H 82 ICS 29.045
GB 中华人民共和国国家标准
GB/T12963-2014代替GB/T12963-2009
电子级多晶硅 Electronic-grade polycrystalline silicon
2014-12-31发布2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布 中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国 国家标准 电子级多晶硅 GB/T 12963-2014 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址 总编室：（010)64275323发行中心：（010) 读者服务部：（010) 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销
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GB/T 12963-2014
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T12963-2009《硅多晶》。
本标准与GB/T12963-2009相比，主要有如下变动： 增加引用国家标准GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(见第2 章)； 一增加了多晶硅的技术参数，包括施主杂质浓度、受主杂质浓度、氧浓度、基体金属杂质浓度、表 面金属杂质浓度的要求（见表1)； -不同等级多晶硅的碳浓度由<1.5×10atoms/cm”、<2×1016atoms/cm、<2×1016 atoms/cm修订为<4.0×101atoms/cm、<1.0×10atoms/cm²、80'0>≤0.10 少数载流子寿命≥1 000≥1 000≥500 μs 碳浓度<4.0×1015<1.0×101s<1.5×106 atoms/cm² 氧浓度≤1×1...
