ICS31.080.30 L42 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T18262016 SJ/T1826—1981 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK100 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T1826—2016 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本规范代替SJ/T1826一1981.与SJ/T1826一1981相比，本规范主要技术变化如下： 一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准. ——原规范开关参数ts(载流子贮存时间)和t（下降时间）在本规范中合并为to(关断时间)， 即tofr-tsto 请注意本文件的某些内容可能涉及专利件的布机构不承担识别这些专利的责任. 本规范由全国半导体器件标化技米委员会归口 本规范起草单位：石家 林石无二电子有限公司. 本规范主要起草 人赵滨床凤领吕瑞芹. 本规范于1981车 SJ 发布，本次为第一次修订. OAS人 ON TECHNO STANDARDS SJ/T18262016 引言 本规范适用于3DK100型NPN硅小功率开关晶体管.本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶 体管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总 规范》Ⅱ类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定. II ...
SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf
