ICS31.080 L53 备案号：52032-2015S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.5-2015 代替SJ/T2658.5-1986
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode -Part5:Seriesconnectionresistance
2015-10-10发布2016-04-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T2658.5-2015
前言
SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则： 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率FRY AND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分：调制带宽 第11部分：响应时间 第12部分工峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分：辐射功率温度系数： 第14部分：结温； 第15部分热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJ/T2658的第5部分。
本部分按照GBT12009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ/T2658.5一1986《半导体红外发光二极管测试方法正向串联电阻的测试方法》，除 编辑性修改外主要技术变化如下： 串联电阻的定义中补充了I-V特性曲线（见图1）； 细化了串联电阻的测量步骤（见5.2）； 补充了串联电阻测量方法的规定条件（见5.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.5-1986。
SJ/T2658.5-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻
1范围
本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定 条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1 串联电阻seriesconnectionresistance rs 正向工作状态下，在被测器件I-V特性曲线（见图1）的线性区内，器件两极之间的电压增量与通过 器件的电流增量之比。
计算方法见公式（1)： r=△V1△IF 式中： AVF电压增量，单位为伏特（V）； IE-电流增量，单位为安培（A)。
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IF2
AV
STRY 4一般要求
测量串联电阻的一般要求应符合SJT2658.1的规定。
5测量方法
5.1测量原理图 串联电阻的测量原理图见图 LSINII G
说明： DUT被测器件； G恒流源：
电流表； 电压表。
图2串联电阻测量原理图 5.2测量步骤 串联电阻的测量按下列步骤进行： a）按图2连接测量系统，并进行仪器预热； 2
SJ/T2658.5-2015 b在被测器件I-V特性曲线的线性区内，调节恒流源，使工作电流分别为I和Ir2，同时测定相 应的正向工作电压V和VF2； 按公式（2）计算串联电阻r的值。
V=VF2-VF12） IFIF2-IF1
5.3规定条件 有关标准采用本方法时，应规定以下条件： a)环境温度； b)器件I-V特性曲线线性区内的正向电流Ir和Ir2
3...
