中华人民共和国电子行业标准 FL6134 SJ/Z21350-2018 掺铈硅酸盐闪烁晶体设计指南 Designguidefor the cerium dopedsilicatescintillationcrystals 2018-01-18发布 2018-05-01实施 国家国防科技工业局发布
SJ/Z 21350-2018 目次 前言， 1范围， 2规范性引用文件 3术语和定义 4设计流程与依据 4.1设计流程 4.2设计依据及原则 5设计内容， 5.1概述， 5.2技术设计 5.3工艺设 6设计验 6.1技术 设计验 6.2工 验正 7设计 附录A 规范性 附录）
SJ/Z 21350-2018 前言 附录A为规范性附录。
本指导性技术文件由中国电子科技集团公司提出。
本指导性技术文件由工业和信息化部电子第四研究院归口。
本指导性技术文件起草单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所。
本指导性技术文件主要起草人：王佳、胡吉海、岑伟、张俊、石自彬、汪庆、欧阳廷、丁雨幢、杨 梅、胡少勤、张小梅、黄绪正。
II
SJ/Z 21350-2018 掺铈硅酸盐闪烁晶体设计指南 1范围 本指导性技术文件规定了掺铈硅酸钇（Ce:LYSO）、掺铈硅酸（Ce:LSO）、掺铈硅酸钇（Ce:YSO） 等掺铈硅酸盐闪烁晶体原生晶棒和晶体产品（包括晶片、晶块形式的产品）设计流程与依据、设计内容、 设计验证、设计输出等要求。
等掺铈硅酸盐闪烁晶体设计，可指导原生晶 榴石 （Ce:GAGG）等闪烁晶体设计也 可参照本指导性技 2规范性引用文 下列文件中的条款通过本指导性技术文件的引用而成为泰指导性技术文件的条款。
凡是注日期的引 用文件， 其随后的修 （不包含勘染的内容）或修订废均不适用于本指导性技术文件，然而，鼓 励根据本指导性技术文件 办议的各方研究是否可使用这文件的最新版本。
凡 是不注日期的引用文 件，其最新版本适用于本猎导 GBAT 14264 2009 半导体材料术语 SJ213 349-201 18 掺铈氧化物闪烁 HNOLO 3术语和定义 SJ21349-2018确立的以及下列术语和定义适用于本指导性技术文件。
3.1 原生晶棒 ingot 3.2 晶体产品crystalproduction 晶体产品是指原生晶棒经过切割、滚圆、研磨、抛光等过程，形成一定尺寸及表面状态要求的晶片、 晶块。
3.3 晶体生长crystalgrowth 晶体生长是物质在一定温度、压力、浓度、介质、酸碱度等条件下，由气相、液相、固相转变为结 晶相的过程，在该过程中组成它的质点从不规则排列到规则排列形成一定晶格构造。
3.4 晶体定向crystalorientation 确定晶体晶面晶向的过程。
SJ/Z 21350-2018 3.5 抛光polishing 利用机械、化学或电化学的方法，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的工艺过程。
3.6 清洗cleaning 利用物理、化学作用去除物体表面上的污染物，使晶片、晶块表面达到一定洁净程度的工艺过程。
4设计流程与依据 4.1设计流程 掺铈硅酸盐闪烁晶体产品设计流程见图1。
设计输入 （研制任务书、技术协议、合同等） 产品设计（性能、外观与尺寸） 技术设计 工艺设计 原生品棒 晶体产品 原生品棒 晶体产品 原料配比设计 温场结构设计 外形尺寸设计 原料制备工艺设计 晶体生长工艺设计 加工工艺设计 设计验证 V 设计输出 图1晶体设计流程 4.2设计依据及原则 4.2.1设计依据 设计依据如下： a）研制任务书、技术协议或合同； b）工艺条件（材料、设备等）要求。
4.2.2设计原则 应遵循以下设计原则： 2...
