IU30.∠4U.1U CCS L 67 IGRS Alliance 闪联产业技术创新战略联盟团体标准 T/IGRS0011.5-2021 基于大数据的互联网终端产品质量分析 第5部分：数据分析 Qual ity analysis of internet terminal product based on big data Part V:Data analysis 2021-07-09发布 2021-07-09实施 闪联产业技术创新战略联盟发布 (北京市闪联信息产业协会) T/IGRS0011.5-2021 目 次 前言 ....II 1范围前言.. .1 2规范性引用文件...... ..1 3术语与定义. ...1 4质量指标组合和关键参数设定......... .1 4.1新品质量指标设定. ..2 4.2制程质量指标及关键参数设定 ...3 4.3客户质量指标设定 ..4 5质量指标和关键参数数据收集 .4 6质量指标和关键参数目标设定... ..4 7质量指标和关键参数分析..... .5 7.1全过程指标.... ...5 7.2分析方法... ....5 7.2.1目标分析.............. ...5 7.2.2趋势分析.. .6 7.2.3代际分析.. ......6 7.2.4对比分析.............. ...6 7.2.5维度分析. ..6 7.2.6参数分析.... ........6 7.3产品满意度指数(PSI)的分析....... ......7 7.3.1产品的生命周期分析 .7 7.3.2产品的迭代升级分析..... ..7 7.3.3产品的市场竞争分析............ .7 7.3.4客户需求研究. ...7 8质量分析报告发布.. ..8 附录A(资料性)客户需求研究模型实例 .9 参考文献 ........10 I ...

IIGRS 闪联产业技术创新战略联盟标准 T/IGRS0010-2020 微型计算机用显示器视觉舒适性规范 Specification for visual fort of micro-puter display screen 2020-03-18发布 2020-03-18实施 闪联产业技术创新战略联盟发布 (北京市闪联信息产业协会) T/IGRS0010-2020 目次 1范围 .1 2规范性引用文件 ..1 3术语和定义1 4.要求 2 4.1亮度 .2 4.2对比度2一 4.3亮度一致性. 2 4.4色彩一致性. .3 4.5低眩光3 4.6屏幕闪烁度 4.7低蓝光. .3 5试验方法 5.1试验条件. 3 5.1.1试验环境条件. .3 5.1.2试验要求条件4 5.2亮度 5.3对比度 4 5.4亮度一致性5 5.5色彩一致性 15 5.6眩光 .5 5.7屏幕闪烁度 .5 5.8低蓝光 5 参考文献 7 I T/IGRS0010-2020 前言 本标准按照GB/T1.1-2009标准化工作导则给出的规则起草. 本标准的某些内容有可能涉及专利.本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由闪联产业技术创新战略联盟（北京市闪联信息产业协会）提出并归口. 本标准起草单位：联想（北京）有限公司、联想（深圳）电子有限公司、京东方科技集团股份有限 公司、闪联产业技术创新战略联盟（北京市闪联信息产业协会）、莱茵技术（上海）有限公司、冠捷显示 科技（中国）有限公司，福建捷联电子有限公司、新联合众（北京）科技有限公司、闪联信息技术工程中 心有限公司. 本标准主要起草人：陈笑曦、陈亚涛、吕飞燕、林巍巍、陶宏芝、孙志勇、严巍、王宏雄、王宇、 刘喜强、蒋磊、欧阳晓辉、钟连生、丁路宁、陈占波. II ...

