ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T1550—2018 代替GB/T1550—1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T1550-2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T1550一1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》，与GB/T1550一1997相比 主要技术变化如下： —一适用范围修改为“本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体 材料可参照本标准测试”（见第1章，1997年版的第1章）； —增加了术语和定义（见第3章）； —将原标准的1.2~1.9修改为“4.1总则”（见4.1 1997年版的1.2~1.9）； —修改了方法A、方法D、方法D2的适用范围（见4.1.2、4.1.5、4.1.6 1997年版的1.3、1.6、1.7）； 一增加了方法E(表面光电压法)测试导电类型（见4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5）； —增加了“如果采用9.1~9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，则表明试样表 面无沾污或氧化层.如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采 用8.2中的方法对试样表面进行处理.”（见9.6）； ——增加了试验结果的分析（见第10章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟 米莱伯贸易（上海）有限公司、浙江海纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发 展有限公司、峨嵋半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中锗科技有限公司、云南冶金云芯硅材 股份有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司. 本标准主要起草人：梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红骞、邱艳梅、刘晓霞、杨旭、 张园园、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB1550—1979、GB/T1550—1997; GB5256-1985. I GB/T1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法 1范围 本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法. 本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测 试.本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在 其表面上测出不同导电类型区域. 本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法提要 4.1总则 4.1.1本标准包括五种测试方法：方法...
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