ICS29.045 CCS H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T41652—2022 刻蚀机用硅电极及硅环 Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine 2022-07-11发布 2023-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T41652-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、新美光（苏州）半导 体科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司. .本文件主要起草人：库黎明、孙燕、闫志瑞、张果虎、夏秋良、潘金平. I GB/T41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环 1范围 本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随 行文件以及订货单内容. 本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm~450mm的硅电极及硅环. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 平面度flatness 硅电极或硅环厚度的最大值与最小值之间的差值. 4技术要求 4.1电学参数 硅电极及硅环的电学参数应符合表1的规定. 1 ...
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