IGRS 闪联产业技术创新战略联盟标准 T/IGRS0009-2020 扩展坞通用规范 General specification for docking station 2020-03-18发布 2020-03-18实施 闪联产业技术创新战略联盟发布 (北京市闪联信息产业协会) T/IGRS0009-2020 目 次 前言 Ⅲ 1范围.. ......1 2规范性引用文件 3术语和定义 2 4技术要求. 2 4.1硬件设计要求， 4.2外观和结构 2 4.3功能和性能 2 4.4限用物质的限量要求 4.5电磁兼容性 2 4.6安全 3 4.7环境条件 3 4.8可靠性 4 4.9能耗要求 4 4.10机械插拔寿命 4 4.11气体腐蚀要求. 4 4.12接口耐受力要求. 15 4.13线材弯折要求 15 5试验方法 5 5.1试验环境条件 15 5.2外观和结构检查 15 5.3功能和性能检查 5 5.4限用物质的限量试验 6 5.5电磁兼容性试验 6 5.6安全试验 6 5.7环境试验 6 5.8可靠性试验 8 5.9能耗试验 9 5.10机械插拔寿命试验 9 5.11气体腐蚀试验 9 5.12接口耐受力试验 9 5.13线材弯折试验 19 6质量评定程序 9 6.1一般规定 9 6.2检验分类 9 T/IGRS0009-2020 6.3定型检验 10 6.4逐批检验 .11 6.5周期检验 .11 7标志、包装、运输和贮存 ....11 附录A .13 A.1故障定义和解释 ....13 A.2故障分类 ....13 A.3关联故障判据 .13 A.4非关联故障判据 ...13 附录B ...15 B信号源的输出电平设定 .15 B.2测试判定 15 ...

IGRS Al liance Standard IGRS Alliance 闪联产业联盟 使用！ 闪联产业联 盟 联盟标准 仅限全国团体标准信息 IGRS 0002.01—2013 台使用！ 信息设备资源共享协同服务 可扩展的选程用户界面 国团 Information device elligent grouping and resource shar ing 仅 Scalable remote user interface 仅限全国团体标准信息平台使用！ 2013-07-10发布 限全国团体标准息平台使用！ 2013-12-1实施 闪联产 VL 盟 发布 仅限全国团体标准信息平台使用！ 仅限全国团体标准信息平台使用！ 仅限全国团体标准信息平台使用！ 仅限全国团体标准信息平台使用！ IGRS 0002.01—2013 目次 前言 1范围.. 1.1特性.. 2规范性引用文件 仪限全国团体标准信息平舍使用！ 目 I .................II ...1 ......1 .1 3术语和定义 .....1 4缩略语. .2 5结构性概述 44 2 5.1SRUI配置模型 2 5.2SRUI服务器和SRUI客户端的类型 .3 5.3详细结构 4 6SRUI服务器/客户端的IGRS类型定义 6.3SRU1服务器/客户端的数据类型. 6.4SRUI客户端服务的1GRS调用接口 6.5SRUI服务器服务的1GRS调用接 6.6操作原理（资料性）. 仅限全国团体标准信息平台使用 6 6.1SRUI服务器/客户端的1GRS设备类型 ..6 6.2SRUI服务器/客户端的1GRS服务类型 .6 7 7 ......7 ..7 7抽象实体 ..9 8 SADL. 8.1SADL元素. .11 8.2 SADLInfo元素... .12 8.3 Declarations元素...... 8.4 Container元素.. .14 8.51tem元素... 8.6 Component元素....... 8.7 Resource元素. 8.8 Anchor元素，. 8.9 Descriptor元素..... 8.10 Condition元素.. 8.11 Choice元素.. 仅限全国团体标准信息平台使用！ 15 ....17 ..18 . 20 ...21 22 22 8.12 Selection元素.... 8.13 Fragment元素. 25 8.14 Statement元素 26 8.15 DCCondition元素. .........27 9 StackEntryType 28 9.1常数值类型. 29 9.2运算符类. .......30 9.3 DCFunction类. 汉限全国团体标准信息平台使用！ 35 附录A:(资料性附录)SADL Schema 40 I ...

