ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价 颗粒状多晶硅的规程 Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35309-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草的. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、天津市环欧半导体材 料技术有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、洛阳中硅高科技有限公司. 本标准主要起草人：王桃霞、刘晓霞、耿全荣、鲁文锋、柳德发、胡伟、邱艳梅、银波、由佰玲、秦榕、 严大洲. I GB/T35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价 颗粒状多晶硅的规程 1范围 本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主 杂质浓度的方法. 本标准适用于尺寸为600μm~3000μm的颗粒状多晶硅，其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标 准执行. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T620化学试剂氢氟酸 GB/T622化学试剂盐酸 GB/T626化学试剂硝酸 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T4842氩 GB/T6679固体化工产品采样通则 GB/T11446.1电子级水 GB/T14264半导体材料术语 GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法 GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法提要 将颗粒硅装入高纯石英管内，在石英管的下方通入高纯氩气，颗粒硅在氩气作用下处于流态化，调 节线圈位置和功率，使颗粒硅逐渐地粘附在熔化的硅棒（或籽晶）上，制备成多晶硅棒.采用GB/T4059 氩气氛围中，在单晶籽晶的作用下，利用区域熔解将多晶硅棒熔炼生长成为单晶棒.采用GB/T1558 和GB/T24581中规定的方法测定代位碳和施主杂质浓度、受主杂质浓度. 5干扰因素 在样品制备过程中存在的主要干扰因素如下： ...
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