectral response characteristic series of photocathodes 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 建筑321--标准查询下载网 GB/T5295—2012 目次 前言 I 1范围 2分类和命名 1 2.1命名方法 1 2.2各部分命名规则 1 2.3示例 3 3系列 .3 附录A(规范性附录)典型曲线图 8 ”- 建筑321--标准查询下载网 2 GB/T5295-2012 前言 本标准按GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T5295一1985《光电阴极光谱响应特性系列》. 本标准与GB/T5295一1985相比主要变化如下： 一名称由原《光电阴极光谱响应特性系列》改为《光阴极光谱响应特性系列》； 一一修改了反射式光阴极系列中R35G、R35U、R50G、R50U、R50Q、T35G、T35Q、T40G的峰值 波长； -一一透射式光阴极系列中增加了砷化镓类型(T60G) 修改了T50G的辐照灵敏度的数值； 一将曲线图调整为规范性附录A. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC/TC167)归口. 本标准由南京华东电子集团有限公司负责起草. 本标准主要起草人：全建银、吴其华、钱志萍. 本标准所代替标准的历次发布情况为： ——GB/T5295-1985. I 建筑321--标准查询下载网 ...

ICS35.020 L00 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5271.36-2012/ISO/IEC2382-36:2008 信息技术词汇 第36部分：学习、教育和培训 Information technology-Vocabulary- Part 36:Learning education and training (ISO/IEC2382-36:2008 IDT) 2012-06-29发布 2012-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 数码防伪 中华人民共和国 国家标准 信息技术词汇 第36部分：学习、教育和培训 GB/T5271.36-2012/ISO/IEC2382-36:2008 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址 spc.net.cn 总编室：(010)64275323发行中心：(010)51780235 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 开本880×12301/16印张0.75字数17千字 2012年10月第一版2012年10月第一次印刷 书号：1550661-45521定价16.00元 如有印装差错由本社发行中心调换 ：(010)68510107 GB/T5271.36-2012/ISO/IEC2382-36:2008 前 言 GB/T5271《信息技术词汇》分为以下部分： ——第1部分：基本术语； —第2部分：算术和逻辑运算； —第3部分：设备技术； —第4部分：数据的组织； —第5部分：数据表示； —第6部分：数据的准备与处理； —第7部分：计算机编程； —第8部分：安全； 一第9部分：数据通信； —第10部分：操作技术和设施； 一 第29部分：人工智能语音识别与合成； 一第31部分：人工智能机器学习； —第32部分：电子邮件； ——第34部分：人工智能神经网络； ——第36部分：学习、教育和培训. 本部分是GB/T5271的第36部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用国际标准ISO/IEC2382-36:2008《信息技术词汇第36部分：学 习、教育和培训》及ISO/IEC2382-36:2008/Co.1:2010《信息技术词汇第36部分：学习、教育和培 训技术勘误1》.本部分按照一般的术语标准，对英文索引的排序仅做了一些编辑性修改. 与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下： -GB/T15237.1一2000《术语工作词汇第1部分：理论与应用》(ISO1087-1:2000 EQV). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国教育部提出. 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)归口. 本部分起草单位：华东师范大学、华中师范大学、中国电子技术标准化研究所、清华大学. 本部分主要起草人：祝智庭、杨宗凯、张屹、余云涛、郑莉、顾小清、吴战杰、何敏、吴永和、谷志远、 熊建峰. I ...