ICS97.080 CCS Y62 团 体 标 准 T/IGIA002—2021 空气净化器在现场环境下使用效果的 评价方法及技术要求 Evaluation methods and technical requirements of effect for air cleaner under site environment 2021-07-23发布 2021-07-23实施 北京伪劣物品检验鉴定技术创新联盟发布 T/IGIA002—2021 目录 目录 前言 I 1范围. 1 2规范性引用文件 3术语和定义 444 .1 4技术要求. 2 4.1有害物质释放 .2 4.2PM2颗粒物去除率 .2 4.3气态污染物去除率 2 4.4室内空气质量 4.5异味 3 5试验方法 3 5.1试验条件 5.2试验设备 3 5.3有害物质释放 ..4 5.4PM2.5颗粒物去除率. .....................4 5.5气态污染物去除率 .4 5.6室内空气质量 .4 5.7异味 ....4 附录A(规范性附录)PM2.5颗粒物去除率试验方法. .5 附录B(规范性附录)气态污染物去除率试验方法 .7 T/IGIA002—2021 前言 本文件按照GB/T1.1给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本文件由北京伪劣物品检验鉴定技术创新联盟提出. 本文件由北京伪劣物品检验鉴定技术创新联盟归口. 本文件起草单位：中国家用电器研究院、中家院（北京）检测认证有限公司、深圳市康风环境科技 发展有限公司、北京中家智信技术有限公司. 本文件主要起草人：苏进财、张维超、徐正翱、李国培、鲁建国、程钰、张晓、周鲁俊、章娜、齐 鑫、王逸杰、姚鹏. 本文件为首次发布. ...

ICS27.160 CCS F12 TB 团 体 标 准 T/IEIA0003—2021 光伏发电站电气设备检修规程 Code of maintenance for photovoltaic power station electrical equipment 2021-12-20发布 2022-1-19实施 内蒙古太阳能行业协会发布 T/IE1A0003—2021 目 次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义.... y 4基本规定 3 5检修项目和周期 3 6测试 7 附录A(资料性附录)检修记录 10 附录B(资料性附录)检修报告 ....11 ...

ICS27.160 CCS F 12 TB 团 体 标 准 T/IEIA0002—2021 光伏发电站生产安全事故 报告和调查处理规程 Production safety accidents of photovoltaic power station Report and investigation handling procedures 2021-12-20发布 2022-1-19实施 内蒙古太阳能行业协会发布 T/IE1A0002—2021 目 次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 .1 3术语和定义 1 4基本规定 .1 5安全生产管理机构 .2 6生产安全事故信息报告和处置 7事故调查 8事故处理. 5 9事故统计 5 附录A(规范性附录)生产安全事故突发情况快报表7 附录B(规范性附录)生产安全事故报告流程 .8 附录C(规范性附录)生产安全事故季报表 .9 附录D(规范性附录)生产安全事故年度报表 .........10 ...

ICS27.080 CCS P46 TB 团 体 标 准 T/1E1A0001—2021 空气源热泵供暖系统安装规程 Installation regulation of air source heat pump heating system 2021-05-17发布 2021-06-17实施 内蒙古太阳能行业协会发布 T/IE1A00012021 目 次 前言 II 1范围. .1 2规范性引用文件 3术语和定义 4总体要求 5空气源热泵与配套设备安装 2 5.1基本要求 2 5.2空气源热泵机组 3 5.3热源站 5.4热能分配中心 ..4 5.5系统参数监控部件 4 5.6保温与防腐 .5 6管网施工 5 6.1管网 5 6.2化霜水系统 .6 6.3管网防冻 7电气系统及监控系统施工 .6 7.1电气 6 7.2监测与控制 8系统调试与验收 .7 8.1水压试验 8.2系统调试 .8 8.3试运行 8.4系统验收 ...9 I ...

ICS29.045 o Wide H80/84 WB 团 体 标 准 T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片X射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 Test Method for FulI Width at Half Maximum of Double Crystal X-ray Rocking Curve of Sil icon Carbide Wafers 2022-03-17发布 2022-03-24实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 016—2022 目 次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4测试原理 4.1晶体X射线衍射原理 4.2摇摆曲线测试原理 .2 4.3晶体摇摆曲线半高宽 2 5测试仪器 仪器.......2 5.1光路配置 .2 5.2样品台 2 5.3仪器校准. .3 6干扰因素 3 7测试环境 3 8测试样品 3 9测试程序. 3 9.1放置样品 3 9.2确定布拉格角... 3 9.3调整样品 来来来来来来来来来来 3 9.4测量点分布 4 9.5摇摆曲线测量 .4 9.6确定半高宽 10精密度. A 11测试报告. .5 附录A6 T/IAWBS016—2022 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的 责任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本文件起草单位：国宏中宇科技发展有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、中科钢研节能科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研 究所、北京三平泰克科技有限责任公司、北京聚睿众邦科技有限公司、芜湖启迪半导体有 限公司、中国科学院半导体研究所 本文件主要起草人：刘素娟、鲍慧强、李龙远、王锡铭、赵然、赵子强、刘春俊、闫 方亮、郑红军、王文军、钮应喜、刘兴、刘祎晨. 本文件为首次制定. ...

