ICS31.260 L51 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T15651.4-2017/IEC60747-5-4:2006 半导体器件分立器件 第5-4部分：光电子器件 半导体激光器 Semiconductor devices-Discrete devices-Part 5-4:Optoelectronic devices- Semiconductor lasers (IEC60747-5-4:2006 IDT) 2017-05-31发布 2017-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T15651.4-2017/IEC60747-5-4:2006 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 2 3.1物理概念 2 3.2器件类型——半导体激光器（激光二极管） .2 3.3一般术语 2 3.4与额定值和特性有关的术语 3 4基本额定值和特性 7 4.1类型 7 4.2半导体 7 4.3外形与封装细节 7 4.4极限值（绝对最大额定值） 7 4.5光电特性 .8 4.6补充资料—温度对波长的影响 9 5测试方法 10 5.1功率测试 .10 5.2输出功率稳定性 10 5.3时域分布 12 5.4寿命 14 5.5激光束的光学特性 14 附录A(资料性附录)空间分布和光谱特性相关术语及定义参照表18 附录B(资料性附录)空间分布和光谱特性相关测试方法参照表22 附录C(资料性附录)功率测试和寿命相关术语、定义及测试方法参照表23 参考文献 24 图1带端口无透镜器件 3 图2开关时间 4 图3激光二极管的阈值电流5 图4基本电路图 10 图5基本电路图 12 图6典型脉冲响应图13 图7基本电路图 .14 I GB/T15651.4-2017/IEC60747-5-4:2006 图8半强度角 15 图9指定平面和机械参考面的关系 15 图10基本测量装置图 16 图11Dy/和D2的测量装置17 表1光电特性 8 Ⅱ ...
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