ICS77.040 CCS H 21 B 中华人民共和国国家标准 GB/T43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry- Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD) 2024-04-25发布 2024-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T43894.1-2024 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件是GB/T43894《半导体晶片近边缘几何形态评价》的第1部分.GB/T43894已经发布了 以下部分: —第1部分:高度径向二阶导数(ZDD). 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位:山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣品圆半导体科技有限公司、金瑞泓 微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集 团)股份有限公司. 本文件主要起草人:王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、 郭正江. I ...
推荐内容/By 规范库
-
正式版 GB/T 4937.32-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的).pdf
-
正式版 GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统(SoC).pdf
-
GB/T 43061-2023 半导体集成电路 PWM控制器测试方法.pdf
-
GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法.pdf
-
GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及分布的测定 二次离子质谱法.pdf
-
GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管.pdf
-
GB/T 12963-2022 电子级多晶硅.pdf
-
GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法.pdf
-
GB/T 43976-2024 电子气体 四氟甲烷.pdf