ICS27.120 F88 G 中华人民共和国国家标准 GB/T5201-2012 代替GB/T5201-1994 带电粒子半导体探测器测量方法 Test procedures for semiconductor charged particle detectors (IEC 60333:1993 Nuclear instrumentation-Semiconductor charged particle detectors-Test procedures NEQ) 2012-06-29发布 2012-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 建筑321--标准查询下载网 GB/T5201-2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T5201一1994《带电粒子半导体探测器测试方法》，本标准与GB/T5201一1994 (以下简称原标准)相比，主要技术变化如下： 一增加了前言； 一增加了第2章“规范性引用文件”，其他章的编号依次后推； 一将原标准“术语、符号”改为第3章“术语和定义”，并完全引用GB/T4960.6一2008，不再另行 编写； —一删除了原标准2.2“符号”部分，在文中用到符号的地方予以说明； 一增加了4.1“测试的参考条件或标准试验条件”代替原标准3.1； ——将原标准3.3和3.4合并为4.3；删除了原标准3.7； —一5.1“电压-电流特性(V-I特性)”增加了反向V-I特性测试； 一一将原标准4.3“噪声测量”前的悬置段改为5.3.1“测量方法和测量系统”，其他节编号依次 后推； ——将原标准4.3.6“探测器噪声随放大器时间常数的变化”增加新内容后，改为5.3.7； ——5.4.2“电荷收集时间”增加了对“快”、“慢”探测器的区分标准； ——第7章“环境试验”完全引用GB/T10263一2006，不再另行编写. 本标准使用重新起草法参考EC60333:1993《核仪器半导体带电粒子探测器试验程序》编制， 与IEC60333:1993的一致性程度为非等效. 本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会(SAC/TC30)提出并归口. 本标准起草单位：中核（北京）核仪器厂. 本标准起草人：李志勇、王军. I 建筑321--标准查询下载网 GB/T5201-2012 带电粒子半导体探测器测量方法 1范围 本标准规定了带电粒子半导体探测器的电特性和核辐射性能的测量方法以及某些特殊环境的试验 方法. 本标准适用于带电粒子部分耗尽层的半导体探测器. 全耗尽型半导体探测器的测量可参照本标准执行. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T4960.6一2008核科学技术术语第6部分：核仪器仪表 GB/T10263一2006核辐射探测器环境条件与试验方法 GB/T13178一2008金硅面垒型探测器 3术语和定义 GB/T4960.6一2008界定的术语和定义适用于本文件. 4一般要求 4.1测量应在参考条件或标准试验条件（见表1）下进行. 表1参考条件或标准试验条件 项目 参考条件 标准试验条件 环境温度 20℃ 18℃~22℃ 相对湿度 65% 50%~75% 大气压强 101.3kPa 86 kPa~106 kPa 交流供电电压 UN (1士1.0%)U 交流供电频率 50 Hzb (1士1%)50Hz 交...

ICS31.080.01 L40 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.4-2012/IEC60749-4:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST) Semiconductor devices- Mechanical and climatic test methods- Part 4:Damp heat steady state highly accelerated stress test(HAST) (IEC60749-4:2002 IDT) 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 发布 中华人民共和国 国家标准 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST) GB/T4937.4-2012/1EC60749-4:2002 并 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址.spc.net.cn 总编室：(010)64275323发行中心：(010)51780235 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 开本880×12301/16印张0.5字数11千字 2013年2月第一版2013年2月第一次印刷 书号：1550661-46248定价14.00元 如有印装差错由本社发行中心调换 ：(010)68510107 GB/T4937.4-2012/IEC60749-4:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成： 一第1部分：总则； —第2部分：低气压； —第3部分：外部目检； —第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST); ——第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验； —第6部分：高温贮存； 一第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析； —第8部分：密封； —第9部分：标志耐久性； —第10部分：机械冲击； —第11部分：快速温度变化双液槽法； —第12部分：变频振动； ——第13部分：盐气； 一第14部分：引线牢固性（引线强度）； 一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热； 一第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); 一第17部分：中子辐射； 一第18部分：电离辐射（总剂量）； 一一第19部分：芯片剪切强度； ——第20部分：塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热； —第21部分：可焊性； 一第22部分：键合强度； 一第23部分：高温工作寿命； —第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验； —第25部分：温度循环； 一第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模式(HBM); —第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模式(MM); 一第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验器件带电模式(CDM)(考虑中)； —第29部分：门锁试验； 一第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理； 一一第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）； 一第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）； 一第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮； —第34部分：功率循环； —第35部分：塑封电子元器件的声学扫描； —第36部分：恒定加速度； 一第37部分：手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法； I ...

