ICS77.040 CCS H 21 中华人民共和国国家标准 GB/T42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率 非接触测试方法 Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement 2022-12-30发布 2023-04-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T42271-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安 徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六 研究所. 本文件主要起草人：彭同华、余宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜. I GB/T42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率 非接触测试方法 1范围 本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法. 本文件适用于测量电阻率范围为1×1050cm~1×10120cm的半绝缘碳化硅单晶片. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T30656碳化硅单晶抛光片 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4原理 非接触式电阻率测试采用电容充放电原理.首先对样品进行瞬时充电，再利用仪器实时监测放电 过程中的电量，从而得到其变化的弛豫曲线，之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间()，最后通过 弛豫时间()计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率. 5试验条件 5.1测试过程中用的测试机台应无振动、无电磁干扰且良好接地. 5.2温度：(23士3)℃；相对湿度(RH):60%士20%. 6干扰因素 6.1不同的光强，对电阻率的测试结果有影响，在测试过程中应关闭设备的遮光罩. 6.2静电、振动测试环境对电阻率的测试结果有影响，测试过程中应采取严格的屏蔽措施. 6.3样品表面、吸附载物台及测试探头上的颗粒沾污会影响半绝缘碳化硅单晶片的电阻率，测试前应 确认样品表面、吸附载物台及测试探头无肉眼可见的大颗粒沾污. 6.4样品厚度的变化会对...
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