ICS29.045 H82 备案号：52020-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11552-2015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光 谱法测量硅中间隙氧含量 Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T115522015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、 苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司. 本标准主要起草人：李、 坤如 15 SJ STANDARDS I SJ/T115522015 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 1范围 本标准规定了以布鲁斯特角入射护偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法. 本标准适用于测试室温下电阻率大于52cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含 量的测量.氧含量的有效范围从1×1016 硅单晶中间隙氧的最大固溶度. 2术语和定义 AND 2.1 DUSTRY 下列术语和定 件. INFORMATION p型偏振照p-polared radiation 电矢量平行与入射平面的偏振辐射， 2.2 TECHA 背景光语background spectrum 在红外仪中，无样有在的情况下使用单束测量获得的谱线（通常包括氨气，空气等信息）. 2.3 参比方法 ereoce method 用测试样品 除参比样品光谱，消除硅晶格振动引起的吸收影人获得测试样品含氧的红外透 射光谱，要求氧参样品与测试样品厚度差小于±0.5%. 2.4 参比光谱referencespect 参比样品的光谱.用双光束光 回以把 RD 化样品放在样品光路测量，让参比光路空着， 由参比样品光谱计算扣除背景光谱获得参比洋品光谱，用单光束光谱仪测试时，直接用参比样品光谱计 算扣除背景光谱获得参比样品光谱. 2.5 样品光谱sample spectrum 测试样品的光谱.用双光束光谱仪测试时，可以把测试样品放在样品光路测量，让参比光路空着， 由测试样品光谱计算扣除背景光谱获得测试样品光谱；用单光束光谱仪测试时，直接用测试样品光谱计 算扣除背景光谱获得测试样品光谱. 2.6 表面粗糙度surface roughness 1 ...
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