ICS29.045 ot Wide Bandgap H80/84 WB 团体标准 T/IAWBS 015-2021 ssoclatic c nduct 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking 1oUu curve of Ga2O3 single crystal substrate K6010 宽禁带半导体技术创新联盟 2021-09-15发布 2021-09-22实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS015-2021 目录 前言 II 1范围- 2规范性引用文件. 3术语和定义. .1 4检测原理 .1 4.1晶体X射线衍射原理 ...1 4.2摇摆曲线测试原理 4.3晶体摇摆曲线半高宽 2 5仪器及校准 .2 5.1光路配置 2 5.2样品台 2 5.3仪器校准 3 6测试样品. 3 7干扰因素 3 8测试环境 444 3 9测试步骤. 10精密度. .4 11测试报告. .4 附录A oneAouU WB Bojouup8) 宽禁带半导体技术创新联盟 I T/IAWBS015-2021 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则部分：标准化文件的结构和起草规则》的 规定起草，并根据该文件进行样式修改. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的贵 任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本文件起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京邮电大学，北京镓族科 技有限公司 本文件主要起草人：李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华. 本文件为首次制定 NB 宽禁带半导体技术创新联盟 ...

ICS29.045 of Wide Bande ston CO H80/84 WB ouupa 团体标准 T/IAWBS014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers uoneAouu B 6g/oupal. 宽禁带半导体技术创新联盟 2021-09-15发布 2021-09-22实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS014-2021 目录 前言. 1范围 ..1 2规范性引用文件1 3术语和定义 4原理 1 5干扰因素. .2 6化学试剂 .2 7仪器设备 .2 8样品制备 .2 9测试程序 .2 10试验数据处理 .7 11精密度 .7 12试验报告 NB 一9 宽禁带半导体技术创新联盟 I T/IAWBS014-2021 前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规 则》的规定起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本文件起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有 限公司. 本文件主要起草人：彭同华、余宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、 郭钰、杨建. 本文件为首次制定. VB 宽禁带半导体技术创新联盟 ...

轳妒©.045 Wide Ban H80/84 WB ZBAOUU 6 团 体标准 T/IAWBS013-2019 Assoclatio Conducion 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 The measurement method of resistivity for semi-insulating nouu silicon carbide substrate K6010 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 013-2019 目 次 前言 1 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 .2 1范围. .2 2 规范性引用文件 ..2 3 术语和定义 .2 4 测试原理 2 5 测试仪器 6 干扰因素 .3 7 测试样品 .3 8 测试环境 4 9 测试程序 10 精密度 11 测试报告 NB 宽禁带半导体技术创新联监 I ...

ICS29.045 H80/84 WB AOUUT UUO 6 团体标准 T/IAWBS012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 共焦点微分干涉光学法 Test Method for Surface Quality and Micropipe Density of Silicon Carbide Single Crystal Polishing Wafers--Confocal and Differential Interferometry Optics 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 发布 T/IAWBS 012—2019 目次 目录 前言 ..2 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 .1 1范围. 2规范性引用文件 .......1 3术语和定义 .1 4原理 5测试仪器 ....2 6测试样品 2 7测试环境 2 8测试程序 .2 9干扰因素 3 10精密度. 11测试报告 A.2划痕 .5 A.3凹坑. 5 A.4凸起 .6 A.5颗粒 6 I T/IAWBS 012—2019 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第四 十六研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、中 国电子科技集团公司第五十五研究所. 本标准主要起草人：李晖、高飞、林健、程红娟、郑风振、杨丹丹、窦瑛、李佳、侯 晓蕊、王立忠、李忠辉、余宗静、陈鹏、韩超. Ⅱ ...

