ICS29.045 H80/84 borouup 团 体标准 T/IAWBS005-2018 6英寸碳化硅单晶抛光片 6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers 2018-12-06发布 2018-12-17实施 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 T/IAWBS 005-2018 目次 前言 II 1范围 2规范性引用文件 ....1 3术语和定义 3.1相变裂纹Cracks Induced by Polytype Transformation.. 3.2基平面位错Basal Plane Dislocation(BPD) ..2 3.3螺位错Threading Screw Dislocation(TSD) .2 3.4刃位错Threading Edge Dislocation(TED). .2 4要求 .2 4.1分类， .2 4.2牌号 .2 4.3质量等级 .2 4.4几何参数 .2 4.5表面取向 .3 4.6表面缺陷. .3 4.7微管密度 .3 4.8结晶质量 4 4.9电阻率. 4 4.10多型 4 4.11位错密度 4 5检验方法 5 5.1几何参数 444 5 5.2表面取向 5 5.3表面缺陷. 5 5.4微管密度 5 5.5结晶质量. 5 5.6电阻率. 6 5.7多型 6 5.8位错密度. 6 6检验规则 6 6.1检验 6 6.2组批 6 6.3取样 6 6.4检验结果的判定 444 .6 7标志、包装、运输、储存和质量证明书 .6 7.1标志 7 7.2包装 7 7.3储存和运输 7 7.4质量证明书. 7 附录A(资料性附录)碳化硅单晶牌号规定8 I T/IAWBS0052018 前言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草. 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任. 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口. 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物 理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团 公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成 电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公 司. 本标准主要起草人：陆敏、彭同华、郑红军、余宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、 钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤. Ⅱ ...
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