中华人民共和国国家标准
GB29447-2026代替GB29447-2022
硅多晶和锗单位产品能源消耗限额
Norm of energy consumption per unit products of polysilicon and germanium
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
前言
本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草.
本文件代替GB29447-2022《多晶硅和锗单位产品能源消耗限额》，与GB29447-2022相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：
a）更改了范围（见第1章，2022年版的第1章）；b）增加了规范性引用文件GB17167（见第3章）：c）增加了三氯氢硅法和硅烷流化床法的术语和定义（见3.1、3.2）：d）更改了能耗限额等级值（见4.1、4.2.2022年版的4.1、4.2）； e）更改了硅多晶的能耗统计范围（见6.1.1.1，2022年版的6.1.1.1）：[）增加了硅多晶主要生产工序能源消耗统计范围（见6.1.1.4）；g）更改了产品产量内容（见6.2，2022年版的6.2.1）：h）更改了外购的原辅材料及中间产品对应的单位产品能耗基准（见6.3.3.2022年版的6.2.4）.
本文件于2012年首次发布，2022年第一次修订时并人了GB29413一2012《单位产品能源消耗限额》的内容，本次为第二次修订.
硅多晶和锗单位产品能源消耗限额
1范围
算方法.
精矿、再生锗原料为原料生产高纯四氯化储、高纯二氧化锗、区熔储锭、错单晶的企业进行能耗的计算、考核，以及对新建、改建和扩建项目的能耗控制.
本文件不适用于生产半导体用电子级硅多晶、区熔级硅多晶的企业的能耗控制.
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件.
GB/T2589综合能耗计算通则GB/T5238错单晶和锗单晶片GB/T11069高纯二氧化GB/T11071区熔锗锭 GB/T12723单位产品能源消耗限额编制通则GB/T14264半导体材料术语GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则GB/T25074太阳能级硅多晶 GB/T35307流化床法颗粒硅YS/T13高纯四氯化错
3术语和定义
GB/T2589GB/T12723、GB/T14264和GB17167界定的以及下列术语和定义适用于本文件.
三氟氢硅法trichlorosilane hydrogen process
一种生产硅多晶的工艺，将高纯三氯氢硅与高纯氢气按比例通人还原炉，三氯氢硅在硅芯表面发生还原或热分解反应，气相沉积生成棒状硅多晶.
3.2
硅烷流化床法silane fluidized bed process
一种生产硅多晶的工艺，将高纯硅烷与高纯氢气按比例通人流化床反应器，硅烷在硅籽晶表面发生分解反应，气相沉积生成颗粒硅多晶.
