ICS 29.045 CCS H82
T/NXCL 宁夏材料研究学会团体标准 T/NXCL029-2024
300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers
2024-2-6发布2024-2-6实施
宁夏材料研究学会发布
T/NXCL029-2024
前言 本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。
本文件由宁夏材料研究学会提出。
本文件由宁夏材料研究学会归口。
本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有 限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。
本文件主要起草人：王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王 忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺。
T/NXCL 029-2024 300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片
1范围 本文件规定了300mm低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规 则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于直径300mm低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片， 产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最薪版本（包括的修改单）适用于本 文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量法方法 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508300mm硅单晶切割片和磨削片 GB/T32279硅片订货单格式输入规范 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28硅片包装 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件。
4技术要求 4.1物理性能 4.1.1硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化、少数载流子寿命应符合表1的规定。
T/NXCL 029-2024 表1硅抛光片电学参数 项目指标要求 导电类型N 掺杂元素P 电阻率，Q.cm23-175 电阻率径向变化，%≤10 少数载流子寿命，us≥250 4.1.2硅抛光片的晶向和切口基准轴取向均应符合GB/T29508的规定。
4.2化学成分 4.2.1氧含量 硅抛光片的间隙氧含量应不大于2.5x107原子数/cm3，氧含量的径向变化具体指标应不大于10%， 或由供需双方商定。
4.2.2碳含量 硅抛光片的碳含量应不大于5x10l6原子数/cm3，或由供需双方商定。
4.2.3金属含量 硅抛光片的表面金属（Cr、Fe、Ni、Cu）每种元素应不大于1x10l原子数/cm²，表面金属（Na、 K、Ca、Al、Zn）每种元素应不大于5x1010原子数/cm²，体金属（铁）含量应不大于5x1013原子数/cm3， 或由供需双方商定。
4.3几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表2的规定，表2未包含参数或对表2中参数有其他要求时，由供 需双方协商确定。
表2硅抛光片几何参数 项目指标要求 硅片直径，mm301 直径允许偏差，mm±0.2 切...
