GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管.pdf

ICS31.080.10 K46 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T4023—2015/IEC60747-2:2000 代替GB/T4023一1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 Semiconductor devices-Discrete devices and integrated circuits- Part 2:Rectifier diodes (IEC60747-2:2000 IDT) 2015-12-31发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T4023-2015/IEC60747-2:2000 目 次 前言 引言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 3.1一般术语 1 3.2额定值和特性的术语：电压 2 3.3额定值和特性的术语：电流 3 3.4额定值和特性的术语：耗散功率 4 3.5额定值和特性的术语：其他特性 5 4文字符号 7 4.1概述 7 4.2补充的通用下标 7 4.2.1电流、电压和功率 8 4.2.2电参数 8 4.3文字符号表 8 4.3.1电压（参见图4、图5） 8 4.3.2电流（参见图6） 9 4.3.3功率10 4.3.4开关 10 5基本额定值和特性 10 5.1概述 10 5.1.1适用范围 10 5.1.2额定方法 10 5.1.3推荐温度 10 5.2额定条件 11 5.2.1环境额定的整流二极管 11 5.2.2管壳额定的整流二极管 11 5.3电压和电流的额定值（极限值）11 5.3.1反向不重复峰值电压(VRsM) 11 5.3.2反向重复峰值电压(VRRM) 11 I GB/T4023-2015/IEC60747-2:2000 5.3.3反向工作峰值电压(VRwM) 11 5.3.4反向直流电压(V)(适用时) .11 5.3.5正向平均电流(IF(Av) 11 5.3.6正向重复峰值电流(IFRM)(适用时)（特别适用于快开关二极管） 11 5.3.7正向过载电流(I(ov) 12 5.3.8正向浪涌电流(IFsM) 12 5.3.9正向直流电流(I) 12 5.3.10管壳不破裂峰值电流(I RSMC) 13 5.4频率额定值（极限值） 13 5.5耗散功率额定值（极限值） 13 5.5.1反向浪涌耗散功率（雪崩整流二极管和可控雪崩整流二极管的）13 5.5.2反向重复峰值耗散功率（可控雪崩整流二极管的） 13 5.5.3反向平均耗散功率（可控雪崩整流二极管的） .13 5.6温度额定值（极限值） 13 5.6.1冷却流体的温度或基准点的温度（对于环境额定的或管壳额定的整流二极管）13 5.6.2贮存温度(Tsg) 13 5.6.3等效结温(T)(适用时)13 5.7电特性 13 5.7.1正向特性（适用时） 13 5.7.2正向电压（在热平衡条件下） .14 5.7.3击穿...