ICS31.080.01 L40 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 Semiconductor devices- Mechanical and climatic tests methods- Part 3:External visual examination (IEC60749-3:2002 IDT) 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 38 中国国家标准化管理委员会 发布 列防伤 GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成： —第1部分：总则； —第2部分：低气压； —第3部分：外部目检； 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST); 一第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验； —第6部分：高温贮存； 一第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析； 一第8部分：密封； 第9部分：标志耐久性； —第10部分：机械冲击； 一一第11部分：快速温度变化双液槽法； 一第12部分：变频振动； 一第13部分：盐气； 一第14部分：引线牢固性（引线强度）； 一第15部分：通孔安装器件的耐焊接热； —第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); 一第17部分：中子辐射； 一第18部分：电离辐射（总剂量）； 一第19部分：芯片剪切强度； 一一第20部分：塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热； 一第21部分：可焊性； 一第22部分：键合强度； 一第23部分：高温工作寿命； 第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验； 一第25部分：温度循环； 一第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模式(HBM); 一一第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模式(MM); 一第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验器件带电模式(CDM)(考虑中)； 一第29部分：门锁试验； 一第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理； 一第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）； 一第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）； 一第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮； —第34部分：功率循环； 一第35部分：塑封电子元器件的声学扫描； 一第36部分：恒定加速度； 一一第37部分：手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法； GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 一第38部分：半导体器件的软错误试验方法； 一一第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量. 本部分是GB/T4937的第3部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用EC60749-3:2002《半导体器件机械和气候试验方法第3部分： 外部目检》. 为便于使用，本部分做了下列编辑性修改： a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“，”； b)删除国际标准的前言. 本部分由中华人民共和国工业和信化部提出一 本部分由全国半导体器件标化技术委员会(SAG/TC78)归口. 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所. 本部分主要起草人陈海蓉李丽霞、崔波. ...

ICS19.020 A21 中华人民共和国国家标准 GB/T4797.3-2014 代替GB/T4797.3一1986 电工电子产品自然环境条件生物 Environmental conditions appearing in nature for electric and electronic products-Living organisms 2014-06-24发布 2015-01-22实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 12 中国国家标准化管理委员会 30 涂层查真伪 GB/T4797.3—2014 目次 前言 I 1范围 1 2规范性引用文件 1 3生物对电工电子产品的主要影响 .1 4动物群与植物群的出现 5有危害的生物种类与分布3 6生物环境条件的划分原则 5 5 生物环条件区我的划分 参考文献 7 GB/T4797.3—2014 前言 GB/T4797目前包括以下8个部分： 一一GB/T4797.1电工电子产品自然环境条件温度和湿度； GB/T4797.2电工电子产品自然环境条件第2部分：海拔与气压、水深与水压； -GB/T4797.3电工电子产品自然环境条件生物； GB/T4797.4电工电子产品自然环境条件太阳辐射与温度； GB/T4797.5电工电子产品环境条件分类自然环境条件降水和风； 一一GB/T4797.6电工电子产品自然环境条件尘、沙、盐雾； 一GB/T4797.7电工电子产品环境条件分类自然环境条件地震振动和冲击； 一GB/T4797.8电工电子产品环境条件分类自然环境条件火灾暴露. 本部分为GB/T4797的第3部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T4797.3一1986《电工电子产品自然环境条件生物》.本部分与GB/T4797.3一1986相 比主要变化如下： —根据EC60721-2-7:1987《环境条件分类第2部分：自然环境条件动物群与植物群》，对 第1章范围进行了补充和修改； —根据GB/T1.1一2009，增加第2章； —将EC60721-2-7:1987的内容补充到标准中，即第3、4章的内容； —一将“2.3动物”的内容分开，修改为“5.3鸟类”和“5.4鼠类”. 本部分由全国电工电子产品环境条件与环境试验标准化技术委员会(SAC/TC8)提出并归口. 本部分起草单位：中国电器科学研究院有限公司、宁波捷胜海洋开发有限公司. 本部分主要起草人：黄开云、柯赐龙. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T4797.3-1986. I ...