ICS31.260 L53 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 Semiconductor optoelectronic devices- Blank detail specification for lower power light-emitting diodes 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T36359-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由中华人民共和国工业和信息化部（电子）归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体器件质量监督检验中心、中国 电子技术标准化研究院. 本标准主要起草人：张瑞霞、赵敏、黄杰、彭浩、赵英、刘秀娟、张晨朝、刘东月. I GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 引言 本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一. 相关文件： GB/T2423.1一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A:低温 GB/T2423.3一2016环境试验第2部分：试验方法试验Cab:恒定湿热试验 GB/T2423.4一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db:交变湿热(12h 12h循环) GB/T2423.5一1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.10一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验FC:振动（正弦） GB/T2423.15一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加 速度 GB/T2423.22一2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化 GB/T2423.23一2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封 GB/T2423.28一2005电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验T:锡焊 GB/T2423.60一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U:引出端及整体安 装件强度 GB/T2424.19一2005电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验导则 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T12565一1990半导体器件光电子器件分规范 SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 IEC60191-2-DB-2012半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸规格(Mechanical standardization of semiconductor devices-Part 2:Dimensions) IEC60749-21:2011半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性(Semiconductor de- vices-Mechanical and climatic tests methods-Part 21:Solderability) 要求资料 下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中. 详细规范的识别： [1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称. [2]IECQ详细规范号. [3] 总规范和分规范的版本号和标准号. [4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何更详细的资料. 器件的识别： [5]主要功能和型号. [6] 典型结构（材料、主要工艺）和封装的资...
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