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GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR).pdf

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中华人民共和国国家标准

GB/T43894.3-2026

半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法 (ESFQR、ESFQD、ESBIR)

Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometryPart 3:Sector area flatness(ESFQR,ESFQD ESBIR)

国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.

本文件是GB/T43894半导体晶片近边缘儿何形态评价》的第3部分,GB/T43894已经发布了以下部分:

第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD):

一第2部分:边缘卷曲法(ROA);

第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)

请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口.

本文件起草单位:山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣品圆半导体股份有限公司、金瑞泓微电体有限公司、上海品盟硅材料有限公司、郑州合品硅材料有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司. 子(嘉兴)有限公司、西安奕斯伟材料科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、浙江品越半导

本文件主要起草人:朱晓彤、宁永铎、王玥、刘云霞、徐新华、徐国科、张婉婉、丁雄杰、高冰、顾广安、钟佑生、马砚忠,

引言

随着硅片直径的增加和线宽的不断降低,对硅片儿何参数的要求也在不断提高,硅片的近边缘区域是影响硅片几何参数的重要因素,目前大直径硅片近边缘区域的厚度、平整度等形态的控制难度较品率,促进技术代的升级有着重要的意义.GB/T43894主要用于硅片及其他半导体材料晶片. 大,因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态,对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成

一第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD).目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近边缘儿何形态.一第2部分:边缘卷曲法(ROA).目的在于使用边缘卷曲方法评价半导体晶片近边缘儿何 形态.第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR).目的在于获得扇形区域平整度进而评价近边缘儿何形态.一第4部分:不完整区域局部平整度法(PSFQR、PSFQD、PSBIR).目的在于获得不完整区域的局部平整度进面评价近边缘几何形态.

GB/T43894从不同测试区域、采用不同计算方法实现对半导体晶片近边缘区域儿何参数的量化评价,能够有效评价并管控半导体品片的近边缘区域几何形态.本文件通过按选定半径与圆心角将半导体品片近边缘区域划分为若干扇形区域,计算不同基准面的平整度,实现对半导体晶片近边缘几何形态的量化评价.本文件在制定过程中融人了行业多年来测试、校准经验,其发布实施对发展我国大直径、高质量半导体硅片产业具有十分重要的意义.

半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分:扇形区域平整度法 (ESFQRESFQD、ESBIR)

1范围

本文件描述了用扇形区域平整度(ESFQR、ESFQD、ESBIR)评价半导体晶片近边缘儿何形态的方法.

本文件适用于直径300mm硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片),也适用于其他带有表面层的硅片或半导体材料网形品片.

注:直径200mm硅片参考本文件.

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中,注日期的引用文本文件.

GB/T14264-2024半导体材料术语GB/T16596确定晶片坐标系规范GB/T25915.1一2021洁净室及相关受控环境第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级GB/T34479硅片字母数字标志规范

3术语和定义

GB/T14264-2024界定的术语和定义适用于本文件.

3.1

近边缘扇形区域平整度near-edge wafer sector flatness;ESFQRESFQDESBIR

将品片近边缘环形区域分割成N个扇形区域,其若干个扇形区域中总指示读数(TIR)或焦平面偏差(FPD)的最大值.

注:由于选择的基准面不同,分别用ESFQR ESFQD或ESBIR捕述品片近边缘的形态.

[来源:GB/T14264-20243.189.7]

4方法原理

按选定半径与圆心角将半导体晶片(以下简称“品片”)近边缘区域划分为若干扇形,通过儿何参数列,构建该区域的基准面计算实测数据与基准面之间的偏差根据不同的计算方法评价扇形区域平整度,进而评价晶片近边缘儿何形态.按照计算方法的不同,分为ESFQR、ESFQD和ESBIR.

注:ESFQR为每个扇形区域内实测数据与基准面偏差的极差;ESFQD为每个扇形区域内实测数据与基准面偏差的最大地对值,保留原始偏差符号:ESBIR为每个扇形区域内实测数据的极差.

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