ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱 Collection of metallographs on defects of sapphire crystal 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35316-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准主要起草单位:中国科学院上海光学精密机械研究所、上海大恒光学精密机械有限公司、中 国科学院新疆理化技术研究所、新疆紫晶光电技术有限公司、有色金属技术经济研究院、江苏浩瀚蓝宝 石科技有限公司、苏州恒嘉晶体材料有限公司、江苏吉星新材料有限公司、东莞市中镓半导体科技有限 公司、天津三安光电有限公司、江西东海蓝玉光电科技有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司. 本标准主要起草人:徐民、杭寅、潘世烈、张方方、赵兴俭、韦建、贺东江、吴成荣、蔡金荣、徐永亮、 丁晓民、王笃祥、李国平、赵松彬、杨素心. GB/T35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱 1范围 本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因. 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件. GB/T8756锗晶体缺陷图谱 GB/T14264半导体材料术语 GB/T30453硅材料原生缺陷图谱 3术语和定义 GB/T8756、GB/T14264和GB/T30453界定的术语和定义适用于本文件. 4蓝宝石晶体缺陷 4.1晶锭缺陷 4.1.1开裂(crack) 4.1.1.1形貌特征 生长的蓝宝石晶体有时外形完整,但晶体内部或边壁处可观测到数道裂纹,严重时可见晶体碎裂成 块.其形貌特征示例见图1~图4. 4.1.1.2产生原因 晶体生长或退火时,热场不合理、炉内温度变化过快造成晶体内部热应力过大而引起开裂;晶体粘 连坩埚形成外部挤压应力,导致晶体边壁处出现微裂纹;无籽晶生长或原料杂质过多时,极易产生局部 多晶,导致晶体开裂. 4.1.2失透(opaque) 4.1.2.1形貌特征 生长的蓝宝石晶体半透明或不透明,多呈黯黑色.其形貌特征示例见图5. 1 ...
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