ICS29.045 Wie Ban uo H80/84 WB ZBAOUU 团体标准 T/IAWBS011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法一非接触涡流法 Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS011-2019 目录 目录 I 前言 ..Ⅱ 1范围. ...1 2规范性引用文件 1 3 术语和定义 .1 4 测试原理 .1 5 测试仪器 .2 6 干扰因素. .2 7 测试环境 3 8 测试样片 .3 9 测试程序 3 9.1 仪器校准 9.2 测量点分布 3 9.3 测量 4 10 精密度 4 11 测试报告 I ...

ICS29.045 Wide Ban H80/84 WB PAOUU 团 体标准 T/IAWBS010-2019 ssociatio .conduct 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法激 光散射检测法 Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS010-2019 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光 半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半 导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚 天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京） 有限公司. 主要起草人：余宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、 林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤. NB 宽禁带半导体技术创新联盟 T/IAWBS010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 一一激光散射测试方法 1范围 Wide Bandgao 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射 测试法. 本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本 适用于本文件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T31351碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 GB50073.洁净厂房设计规范 Bojouupa 3术语和定义 宽禁带半导体技术创新联盟 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件，已有国标中规定的标准术语不 在本标准中重复体现. 4方法原理 激光散射检测仪器在扫描样品时，激光发射器发出波长为355nm和405nm的激光，分 别以垂直角度和倾斜角度照射在样品上，激光经过样品表面和内部会发生反射和散射，因局 部光散射体的散射特性有很大差异，所以会有不同的散射强度.另外，探测器通过收集散射 信号、反射信号和反射光斑位置信号（四象限探测器），并分析接收的信号来识别缺陷的大 小和位置，表面缺陷检测光路图见图1. 2 ...

ICS29.045 ot Wide Band suon 轳"笫"轳4 WB 团 体标准 T/IAWBS009-2019 on Associato Conducion 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power ouu Semiconductor Devices K6010 宽禁带半导体技术创新联盟 "©©2-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 009-2019 目次 前言 1范围 2 2规范性引用文件 .2 3一般性说明. 4试验装置要求 .2 4.1湿热试验箱. .2 4.2高压直流电源 .2 4.3加湿用水 .2 4.4最小污染物释放 .3 4.5避免高压放电 3 4.6器件发热控制. .3 5试验条件及严酷等级 .3 6试验步骤 6.1《一般要求 3 6.2预处理 .3 6.3初始检测 .4 6.4受试器件安装 “ .4 6.5上升 6.6下降 .4 6.7器件内部湿气稳定时间 ..4 6.8试验计时 .4 6.9施加偏置电压 6.10中间检测.. .4 6.11最后检测 .4 7失效判据 4 8试验报告中应给出的信息 5 宽禁带半导体校术创新联盟 I ...

ICS29.045 Wide Ban H80/84 WB ZBAOUU 6 团 °标准 T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法 Experimental method for residual stress in SiC wafers 宽禁带半导体技术创新联盟 2019-12-27发布 2019-12-31实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 008-2019 目次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 ....1 3术语和定义 1 3.1残余应力 3.2应力双折射现象.. ....1 3.3起偏镜和分析镜 3.4平面应力状态 3.5相位差 .2 4测试原理 .2 5测试仪器. .3 6干扰因素 4 7测试环境 4 8试样. 4 9测试程序 4 10计算 5 11精密度. 来来 5 12测试报告 附录A WB 宽禁带半导体技术创新联盟 ...

P轳"妒©.045 Wiae 00 H80/84 WB A 团 体标准 T/IAWBS007-2018 4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance 2018-12-06发布 2018-12-17实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 007-2018 目次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 3.14H碳化硅4 H Silicon Carbide.. 3.2干涉Interference........ 4方法提要 5测试仪器 5.1红外光谱仪. 5.2仪器附件 6干扰因素 7测试环境. 8试样.. 9测试程序 9.1仪器校准.. 9.2测试条件的选择 444 9.3测量 10计算.. 11精度度 12测试报告 附录A(资料性附录)测厚实例 参考文献 I T/IAWBS 007-2018 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、 陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨. Ⅱ ...

