L53 ICS31.260
中华人民共和国国家标准
GB/T36360-2018
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductoroptoelectronicdevices- Blankdetailspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodes
2018-06-07发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局发布 中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国 国家标准 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 GB/T36360-2018
中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029） 北京市西城区三里河北街16号（100045） 网址： 服务热线：400-168-0010 2018年6月第一版
书号：-60059
GB/T36360-2018
前言
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部（电子）归口。
本标准起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体 器件质量监督检验中心、厦门市三安光电科技有限公司。
本标准主要起草人：刘秀娟、赵英、黄杰、彭浩、赵敏、张瑞霞、邵小娟。
GB/T36360-2018
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
引言
本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一 相关文件： GB/T2423.1-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
GB/T2423.4-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db：交变湿热（12h十 12h循环） GB/T2423.5一1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击 GB/T2423.10一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦） GB/T2423.15一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加 速度 GB/T2423.22-2012环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T2423.23-2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T2423.28一2005电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验T：锡焊 GB/T2423.60-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U：引出端及整体安 装件强度 GB/T2424.19一2005电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验导则 GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T12565一1990半导体器件光电子器件分规范 SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 IEC60191-2-DB-2012半导体器件的机械标准化第2部分：尺寸规格（Mechanical standardizationofsemiconductordevices-Part2:Dimensions) IEC60749-21：2011半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性（Semiconductorde- vicesMechanicalandclimatictestsmethods-Part2l:Solderability)
要求资料
下列所要求的各项内容，应列人规定的相应空栏中。
详细规范的识别： [1]授权发布详细规范的国家标准化机构名称。
[2]IECQ详细规范号。
[3]总规范和分规范的版本号和标准号。
[4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的任何更详细的资料。
器件的识别： [5]主要功能和型号。
[6]典型结构（材料、主要工艺）和封装的资料。
如果一种器件有几种派生的产品，那些不同点应 被指出，例如在对照表中列出特性差异。
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GB/T36360-2018
如果一种器件对静电敏感，应在详细规范中增加警告、小心方面的文字。
[7]外形图、引出端识别、标志和（或）参考的相关外形标准。
[8]根据总规范中2.6的质量评定类别。
[9]参考数据。
[注：在整个空白详细规范中，方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用，而不包括在详细规范中。
] [授权发布详细规范的国家标准化[][IECQ详细规范号、发布号和[2] 机构的名称]（或）发布日期] 评定电子元器件质量的依据：[3] GB/T4589.1-2006半导体器件第10部[详细规范的国家编号][4] 分：分立器件和集成电路总规范[如果国家编号与IECQ编号相同，则本栏可不填 GB/T12565-1990...
