ICS31.080.01 CCS L40 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.31-2023/IEC60749-31:2002 半导体器件机械和气候试验方法 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的) Semiconductor devices-—Mechanical and climatic test methods.- Part 31:Flammability of platic-encapsulated devices(internally induced) (IEC60749-31:2002 IDT) 2023-05-23发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T4937.31-XXXX/IEC60749-31:2002 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件是GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》的第31部分.GB/T4937已经发布了 以下部分: 一一第1部分:总则; —第2部分:低气压; —第3部分:外部目检; —第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); —第11部分:快速温度变化双液槽法; 一第12部分:扫频振动; —第13部分:盐雾; —第14部分:引出端强度(引线牢固性); ——第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; —第17部分:中子辐照; —第18部分:电离辐射(总剂量); ——第19部分:芯片剪切强度; ——第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; —第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; —第21部分:可焊性; 一一第22部分:键合强度; —第23部分:高温工作寿命; 一第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM); -第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM); ——第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; —第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); —第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); —第42部分:温湿度贮存. 本文件等同采用IEC60749-31:2002《半导体器件机械和气候试验方法第31部分:塑封器件 的易燃性(内部引起的)》 本文件增加了“术语和定义”一章. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、安徽钜芯 半导体科技有限公司、河北中电科航检测技术服务有限公司、北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公 司、绵阳迈可微检测技术有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司、佛山市川东磁电股份有限 公司. 本文件主要起草人:裴选、彭浩、张魁、曹孙根、席善斌、魏兵、赵鹏、徐昕、米村艳、李明钢、颜天宝. I GB/T4937.31-X×XX/IEC60749-31:2002 引 言 半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,GB/T4937《半导 体器件机械和气候试验方法》是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准,对于评价和考核半导体 器件的质量和可靠性起着重要作用,拟由44个部分构成. 一一第1部分:总则.目的在于规定半导体器件机械和气候试验方法的通用准则. 一第2部分:低气压.目的在于检测元器件和材料避免电击穿失效...
推荐内容/By 规范库
-
无水印、正式版 GB/T 20870.2-2023 半导体器件 第16-2部分:微波集成电路 预分频器.pdf
-
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD).pdf
-
GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求.pdf
-
GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法.pdf
-
GB/T 39771.1-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分:要求与等级分类方法.pdf
-
GB/T 29856-2013 半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法.pdf
-
GB/T 4937.18-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量).pdf
-
GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法.pdf
-
GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度.pdf