P轳29.045 wiae H80/84 WBS A 团 体标准 T/IAWBS006-2018 碳化硅混合模块测试方法 Test methods for hybrid silicon carbide modules 2018-12-06发布 2018-12-17实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 006-2018 目次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语与定义 3.1一般术语 3.2额定值和特性术语IGBT. ....1 3.3额定值和特性术语二极管. .5 3.4额定值和特性术语模块 .7 4文字符号. .8 4.1通则 ..8 4.2文字符号. 5测试方法 .9 5.1极限值试验 44 9 5.1.1集电极-发射极电压VcEs 二极管反向电压VR .9 5.1.2集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压士VGEs10 5.1.3最大集电极电流c .11 5.1.4二极管正向（直流）电流F 5.1.5集电极峰值电流IcM ....12 5.1.6二极管正向峰值电流IFM13 5.1.7反偏安全工作区RBSOA. .14 5.1.8短路安全工作区1 SCSOA1. ...15 5.1.9二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM16 5.1.10端子和底板之间的绝缘电压Visol. .17 5.2特性参数测试 ..17 5.2.1集电极-发射极饱和电压VCEsat17 5.2.2二极管正向电压VF. .18 5.2.3集电极-发射极阈值电压VGE(th) 19 5.2.4集电极截止电流1CES 二极管反向电流R19 5.2.5栅极漏电流IGEs .20 5.2.6集电极-发射极击穿电压V(BR)CE 二极管击穿电压VBR 21 5.2.7输入电容Cies 22 5.2.8输出电容Cocs .23 5.2.9反向传输电容Cres ..23 5.2.10栅极电荷Q.24 5.2.11栅极内阻rg 25 5.2.12开通期间的各时间间隔(ton、tr、fon)和开通能量Eon 5.2.13关断期间的各时间间隔(taom、r、om、tz)和关断能量Eom27 5.2.14反向恢复峰值电流、反向恢复时间、恢复电荷、反向恢复能量和软度因子Imm、 tm、Qr、Em、Sm 29 5.2.15二极管小信号电容电荷 Qc... ..30 I T/IAWBS 006--2018 5.2.16主端子间的寄生杂散电感Lp .31 5.2.17开关电路单元和外壳之间的寄生杂散电容CP31 5.218结壳热阻RGe)和结壳瞬态热阻抗Z 31 5.3耐久性试验 .33 5.3.1高温阻断(HTRB) .....34 5.3.2高温栅极偏置(HTGB) .34 5.3.3间歇工作寿命（功率循环） ...35 5.3.4温度循环 ..36 6检测报告中应给出的信息 36 参考文献 .37 ...

ICS29.045 H80/84 borouup 团 体标准 T/IAWBS005-2018 6英寸碳化硅单晶抛光片 6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers 2018-12-06发布 2018-12-17实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 005-2018 目次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 ....1 3术语和定义 3.1相变裂纹Cracks Induced by Polytype Transformation.. 3.2基平面位错Basal Plane Dislocation(BPD) ..2 3.3螺位错Threading Screw Dislocation(TSD) .2 3.4刃位错Threading Edge Dislocation(TED). .2 4要求 .2 4.1分类， .2 4.2牌号 .2 4.3质量等级 .2 4.4几何参数 .2 4.5表面取向 .3 4.6表面缺陷. .3 4.7微管密度 .3 4.8结晶质量 4 4.9电阻率. 4 4.10多型 4 4.11位错密度 4 5检验方法 5 5.1几何参数 444 5 5.2表面取向 5 5.3表面缺陷. 5 5.4微管密度 5 5.5结晶质量. 5 5.6电阻率. 6 5.7多型 6 5.8位错密度. 6 6检验规则 6 6.1检验 6 6.2组批 6 6.3取样 6 6.4检验结果的判定 444 .6 7标志、包装、运输、储存和质量证明书 .6 7.1标志 7 7.2包装 7 7.3储存和运输 7 7.4质量证明书. 7 附录A(资料性附录)碳化硅单晶牌号规定8 I T/IAWBS0052018 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物 理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团 公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成 电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公 司. 本标准主要起草人：陆敏、彭同华、郑红军、余宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、 钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤. Ⅱ ...