ICS31.080 CCS L40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟 China advanced semiconductor industry innovation alliance 团 体 标 准 T/CASAS 027—2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率 非接触霍尔测量方法 Two dimensional electron gas mobility of RF GaN HEMT epitaxial wafers-Non-contact HalI measurement method 版本：V01.00 2023-06-30发布 2023-07-01实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS027—2023 目次 前言 引言 IV 1范围. ..1 2规范性引用文件 l 3术语和定义 来来来 4符号 5测试原理 2 6精密度 ..3 7试验条件 8干扰因素 3 9仪器设备 3 10测试样品 4 11测试程序 11.1系统自校准 8 11.2测试步骤 11.3测试点位 4 12试验报告 .5 附录A(资料性)测试报告示例 6 I T/CASAS027—2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布，归CASAS ，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号. 本文件起草单位：中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯 股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公 司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟. 本文件主要起草人：魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏. Ⅲ ...
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